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1、第一章 常用半导体器件,第一章 常用 器件,半导体,金属,惰性气体,硅、锗,4,4,=4,小,易,大,二者之间,不易,二者之间,半导体,1.1.1 本征半导体,1.1 半导体基础知识,纯净的晶体结构的半导体,无杂质,?,半导体硅和锗的最外层电子（价电子）都是四个。,结构特点,通过一定的工艺过程，可将其制成晶体。,即为本征半导体,Intrinsic semiconductor,本征半导体的结构示意图,形成共价键后，每个原子的最外层电子是八个，构成稳定结构。,共用电子,常温下价电子很难脱离共价键成为自由电子,导电能力很弱,Share electron,+4,+4,+4,+4,热和光的作用,自由电子
2、,空穴,一些价电子获得足够的能量而脱离共价键束缚,电子空穴对,本征激发,（热激发）,带正电,带负电,游离的部分自由电子也可能回到空穴中去，称为复合,Intrisic excitation,+4,+4,+4,+4,在其它力的作用下，空穴吸引附近的电子来填补，这样的结果相当于空穴的迁移。,空穴的迁移相当于正电荷的移动，因此可以认为空穴是载流子。,本征半导体的两种载流子,温度越高，载流子的浓度越高，导电能力越强。温度是影响半导体性能的一个重要的外部因素。这是半导体的一大特点。,本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。,本征半导体中电流由两部分组成： 1. 自由电子移动产生的电流。 2. 空穴移动产生
3、的电流。,在本征半导体中掺入少量合适的杂质，就会使半导体的导电性能发生显著变化。,1.1.2 杂质半导体,N 型半导体,磷原子,多余电子,掺入少量的五价元素磷（或锑）,取代，形成共价键,多出一个电子,磷原子成为不能移动的正离子,施主原子,Impurity semiconductor,N 型半导体中的载流子是什么？,1、由施主原子提供的电子，浓度与施主原子相同。,2、本征半导体中成对产生的电子和空穴。,掺杂浓度远大于本征半导体中载流子浓度，所以，自由电子浓度远大于空穴浓度。自由电子称为多数载流子（多子），空穴称为少数载流子（少子）。,Negative,空位,硼原子,空穴,P 型半导体,掺入少量的
4、三价元素硼（或铟）,取代，形成共价键,产生一个空位,吸引束缚电子来填补,受主原子,硼原子成为不能移动的负离子,空穴是多子，电子是少子,Positive,(3)、杂质半导体的示意表示法,P 型半导体,N 型半导体,杂质型半导体多子和少子的移动都能形成电流。但由于数量的关系，起导电作用的主要是多子。,近似认为多子与杂质浓度相等。,小结,4、P型半导体中空穴是多子，自由电子是少子。 N型半导体中自由电子是多子，空穴是少子。,5、半导体的导电能力与温度、光强、杂质浓度 和材料性质有关。,1、半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间。,2、在一定温度下，本征半导体因本征激发而产生自由 电子和空穴对，故其有一
5、定的导电能力。,3、本征半导体的导电能力主要由温度决定； 杂质半导体的导电能力主要由所掺杂质的浓度决定。,一、PN 结的形成,利用掺杂工艺，将P 型半导体和N 型半导体制作在同一块硅片上，在它们的交界面处就形成了PN 结。,1.1.3 PN结,N 型半导体,P 型半导体,PN结,物质因浓度差会产生扩散运动,N区自由电子浓度远高于P区。,P区空穴浓度远高于N区。,自由电子,空穴,空间电荷区，也称耗尽层。,扩散的结果是产生空间电荷区。,内电场E,+,-,在电场力作用下，载流子产生的运动称为漂移运动,自由电子,空穴,最终扩散和漂移这一对相反的运动达到平衡，相当于两个区之间没有电荷运动，空间电荷区的厚
