《计算机维修技术 第2版》PPT电子教案第06章内存系统故障维修.ppt

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1、第6章 内存系统故障维修,6.1 存储器类型与组成6.2 存储单元工作原理【重点】6.3 内存芯片工作原理6.4 内存主要技术性能【重点】6.5 内存条基本设计6.6 内存条接口与信号6.7 内存故障分析与处理,主讲:XX老师,第6章 内存系统故障维修,第2页 共41页,6.1 存储器类型与组成,6.1.1 存储器的类型 DRAM:DDR2/DRR3 内存 SRAM:CPU内部Cache存储器 半导体:闪存(SSD/U盘)外存 磁介质:HDD 光介质:CD-RAM/DVD/BD,主讲:XX老师,第6章 内存系统故障维修,第3页 共41页,6.1 存储器类型与组成,6.1.1 存储器的类型传统内

2、存定义:直接与CPU进行数据交换的存储器称为内存,不能直接与CPU进行数据交换的存储器称为外存。本书内存定义:采用DRAM芯片构成的存储系统,它由安装在主板上的内存条组成。,主讲:XX老师,第6章 内存系统故障维修,第4页 共41页,6.1 存储器类型与组成,6.1.1 存储器的类型,主讲:XX老师,第6章 内存系统故障维修,第5页 共41页,6.1 存储器类型与组成,6.1.1 存储器的类型外存材料和原理更加多样化。外存要求:容量大,价格便宜,断电后数据不会丢失。外存类型:半导体材料,如SSD、U盘、CF卡等;磁介质材料,如硬盘、软盘、磁带机等;光介质材料,如CD-ROM、DVD-ROM、B

3、D-ROM等,主讲:XX老师,第6章 内存系统故障维修,第6页 共41页,6.1 存储器类型与组成,6.1.2 半导体存储技术发展CMOS工艺制造的DRAM,只需要1个晶体管和1个电容就可以存储1位数据。内存芯片制程工艺达到了45nm线宽。单内存芯片存储容量达到了2Gbit。DRAM与SRAM的性能差别在缩小。SRAM是对晶体管锁存器进行读写。DRAM是对存储器电容进行读写。,主讲:XX老师,第6章 内存系统故障维修,第7页 共41页,6.1 存储器类型与组成,6.1.3 内存基本类型JEDEC制定了一系列的内存技术标准。SDRAM可以实现与CPU的同步工作,因此称为“同步动态存储器”。SDR

4、AM属于DRAM,它不是SRAM。SDRAM内部有几个P-Bank(物理存储阵列组),通过多个存储阵列组的切换,读写数据的效率得到了成倍提高。,主讲:XX老师,第6章 内存系统故障维修,第8页 共41页,6.1 存储器类型与组成,6.1.3 内存基本类型DDR在时钟上升和下降沿都可传输数据。SDRAM仅在时钟下降沿传输数据。一般将DDR SDRAM内存统称为DDR内存。,主讲:XX老师,第6章 内存系统故障维修,第9页 共41页,6.1 存储器类型与组成,6.1.4 内存组成形式不同标准的内存条,外观上并没有太大区别,但它们的工作电压、引脚数量、功能定义和定位口位置不同,互相不能兼容。,DDR

5、内存,主讲:XX老师,第6章 内存系统故障维修,第10页 共41页,6.1 存储器类型与组成,6.1.4 内存组成形式,DDR内存,主讲:XX老师,第6章 内存系统故障维修,第11页 共41页,6.1 存储器类型与组成,6.1.4 内存组成形式SPD是一个8引脚、TSOP封装、容量为256字节的EEPROM芯片,工作频率多为100kHz。SPD芯片记录了内存的类型、工作频率、芯片容量、工作电压、各种主要操作时序、版本等技术参数。,主讲:XX老师,第6章 内存系统故障维修,第12页 共41页,6.1 存储器类型与组成,6.1.4 内存组成形式,内存时钟频率获取,主讲:XX老师,第6章 内存系统故

6、障维修,第13页 共41页,6.1 存储器类型与组成,6.1.4 内存组成形式内存条金手指镀金厚度为0.4m1.3m,据测试,0.4m的镀金厚度插拔200次,1.3m的镀层可以插拔2000次左右。,金手指,主讲:XX老师,第6章 内存系统故障维修,第14页 共41页,6.1 存储器类型与组成,6.1.5 内存芯片封装形式封装形式:DIP、TSOP、BGADDR3内存采用FBGA封装形式,主讲:XX老师,第6章 内存系统故障维修,第15页 共41页,6.2 存储单元工作原理,6.2.1 DRAM存储单元工作原理,内存条基本组成,主讲:XX老师,第6章 内存系统故障维修,第16页 共41页,6.2

7、 存储单元工作原理,6.2.1 DRAM存储单元工作原理DRAM存储单元的工作原理类似于一个水桶中的浮动开关。高位为“1”低位为“0”水桶总是漏水,主讲:XX老师,第6章 内存系统故障维修,第17页 共41页,6.2 存储单元工作原理,6.2.1 DRAM存储单元工作原理晶体管M控制电容CS的充电和放电,电容CS用于存储数据。电容CS有电荷时,存储单元为逻辑1;电容CS没有电荷时,存储单元为逻辑0。,主讲:XX老师,第6章 内存系统故障维修,第18页 共41页,6.2 存储单元工作原理,6.2.1 DRAM存储单元工作原理动态刷新是周期性的对DRAM中的数据进行读出、放大、回写操作。DDR内存

