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1、,三.工艺制程整合亚微米工艺制程整合(双阱+ LOCOS+ Polycide+Al)深亚微米工艺制程整合(双阱+STI+ Salicide+Al)纳米工艺制程整合(双阱+S+ Salicide+CuHHN98,衬底制备衬底选材。选用P型晶圆材料裸片做为衬底,电阻率为812ohm/cm,晶向为2清洗。利用化学和物理的方法清除衬底自然氧化硅的同时将晶圆表面的杂质尘粒、有机物和金属离子3.生长初始氧化硅。利用炉管热氧化生长一层二氧化硅薄膜,它是干氧氧化法Psub4晶圆刻号。用激光在晶圆底部凹口附近刻出晶圆的编码5.清洗。清除激光刻号时留在晶圆表面的尘埃和颗粒第零层光刻处理。通过微影将第零层掩膜版上的
2、图形转移到晶圆上,形成第零层的光刻胶图案7.第零层刻蚀处理8去光刻胶HHN98去除初始氧化层。,双阱工艺清洗2生长隔离氧化硅。利用炉管热氧化生长一层二氧化硅薄膜,它是干氧氧化法。3.PW光刻处理。通过微影技术将PW掩膜版上的图形转移到晶圆上,形成PW的光刻胶图案,非PW区域保留光刻胶。4量測PW套刻。收集曝光之后的PW与第零层的套刻数据,检查PW与第零层是否对准,是否符合产品规5.检查显影后曝光的图PW离子注去光刻胶。利用干法刻蚀和湿法刻蚀去除光刻胶HHN98,双阱工艺NW光刻处理量測NW套刻,收集曝光之后的NW与第零层的套刻数据检查显影后曝光的图形去光刻胶。通过干法刻蚀和湿法刻蚀去除光刻胶清
3、7.NW和PW阱推进和退火。一如H908,有源区工艺去除隔离氧化层3.生长前置氧化层4淀积SlN4层AA光刻处理量測AA光刻的关键尺寸(CD)。收集刻蚀后的AA关键尺一寸数据,检查A关键尺寸是否符合产品规。8量测AA套刻,收集曝光之后的A与第零层的套刻数据。9检查显影后曝光的图形98P-sub,有源区工艺AA干法刻蚀2去光刻胶。通过干法刻蚀和湿法刻蚀去除光刻胶量測A刻蚀关键尺寸。收集刻蚀后的AA关键尺寸数据,检查AA关键尺寸是否符合产品规。检査刻蚀后的图形。如果有重大缺陷,将不可能返工,要进行5.去除氧化层987,L0cS隔离工艺清洗2生长 LOCOS场氧湿法刻蚀去除S2N44湿法刻蚀去除前置氧化层,阈值电压离子注入工艺清洗2生长牺牲层氧化硅3.PMOS阈值电压调节(VTP)离子注入光刻处理。4量測VTP套刻,收集曝光之后的VTP与AA的套刻数据5.检查显影后曝光的图形6VTP离子注入7.去光刻胶HHN98,阈值电压离子注入工艺1.NMOS阈值电压调节(VTN)离子注入光刻处理2.量测VTN套刻,收集曝光之后的TN与AA的套刻数据3.检查显影后曝光的图形VTN离子注入5.去光刻胶。通过干法刻蚀和湿法刻蚀去除光刻胶清洗。7.VTN和VP退火激活。湿法刻蚀去除牺牲层氧化硅。w国10,