6、度固定不变。,多子的扩散运动,空间电荷区形成内电场,内电场促使少子漂移,内电场阻止多子扩散,总结,因浓度差,由杂质离子形成空间电荷区,达到平衡，空间电荷区宽度固定不变,二、 PN结的单向导电性,PN 结正向偏置,P,N,+,_,外加电源将使扩散运动源源不断的进行，形成正向电流，PN结导通,forward bias,PN 结反向偏置,N,P,+,_,内电场被被加强，多子的扩散受抑制。少子漂移加强，但少子数量有限，只能形成较小的反向电流。PN结截止,R,E,Reverse bias,PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流；,由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。,PN结加反向电压
7、时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流， PN结截止。,总结,Unilateral conductivity,三、PN结VCR方程,PN结两端的外电压u与流过PN结的电流i之间的关系,UT: 温度电压当量， = kT/q，一般取值为26mv； k为玻耳曼常数 T为热力学温度 q为电子电荷量,IS：反向饱和电流,A,B,C,四、PN结的电容效应,1. 势垒电容,PN结外加电压变化时，空间电荷区的宽度将发生变化，有电荷的积累和释放的过程，与电容的充放电相同，其等效电容称为势垒电容Cb。,2. 扩散电容,PN结外加的正向电压变化时，在扩散过程中载流子的浓度及其梯度均有变化，也有电荷的积累和释放的过程
8、，其等效电容称为扩散电容Cd。,结电容：,结电容不是常量！若PN结外加电压频率高到一定程度，则失去单向导电性！,barrier capacity,Diffused capacity,1.2 半导体二极管,阴极引线,阳极引线,semiconductor diode,1.2.1 半导体二极管的结构类型,按结构分类,点接触型,面接触型,平面型,(1) 点接触型二极管,PN结面积小,不能通过较大的电流,结电容小,工作频率高,适用于高频电路和小功率整流,(2) 面接触型二极管,PN结面积大,能通过较大的电流,结电容大,能在低频下工作,一般仅作为整流管使用,合金法,PN结面积可大可小,视结面积的大小用于大
9、功率整流和开关电路中,二极管的电路符号,阳极,阴极,二端无源元件,(3) 平面型二极管,扩散法,半导体二极管图片,1.2.2 半导体二极管的伏安特性曲线,二极管,近似分析时：,(1) 二极管和PN结伏安特性的区别,二极管存在半导体体电阻和引线电阻,二极管表面 漏电流,单向导电性,几点说明,二极管的正向特性,u0,0uUon,Uon,开启电压,正向电流为零,uUon,开始出现正向电流，并按指数规律增长。,二极管的反向特性,u0,U(BR) u0,反向电流很小,u U(BR),反向电流急剧增加,反向饱和电流,反向击穿电压,基本不随反向电压的变化而变化,二极管发生击穿,(2) 不同材料二极管伏安特性
10、的区别,u/V,i,锗材料,硅材料,硅材料PN结平衡时的耗尽层电势比锗材料的大,0.5,1.0,硅管0.60.8V,导通压降,硅管0.1A,反向饱和电流,-10A,锗管0.10.3V,锗管 几十A,(3) 温度对二极管伏安特性的影响,u,i,80,20,正向区：温度升高，曲线左移,反向区：温度升高，曲线下移,1.2.3 半导体二极管的参数,二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。,二极管工作时允许外加的最大反向电压,(1)最大整流电流 IF,与PN结结面积和散热条件有关,(2)最高反向工作电压UR,通常为击穿电压U(BR)的一半,(3)反向电流IR,二极管未被击穿时的反向电流,一般
11、是指最大反向工作电压下的反向电流值。,反向电流越小越好。,UR,1.2.4 二极管的等效电路,二极管是非线性器件，,由二极管构成电路是非线性电路。,分析困难,用线性元件构成的电路来近似模拟二极管的特性,二极管的等效电路,多种等效电路，根据应用要求进行选择,反映了二极管正向特性曲线斜率的倒数。,rd =uD /iD,ID,UD,uD,iD,rd与工作状态有关,二极管的微变等效电路,Q2,Q1,1.微变等效电路,1.微变等效电路,2.由伏安特性折线化得到的等效电路,正向压降为0,反向电流为0,正向压降为U,反向电流为0,直线斜率为1/rd,反向电流为0,U,U,U,rd,理想二极管,U,例1 电路
