《半导体ESD模型和测试标准ppt课件.ppt》由会员分享，可在线阅读，更多相关《半导体ESD模型和测试标准ppt课件.ppt（115页珍藏版）》请在三一办公上搜索。
1、http:/,ESD模型及有关测试,1、ESD模型分类2、HBM和MM测试方法标准3、 CDM模型和测试方法标准4、 EIC模型和测试方法标准5、 TLP及其测试方法6、拴锁测试7、 I-V测试8、标准介绍,1、ESD模型分类,因ESD产生的原因及其对集成电路放电的方式不同，经过统计，ESD放电模型分下列四类:(1) 人体放电模式 (Human-Body Model, HBM)(2) 机器放电模式 (Machine Model, MM)(3) 组件充电模式 (Charged-Device Model, CDM)(4) 电场感应模式 (Field-Induced Model, FIM)另外还有两
2、个测试模型：(5)对于系统级产品测试的IEC电子枪空气放电模式(6)对于研究设计用的TLP模型,人体放电模式 (Human-Body Model, HBM),人体放电模式(HBM)的ESD是指因人体在地上走动磨擦或其它因素在人体上已累积了静电，当此人去碰触到IC时，人体上的静电便会经由IC的脚(pin)而进入IC内，再经由IC放电到地去，如图2.1-1(a)所示。此放电的过程会在短到几百毫微秒(ns)的时 间内产生数安培的瞬间放电电流，此电流会把IC内的组件 给烧毁。 不同HBM静电电压相对产生的瞬间放电电流与时间的关系 显示于图2.1-1(b)。对一般商用IC的2-KV ESD放电电压而言，
3、其瞬间放电电流的尖峰值大约是1.33 安培。,机器放电模式 (Machine Model, MM),有关于HBM的ESD已有工业测试的标准：图显示工业标准 (MIL-STD-883C method 3015.7)的等效电路图，其中人体的 等效电容定为100pF，人体的等效放电电阻定为1.5K。表是国际电子工业标准(EIA/JEDEC STANDARD) 对人体放电模式订定测试规范(EIA/JESD22-A114-A),机器放电模式 (Machine Model, MM),机器放电模式的ESD是指机器(例如机械手臂)本身累积了静电，当此机器去碰触到IC时，该静电便经由IC的pin放电。因为机器是
4、金属，其等效电阻为0，其等效电容为200pF。由于机器放电模式的等效电阻为0，故其放电的过程更短，在几毫微秒到几十毫微秒之内会有数安培的瞬间放电电流产生。此机器放电模式工业测试标准为 EIAJ-IC-121 method20，其等效电路图和等级如下：,机器放电模式 (Machine Model, MM),2-KV HBM与200-V MM的放电比较如图，虽然HBM的电压2 KV比MM的电压200V来得大，但是200-V MM的放电电流却比2-KV HBM的放电电流来得大很多，放电电流波形有上下振动(Ring)的情形，是因为测试机台导线的杂散等效电感与电容互相耦合而引起的。因此机器放电模式对IC
5、的破坏力更大。国际电子工业标准 (EIA/JEDEC STANDARD) 亦对此机器放电模式订定测试规范 (EIA/JESD22-A115-A),组件充电模式 (Charged-Device Model, CDM),此放电模式是指IC先因磨擦或其它因素而在IC内部累积了静电，但在静电累积的过程中IC并未被损伤。此带有静电的IC在处理过程中，当其pin去碰触到接地面时，IC内部的静电便会经由pin自IC内部流出来，而造成了放电的现象。 此种模式的放电时间更短，仅约几毫微秒之内，而且放电现象更难以真实的被模拟。,组件充电模式 (Charged-Device Model, CDM),CDM模式ESD
6、可能发生的情形显示：(1) IC自IC管中滑出后，带电的IC脚接触接到地面而形成放电现象。(2) IC自IC管中滑出后，IC脚朝上，但经由接地的金属工具 而放电。 (1) (2),组件充电模式 (Charged-Device Model, CDM),IC内部累积的静电会因IC组件本身对地的等效电容而变，IC摆放角度与位置以及IC所用包装型式都会造成不同的等效电容。此电容值会导致不同的静电电量累积于IC内部。,电场感应模式 (Field-Induced Model, FIM),FIM模式的静电放电发生是因电场感应而起的。当IC因输送带或其它因素而经过一电场时，其相对极性的电荷可能会自一些IC脚而
