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1、16. 若将一位错线的正向定义为原来的反向，此位错的柏氏矢量是否改变？位错的类型性质是否变化？一个位错环上各点位错类型是否相同？,17. 有两根左螺旋位错线，各自的能量都为E1，当他们无限靠拢时，总能量为多少？,18. 如图3-1表示两根纯螺位错，一个含有扭折，而另一个含有割阶。从图上所示的箭头方向为位错线的正方向，扭折部分和割阶部分都为纯刃型位错。a)若图示滑移面为fcc的（111）面，问这两对位错线段中（指割阶和扭折），哪那一对比较容易通过他们自身的滑移而去除？为什么？b)解释含有割阶的螺型位错在滑动时是怎样形成空位的。,19.假定有一个b在 晶向的刃型位错沿着（100）晶面滑动，a)如果
2、有另一个柏氏矢量在010方向，沿着（001）晶面上运动的刃型位错，通过上述位错时该位错将发生扭折还是割阶？b)如果有一个b方向为100，并在（001）晶面上滑动的螺型位错通过上述位错，试问它将发生扭折还是割阶？,21. 有两个被钉扎住的刃型位错A-B和C-D，他们的长度x相等，且具有相同的b大小和方向（图3-2）。每个位错都可看作F-R位错源。试分析在其增值过程中两者间的交互作用。若能形成一个大的位错源，使其开动的c多大？若两位错b相反，情况又如何？,27. 图3-6所示某晶体滑移面上有一柏氏矢量为b的位错环并受到一均匀切应力的作用，a)分析各段位错线所受力的大小并确定其方向；b)在作用下，若
3、要使它在晶体中稳定不动，其最小半径为多大？,28. 试分析在fcc中，下列位错反应能否进行?并指出其中三个位错的性质类型？反应后生成的新位错能否在滑移面上运动？,35. 试描述位错增殖的双交滑移机制。如果进行双交滑移的那段螺型位错长度为100nm，而位错的柏氏矢量为0.2nm，试求实现位错增殖所必需的切应力（G=40GPa）。,42. 设有两个晶粒与一个相晶粒相交于一公共晶棱，并形成三叉晶界，已知相所张的两面角为100，界面能为0.31Jm-2，试求相与相的界面能。,设在三个晶粒的三叉结点处的表面张力平衡。证明：,Fe3C属于（ ） （A）正常价化合物；（B）电子化合物； （C）间隙相； （D
4、）间隙化合物NaCl晶体属于（ ） （A）间隙固溶体； （B）置换固溶体； （C）间隙化合物； （D）离子晶体原子迁移到晶体表面而使晶体内部留下空位所形成的缺陷是（ ）（A）佛伦克尔缺陷； （B）肖特基缺陷；（C）间隙原子缺陷； （D）自由空位缺陷,有两根左螺旋位错线，各自的能量都为E1，当他们无限靠拢时，总能量为（ ） （A）2E1； （B）3E1； （C）4E1； （D）无法确定,刃型位错在正应力作用下可以进行（ ）（A）滑移； （B）交叉滑移； （C）攀移； （D）交叉攀移,在正常情况下面心立方晶体中原子的堆垛顺序为（ ） （A）ABABAB； （B）ABCABC； （C）ACBACB；
5、 （D）AABBCC以下容易形成置换固溶体的因素是（ ）（A）溶质与溶剂原子半径差大； （B）溶质与溶剂原子的晶体结构相同；（C）溶质与溶剂原子的电负性差大；（D）溶质的原子价要高,电子浓度是（ ） （A）溶质价电子数目与总原子数目之比；（B）溶剂价电子数目与总原子数目之比； （C）价电子数目与原子数目之比； （D）原子数目与价电子数目之比在一块晶体中有一根刃型位错M和一根相同长度的螺型位错N，伯氏矢量也相同，则它们的能量有（ ） （A）EMEN； （B）EMEN； （C）EM=EN； （D）无法确定,间隙相是由金属和非金属元素在电负性（ ）（a. 相差较大；b. 相差较小；c. 相差不大）时，且原子半径之比（ ）（a.大于0.59；b. 小于0.59；c. 等于0.59）时形成的中间相，它的晶体结构比较（ ）（a.复杂；b. 简单；c. 难确定），并且两组元晶体结构（ ）（a.不同；b. 相同；c. 难确定），它们的硬度和熔点（ ）（a.很高；b. 很低；c. 一般）,在面心立方晶体中当位错b1=a/2-101，b2=a/6-211，b3=a/6-1-12时，能否合发生b1b2 + b3? 产生交滑移的位错一般为（ ） （A）正刃型位错； （B）正刃型位错；（C）螺型位错； （D）混合位错,