12、如图所示，试判断二极管是导通还是截止，并求出AO两端电压UAO, 设二极管是理想的。,解：,假设不成立，所以D导通，,相当于导线，,UAO= - 6V,B,C,VB=-6V,VC=-12V,假设二极管不导通,例2 电路如图所示，试判断二极管是导通还是截止，并求出AO两端电压UAO, 设二极管是理想的。,解：,D1导通，,短路,D2截止，,断路,UAO= 0V,假设二极管不导通,VB=-12V,B,C,VC=-15V,D,VD=0V,例3 电路如图所示，设ui=6sint V，试绘出输出电压uo的波形，设D为理想二极管。,解：,ui3V,D截止,uo=ui,ui3V,D导通,uo=3V,单向限幅
13、,A,B,假设二极管不导通,VA=3V,VB= ui,例4 电路如图所示，设ui=6sint V，试绘出输出电压uo的波形，设D为理想二极管。,解：,ui 3V,D1导通、,D2截止,uo=3V,ui-2V,D1截止 、,D2导通,uo=-2V,ui3V,-2V,D1截止,D2截止,uo=ui,双向限幅,A,B,C,VA=3V,VB=-2V,VC= ui,练习 二极管开关电路如图所示，求输出电压VO的值。设D为硅二极管，导通压降为0.7V。,解：,D1导通，,D2截止，,VO=0.7,+0,=0.7V,共阳极，阴极谁低谁导通,共阴极，阳极谁低谁导通,例6 电路如图所示，设ui=6sint V，
14、试绘出输出电压uo的波形，设D为硅二极管，导通压降为0.7V。,解：,ui3.7V,D截止,uo=ui,ui3.7V,D导通,uo=3.7V,VA= ui,VB=3.7V,例7 电路如图所示，设ui=6sint V，试绘出输出电压uo的波形，设D为硅二极管，开启电压Uon=0.5V，电阻rd=200。,解：,ui3.5V,D截止,uo=ui,ui3.5V,D导通,uo=,0.5,+3,ui,-0.5,-3,800,+200,200,=0.2ui +2.8,B,A,VA= ui,VB=3.5V,1.2.5 稳压二极管,稳压二极管是硅材料制成的面接触型晶体二极管。,u,i,曲线越陡，电压越稳定。,
15、UZ,1、稳压管的伏安特性,uUZ时作用同二极管,u增加到UZ 时，稳压管击穿,(a),Voltage-regulation diode,2、稳压管的主要参数,规定的稳压管反向工作电流IZ下，所对应的反向工作电压。,(1)稳定电压 UZ,稳压管低于此值稳压情况变坏，常记作IZmin,(2)稳定电流 IZ,工作在稳压区时，端电压变化量与其电流变化量之比,(3)动态电阻rZ,rZ =UZ /IZ,(4)额定功耗PZM,PZM= UZ IZmax,最大稳定电流,(5)温度系数,表示温度每变化1稳压值的变化量,例1 电路如图所示，设ui=6sint V，试绘出输出电压uo的波形。设DZ为硅稳压二极管，
16、稳定电压为5V, 正向导通压降忽略不计。,解：,ui-3V,D导通,uo= -3V,ui-3V,D截止,uo= ui,2V,2Vui,D反向击穿,uo= 2V,A,B,VB= ui,VA= -3V,例2 稳压管的稳定电UZ=6V, 最小稳定电流IZmin=5mA,最大稳定电流IZmax=25mA, 负载电阻RL=600。求限流电阻R的取值范围。,解：,UO=UZ,=6V,IL=,UO,RL,6,600,=0.01A,=10mA,当IDZ=IZmin=5mA时,IR=IDZ+IL,=5+10,=15mA,R=,UI,-UO,IR,10,-6,15,10-3,=227,当IDZ=IZmax=25m
17、A时,IR=,25+10,=35mA,10,-6,35,10-3,=114,R=114227,1.3 晶体三极管,管中有两种不同极性的载流子参与导电， 所以又称做双极型晶体管,由两个 PN 结组合而成，是一种CCCS器件,BJT,Crystal triode,较薄，掺杂浓度低,面积很大,掺杂浓度很高,集电结,发射结,NPN型,P,N,N,发射区,集电区,基区,基极b,发射极e,集电极c,1.3.1 晶体管的结构及类型,emitter,base,collector,我国晶体管的型号命名方法,3AX81,以 NPN 型三极管为例讨论,三极管若实现放大，必须从三极管内部结构和外部所加电源的极性来保证