7、排放掉，等IC通过电场之后，IC本身便累积了静电荷，此静电荷会以类似CDM的模式放电出来。有关FIM的放电模式早在双载子(bipolar)晶体管时代就已被发现，现今已有工业测试标准。国际电子工业标准(EIA/JEDEC STANDARD) 中亦有此电场感应模式订定测试规范 (JESD22-C101) 。,IEC电子枪空气放电模式,主要是接触式放电和非接触式放电8kV air discharge4kV contact mode for most products6kV contact for medical devices,TLP模型,为了研究ESD防护器件的工作特性，了解ESD脉冲来的时候，落
8、在ESD防护器件上的电压电流，包括开启的电压和ESD脉冲持续期间的ESD防护器件的每个点的电压电流，也就是触发电压电流、回退电压电流和二次崩溃电压电流等。为了达到上述目的，就要将ESD脉冲离散化。这就是用TLP的矩形脉冲模拟HBM的放电脉冲和放电行为。TLP脉冲上升时间和HBM一致，TLP矩形脉冲脉宽西面的能量与HBM能量一致。,HBM, MM与CDM模型参数比较,2KV HBM, 200V MM, 与1KV CDM的放电电流比较，其中1KV CDM的放电电流在不到1ns的时间内，便已冲到约15安培的尖峰值，但其放电的总时段约在10ns的时间内便结束。此种放电现象更易造成集成电路的损伤。,HB
9、M, MM与CDM比较,2、HBM和MM测试方法标准,HBM测试方法及标准1.ANSI-STM5.1-2001 JESD22-A114D -2005 AEC-Q100-002D -20032.该标准用于明确HBM模式下的ESD电压敏感度的测试、评价以及分级过程3.整个测试过程繁琐，尤其对仪器及脉冲波形的校验工作，但非常必要4. ESD测试中，器件不在工作状态,2、HBM和MM测试方法标准,一些比较重要的概念:（1）器件失效(component failure)：当器件不再符合厂商或用户提供的器件动态和静态特性参数（2）ESD敏感度(sensitivity):引起器件失效的ESD等级(level
10、)（3）ESD耐受电压(withstand voltage)：在不引起器件失效前提下的最大ESD等级（4）步进耐压增强(Step stress test hardening):在步进增加的测试电压下，器件的耐受电压的现象,2、HBM和MM测试方法标准,用于验证脉冲电流波形的仪器：示波器、连个电阻负载和一个电流传感器。具体指标：示波器：分辨率100mA/1cm、带宽350MHz、1cm/ns的显示输出速度；负载电阻：Load1:短路线， Load2：500ohm电流探针：带宽 350MHz，峰值电流12A，上升时间小于1ns,仪器和脉冲波形检测和校准初次使用时检测例行检测维修后检测测试版或引脚插
11、槽更换或移动后检测记录波形(用于对比和校验)新机器老机器,2、HBM和MM测试方法标准,测试板的校验程序：（1）测试板上所有引脚的电气连贯性（2）对于新安装的测试板 找出测试板上离脉冲发生器最近的一个引脚，将其作为参考节点连接到B端。其他所有引脚依次连接到A端，并且在AB间接入短接线。使用正负1000V的脉冲电压在AB端，观察波形，经过所有引脚对的电流波形必须符合如图波形,2、HBM和MM测试方法标准,HBM测试方法及标准1.ANSI-STM5.1-2001 JESD22-A114D -2005 AEC-Q100-002D -20032.该标准用于明确HBM模式下的ESD电压敏感度的测试、评价
12、以及分级过程3.整个测试过程繁琐，尤其对仪器及脉冲波形的校验工作，但非常必要4. ESD测试中，器件不在工作状态,对于尾波校准,2、HBM和MM测试方法标准,2、HBM和MM测试方法标准,2、HBM和MM测试方法标准,2、HBM和MM测试方法标准,2、HBM和MM测试方法标准,HBM和MM测试方法,所有管脚（一次一根）对（第X组）接地管脚（接地）所有管脚（一次一根）对（第y组）电源管脚（接地）所有I/O管脚（一次一根）对所有其他I/O管脚（接地）NC管脚依美军标MIL-883不测试依民标ESDA/JEDEC/AEC均要求测试 在每一测试模式下，IC的该测试脚先被打上(Zap)某一ESD电压，而
13、且在同一ESD电压下，IC的该测试脚必须要被Zap三次，每次Zap之间的时间间隔约一秒钟，Zap三次之后再观看该测试脚是否己被ESD所损坏，若IC尚未被损坏则调升ESD的电压，再Zap三次。此ESD电压由小而逐渐增大，如此重复下去，直到该IC脚己被ESD所损坏，此时造成IC该测试脚损坏的ESD测试电压称为静电放电故障临界电压 (ESD failure threshold)。,HBM/MM测试内容,如果每次调升的ESD测试电压调幅太小，则测试到IC脚损坏要经过多次的ESD放电，增长测试时间; 若每次调升的ESD测试电压太大，则难以较精确测出该IC脚的ESD耐压能力。规定：正负极性均要测试从低压测
14、到高压，起始电压为70%的平均ESD failure threshold (VESD)步进当小于1000V时步进50V(100V)，大于1000V时步进100V(250V, 500V)可以是一个管脚步进测量或者所有管脚扫描测量,HBM/MM测量方法,最短间隔时间和测试次数,上述测试的方法在MM/CDM中都是相同的,每一脚都有ESD failure threshold。此颗IC的ESD failure threshold定义为所有IC脚中ESD failure threshold最小的那个电压值，因此，该颗IC的ESD failure threshold仅达500V。IC制程特性有时会有小幅的(
15、10%) 漂移，所以在相同批次IC中随机取样至少大于5颗。,3、CDM模型和测试方法标准,3、CDM模型和测试方法标准,3、CDM模型和测试方法标准,3、CDM模型和测试方法标准,3、CDM模型和测试方法标准,3、CDM模型和测试方法标准,3、CDM模型和测试方法标准,3、CDM模型和测试方法标准,System level(系统级) is also named as on-board level (电路板级) 。主要是接触式放电和非接触式放电8kV air discharge4kV contact mode for most products6kV contact for medical de
16、vices,4、 EIC模型和测试方法标准,4、 EIC模型和测试方法标准,4、 EIC模型和测试方法标准,4、 EIC模型和测试方法标准,System level ESD test Cause EMC and latch-up,TFT Panel ESD,5、 TLP及其测试方法,5、 TLP及其测试方法,目前的TLP生产厂家有：美国Barth 电子公司：Barth是世界上最早（60年代）从事TLP产品的公司，其产品以经典、稳定、可靠著称，目前其产品占据全球75以上市场。主要是Barth4002TLP和Barth4012VF-TLP美国Thermo keytek仪器公司： Thermo ke
17、ytek是全球测试仪器的老牌巨头。主要是HBM/MM tester的MK2和ZAP MASTER，以及CDM tester.美国Oryx公司日本Hanwa公司价格上从贵到便宜是：BarthOryxThermo keytekHanwa稳定可靠性从高到低是：BarthOryxThermo keytekHanwa标称值上从高到低：Thermo keytekOryxHanwaBarth从操作界面说HanwaOryxThermo keytek Barth从使用的用户调查来看：TSMC、UMC前前后后都是使用的是Barth的TLP，而ESD/Lartch-up基本上使用的是Keytech的， SMIC、H
18、HNEC、宜硕以及广州五所使用的是Barth 4002和Keytech的ESD/Lartch-up。 ，GRACE宏利使用的是Oryx。,目前业界认可的数据：Barth 4002B TLP对于更快脉波测试使用：Keytech 4012B TLP,TLP测试标准,5、 TLP及其测试方法,5、 TLP及其测试方法,5、 TLP及其测试方法,各种测试的校准和比对性,实际上使用TLP/HBM等的结果很多情况下是不一致的，即使一样的设备和测试方法有时候重复性也不是很好。ESDA：硬盘驱动IC、音频IC、数据通信接口IC、汽车电子IC，0.9、1.2、1.5工艺一般：TLP的IT21500HBMMM(9
19、-10)HBMIEC(1300-2000)HBM栅氧ESD击穿电压1.2栅氧静态击穿电压*栅氧击穿场强栅氧厚度静态击穿电压,TLP和HBM 也会产生不同的失效机理1.3A HBM：drain区多晶硅filament和Si熔化 1.5A TLP：D-S filament,6、拴锁测试,6、拴锁测试,6、拴锁测试,6、拴锁测试,使用curve tracter测试拴锁,6、拴锁测试,7、 I-V测试,使用HP4155/4156C使用KIELITHY4200B测试方法略,8、ESD测试标准和分类,根据ESD模式分类HBM测试标准MM测试标准CDM测试标准根据提出标准的组织分类JESD22系列，JEDEC Solid State Technology Association (Joint Electron Device Engineering Council)提出ANSI-ESDSTM5.X系列，ESDA协会提出AEC-Q100系列，汽车电子委员会Automotive Electronics Council提出MIL-STD-883E系列，美国军方国防部提出HBM测试特点HBM测试标准基本上是依据美国军方测试标准MIL-STD-883E改进而成HBM和MM测试方法差不多CDM测试方法和测试仪器与前两者差别大,