18、。,不具备放大作用,1.3.2 晶体管的电流放大作用,三极管内部结构要求：,N,N,P,e,b,c,1. 发射区高掺杂。,2. 基区做得很薄。通常只有几微米到几十微米，而且掺杂较少。,外加电源的极性应使发射结处于正向偏置状态，而集电结处于反向偏置状态。,3. 集电结面积大。,三极管放大的外部条件：,VBB,共射放大电路,电流单位：mA,35,37.5,38.3,38.8,39.5,一、晶体管内部载流子的运动,少数载流子的运动,发射区多子浓度高，大量电子从发射区扩散到基区,基区薄且多子浓度低，极少数扩散到基区的电子与空穴复合,集电区面积大，在外电场作用下大部分扩散到基区的电子漂移到集电区,基区空
19、穴的扩散,二、晶体管的电流分配关系,扩散运动形成发射极电流IE,复合运动形成基极电流IB,漂移运动形成集电极电流IC,IE=IC+IB,IE= IEN+ IEP =ICN + IBN + IEP,IC = ICN + ICBO,三、晶体管的共射电流放大系数,共射直流电流放大系数,共射交流电流放大系数,不太大时，可认为,一、输入特性曲线,为什么UCE增大曲线右移？,对于小功率晶体管，UCE大于1V的任何一条输入特性曲线可以近似UCE大于1V的所有曲线。,为什么像PN结的伏安特性？,为什么UCE增大到一定值曲线右移就不明显了？,1.3.3 晶体管的共射特性曲线,对应于一个IB就有一条iC随uCE变
20、化的曲线。,为什么uCE较小时iC随uCE变化很大？,二、输出特性曲线,为什么进入放大状态曲线几乎是横轴的平行线？,输出特性曲线可以分为三个区域:,iB=0， iC0,截止区,饱和区,放大区,截止区,发射结电压小于开启电压集电结反偏,uBEUon ,且uCE uBE,晶体管C、E之间相当于开路,放大区,输出特性曲线可以分为三个区域:,放大区,发射结正偏集电结反偏,uBE Uon ,且uCE uBE,曲线基本平行等距。,输出曲线具有恒流特性,饱和区,输出特性曲线可以分为三个区域:,饱和区,发射结正偏集电结正偏,uBE Uon ,且uCEuBE,iC不仅与iB有关，而且明显随uCE的增大而增大,u
21、CE=uBE,临界状态,直流参数、交流参数、极限参数,一、直流参数,1.共射直流电流放大系数,2.共基直流电流放大系数,3.集电极基极间反向饱和电流ICBO,集电极发射极间的穿透电流ICEO,1.3.4 晶体管的主要参数,二、交流参数,1.共发射极交流电流放大系数 =iC/iBUCE=const,2. 共基极交流电流放大系数 =iC/iE UCB=const,3.特征频率 fT,值下降到1的信号频率,1.最大集电极耗散功率PCM,PCM= iCuCE,三、 极限参数,2.最大集电极电流ICM,3. 极间反向击穿电压,UCBO发射极开路时的集电结反向击穿电压。,U EBO 集电极开路时发射结的反
22、向击穿电压。,UCEO 基极开路时集电极和发射极间的击穿电压。,由PCM、 ICM和UCEO在输出特性曲线上可以确定过损耗区、过电流区和击穿区。,PCM= iCuCE,UCEO,UCE/V,ICM,1.3.5温度对晶体管特性及参数的影响,一、温度对ICBO的影响,温度每升高10C， ICBO增加约一倍。反之，当温度降低时ICBO减少。,二、温度对输入特性的影响,温度升高时正向特性左移，反之右移,三、温度对输出特性的影响,温度升高将导致 IC 增大,温度对输出特性的影响,例1现已测得某电路中几只NPN型晶体管三个极的直流电位如表所示，各晶体管b-e间开启电压Uon均为0.5V。试说明每个管子的工
23、作状态。,例2 某放大电路中的三极管如图。 已知IA-2mA, IB-0.04mA, IC+2.04mA, 试判断管脚、管型。,解：电流判断法。电流的正方向和KCL。IE=IB+ IC,A,B,C,IA,IB,IC,C为发射极B为基极A为集电极。管型为NPN管。,例3判断图所示电路中的晶体管是否有可能工作在放大状态。,VE =- 6V,VBVE,有可能,NPN,VE =0,VB0,即 VBVE,不可能,PNP,1.4 场效应管,利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流,Field Effect Transistor,简称FET,BJT,（三极管）,电流控制元件,(iB iC),工作时，多数载流
24、子和少数载流子都参与运行，所以被称为双极型器件。,工作时，只有一种载流子（多子）参与导电，因此它是单极型器件。,特点：输入电阻极高，噪声低，热稳定性好，抗辐射能力强，耗电省，集成工艺简单。,应用：大规模、超大规模集成电路。,N沟道,N沟道,耗尽型,N沟道,增强型,P沟道,分类：,绝缘栅型场效应管,结型场效应管,P沟道,P沟道,栅极g,N,N型半导体为基底,高掺杂的P型半导体,导电沟道,耗尽层,1.4.1 结型场效应管Junction Field Effect Transistor,结构,符号,1.4.1 结型场效应管Junction Field Effect Transistor,结构,在漏极
25、和源极之间加上一个正向电压，N 型半导体中多数载流子电子可以导电。,导电沟道是 N 型的，称 N 沟道结型场效应管。,P 沟道场效应管,P 沟道结型场效应管结构图,在 P 型硅棒的两侧做成高掺杂的 N 型区(N+)，导电沟道为 P 型，多数载流子为空穴。,一、结型场效应管工作原理,N 沟道结型场效应管用改变 uGS 大小来控制漏极电流 iD 的。(VCCS),*在栅极和源极之间加反向电压，耗尽层会变宽，导电沟道宽度减小，使沟道本身的电阻值增大，漏极电流 iD 减小。,1. 当uDS = 0 时， uGS 对导电沟道的控制作用,耗尽层很窄，导电沟道很宽,耗尽层逐渐加宽，导电沟道相应变窄。,耗尽层
26、闭合，导电沟道被夹断。,UGS(off)为夹断电压，为负值。,一、结型场效应管工作原理,uGD = UGS(off)？,R,2. uGS为UGS(off)0中一固定值时, uDS 对漏极电流iD的影响。,导电沟道由uGS确定， iD =0,(b) uDS 由零逐渐增加,iD随uDS的增大而线性增大，d-s呈现电阻特性；导电沟道从s极到d极逐渐变宽,iD决定于uDS,uGD= uGS -uDS,漏极一边的耗尽层出现夹断区，称uGD = UGS(off)为预夹断,夹断区加长，iD 几乎仅决定于uGS，表现出恒流特性,uDS,uGD,iD决定于uGS,3.当uGD UGS(off)时 , uGS 对
27、漏极电流iD的控制作用,场效应管为电压控制元件(VCCS)。,3.当uGD UGS(off)时 , uGS 对漏极电流iD的控制作用,在uGD uGS(off)，且为一常量时，对应于确定的uGS ，就有确定的iD。,uDS的增大，几乎全部用来克服沟道的电阻，iD几乎不变，进入恒流区，iD几乎仅仅决定于uGS。,(1) 在uGD uGS(off)情况下, 对应于不同的uGS ，d-s间等效成,(2)当uDS使uGDuGS(off)时，d-s之间预夹断,(3)当uGDuGS(off)时， iD几乎仅仅决定于uGS ，而与uDS 无关。此时可把iD近似看成uGS控制的电流源。,小结,不同阻值的电阻。
28、,1. 输出特性曲线,恒流区,可变电阻区,场效应管三个工作区：可变电阻区、恒流区和夹断区。,夹断区,击穿区,uGD uGS(off),uGD uGS(off),uGS uGS(off),uGD= uGS(off),二、结型场效应管的特性曲线,夹断电压,iD几乎仅决定于uGS,uGS 控制d-s的等效电阻,2. 转移特性(恒流区),两个重要参数,饱和漏极电流 IDSS(uGS = 0 时的 iD),夹断电压 UGS(off) (iD = 0 时的 UGS),代替恒流区的所有曲线,结型P 沟道的特性曲线,转移特性曲线,输出特性曲线,由金属、氧化物和半导体制成。称为金属-氧化物-半导体场效应管，或简
29、称 MOS 场效应管。,特点：输入电阻可达1010(有资料介绍可达1014）以上。,N 沟道增强型,1.4.2绝缘栅型场效应管MOSFET,N 沟道耗尽型,d (Drain): 漏极，相当c g (Gate): 栅极，相当b s (Source): 源极，相当eB (Substrate):衬底,一、N沟道增强型MOS管,N沟道增强型MOS管拓扑结构左右对称，是在一块浓度较低的P型硅上生成一层SiO2 薄膜绝缘层，然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的N型区， 从N型区引出电极作为d和s，在绝缘层上镀一层金属铝并引出一个电极作为g。,1. 结构,2. 工作原理,(a) uGS=0时，漏源之间相当两个背靠
30、背的 二极管，在d、s之间加上电压，不管uDS极性如何，其中总有一个PN结反向，所以不存在导电沟道。 uGS =0， iD =0uGS必须大于0管子才能工作。,（1）栅源电压uGS的控制作用,（b）当栅极加有电压时，若0uGSUGS(th) （ UGS(th)称为开启电压)时:在Sio2介质中产生一个垂直于半导体表面的电场，排斥P区多子空穴而吸引少子电子。 但由于电场强度有限，吸引到绝缘层的少子电子数量有限，不足以形成沟道，将漏极和源极沟通，所以不可能以形成漏极电流ID。,0uGSUGS(th) ， ID=0,(c)进一步增加uGS，当uGSUGS(th) :由于此时的栅极电压已经比较强，栅极
31、下方的P型半导体表层中聚集较多的电子，将漏极和源极沟通，形成沟道。如果此时uDS0，就可以形成漏极电流iD。在栅极下方导电沟道中的电子，因与P型区的载流子空穴极性相反，故称为反型层。随着uGS的继续增加，反型层变厚，iD增加。,uGS 0 g吸引电子 反型层 导电沟道uGS 反型层变厚 uDS iD ,（2）漏源电压uDS对漏极电流iD的控制作用,（a）若uGSUGS(th)且固定为某一值:uDS=uDGuGS=uGDuGSuGD=uGSuDSuDS为0或较小时， uGD=uGSuDS UGS(th)，此时uDS 基本均匀降落在沟道中，沟道呈斜线分布。这时iD随uDS增大。,uDS iD ,u
32、DSuGS-UGS(th),（b）当uDS增加到使uGD=UGS(th)：,uDS=uGS-UGS(th),靠近漏极的沟道被夹断，这相当于uDS增加使漏极处沟道缩减到刚刚开启的情况，称为预夹断。,uDS iD 不变,（c）当uDS增加到uGDUGS(th)：预夹断区域加长，向s极延伸。 uDS增加的部分基本降落在随之加长的夹断沟道上， iD基本趋于不变,uDSuGS-UGS(th),uGS为大于UGS(th)的某一值时, uDS对iD的影响,可变电阻区,预夹断,恒流区,(a) 转移特性曲线,UGS UT ，iD = 0；,UGS UT，形成导电沟道，随着 UGS 的增加，iD 逐渐增大。,三个
33、区：可变电阻区、恒流区、夹断区。,(b) 输出特性,3.特性曲线,（N沟道增强型MOS管）,工作条件：UDS 0；UGS 正、负、零均可,N 沟道耗尽型 MOS 场效应管,三个区：可变电阻区、恒流区、夹断区。,各类场效应管的符号和特性曲线,1.4.3场效应管的主要参数,一、直流参数,饱和漏极电流 IDSS,2. 夹断电压 UGS(off),3. 开启电压 UT 或UGS(th),4. 直流输入电阻 RGS,结型场效应管一般在 107 以上，绝缘栅场效应管一般大于 109 。,二、交流参数,1. 低频跨导 gm,2. 极间电容,用以描述栅源之间的电压 uGS 对漏极电流 iD 的控制作用,单位：
34、iD 毫安(mA)；uGS 伏(V)；gm 毫西门子(mS),极间电容愈小，则管子的高频性能愈好。一般为几个皮法。,三、极限参数,3. 漏极最大允许耗散功率 PDM,2.漏源击穿电压 U(BR)DS,4. 栅源击穿电压U(BR)GS,由场效应管允许的温升决定。漏极耗散功率转化为热能使管子的温度升高。,当漏极电流 ID 急剧上升产生雪崩击穿时的 UDS 。,正常工作时，栅源间 PN 结处于反偏状态，若UGS U(BR)GS ，PN 将被击穿,1.最大漏极电流IDM,第一章 半导体器件,晶体管,场效应管,结构,NPN型、PNP型,结型耗尽型 N沟道 P沟道,绝缘栅增强型 N沟道 P沟道,绝缘栅耗尽型 N沟道 P沟道,c与e一般不可倒置使用,d与s有的型号可倒置使用,载流子 多子扩散少子漂移 多子运动,输入量 电流输入 电压输入,控制,电流控制电流源CCCS(),电压控制电流源VCCS(gm),1.4.4 场效应管与晶体管的比较,