8、刷新周期为64ms左右。,主讲:XX老师,第6章 内存系统故障维修,第19页 共41页,6.2 存储单元工作原理,6.2.2 SRAM存储单元工作原理SRAM工作原理类似于一个开关。开=“1”;关=“0”一个SRAM存储单元 由6个MOS晶体管组成。,主讲:XX老师,第6章 内存系统故障维修,第20页 共41页,6.3 内存芯片工作原理,6.3.1 内存芯片电路结构DDR内存芯片组成:存储阵列、逻辑控制单元、地址总线、数据输入/输出总线、刷新计数器、数据掩码逻辑单元、数据选取脉冲发生器、延迟锁定环路等。,主讲:XX老师,第6章 内存系统故障维修,第21页 共41页,6.3 内存芯片工作原理,6

9、.3.2 内存芯片存储阵列结构存储阵列:存储单元以“位”的形式进行存储,由于“位”不便于微机处理,因此内存芯片采用“存储阵列”(Bank)结构。存储单元寻址:在存储阵列中查找数据的方法与表格检索方法相同,先指定一个行,再指定一个列,根据行号和列号就可以准确地找到所需要的存储单元。,主讲:XX老师,第6章 内存系统故障维修,第22页 共41页,6.3 内存芯片工作原理,6.3.2 内存芯片存储阵列结构,主讲:XX老师,第6章 内存系统故障维修,第23页 共41页,6.3 内存芯片工作原理,6.3.4 内存寻址过程北桥芯片中的内存控制器先确定在内存条中有几个P-Bank的芯片集合(大部分内存条为1

10、个P-Bank),然后才对内存芯片进行寻址。P-Bank:构成64bit位宽的一组内存芯片。内存芯片一般采用地址复用技术,也就是行地址和列地址采用同一组地址线。,主讲:XX老师,第6章 内存系统故障维修,第24页 共41页,6.3 内存芯片工作原理,6.3.4 内存寻址过程行地址确定之后,就对列地址进行寻址。列地址寻址信号与读写命令可以同时发出。RAS#:行地址选通CAS:列地址选通,主讲:XX老师,第6章 内存系统故障维修,第25页 共41页,6.3 内存芯片工作原理,6.3.5 内存数据读取与写入CL(列地址选通潜伏期):从列地址选通与读取命令发出,到第一次数据输出的时间。内存读操作:顺序

11、读、随机读、突发读、读-写、读-预充电、读-状态中止等。内存写操作:写-写、随机写、突发写、写到读、写到预充电、写固定长度或写全页等。,主讲:XX老师,第6章 内存系统故障维修,第26页 共41页,6.3 内存芯片工作原理,6.3.6 内存刷新工作原理定时对存储单元中的电容进行充电的过程称为“动态刷新”。在充电过程中,存储单元不能被访问。刷新由芯片内部自动操作,不需要寻址。标准刷新时间间隔是64ms。,主讲:XX老师,第6章 内存系统故障维修,第27页 共41页,6.3 内存芯片工作原理,6.3.6 内存刷新工作原理DRAM的读操作是一个放电过程,原本逻辑状态为“1”的电容在读取操作后,会因为

12、放电而变为逻辑0。对数据进行重写由S-AMP(读出放大器)来完成。写操作是一种充电过程。,主讲:XX老师,第6章 内存系统故障维修,第28页 共41页,6.4 内存主要技术性能,6.4.1 内存时钟周期提高内存性能的方法:提高内存工作频率;减少各种内存操作中的延迟。内存有内部时钟和外部时钟。DDR2内存采用了差分时钟技术。DDR内存在时钟脉冲的上升沿和下降沿都可以传输数据。,主讲:XX老师,第6章 内存系统故障维修,第29页 共41页,6.4 内存主要技术性能,6.4.1 内存时钟周期DDR2内存在100MHz的内部时钟频率下,外部时钟频率达到了200MHz,数据传输频率达到了400MHz。,

13、主讲:XX老师,第6章 内存系统故障维修,第30页 共41页,6.4 内存主要技术性能,6.4.2 内存主要技术参数tCK(时钟周期):决定内存工作频率。CL(列地址选通潜伏期):决定列寻址到数据被读取所花费的时间。tRCD(从行地址转换到列地址的延迟):决定行寻址有效至读/写命令列寻址之间的时间。tRP(行预充电有效周期):决定在同一L-Bank中不同工作行转换的时间。,主讲:XX老师,第6章 内存系统故障维修,第31页 共41页,6.4 内存主要技术性能,6.4.2 内存主要技术参数内存延迟一般用“A-B-C”的形式表示,它们对应的参数是:CL-tRCD-tRP,如4-4-4。,主讲:XX

14、老师,第6章 内存系统故障维修,第32页 共41页,6.4 内存主要技术性能,6.4.4 数据突发传输长度突发:在同一行中相邻的存储单元连续进行数据传输的方式,连续传输的存储单元(列)数量就是突发长度(BL)。内存突发长度BL一般为4或8。,主讲:XX老师,第6章 内存系统故障维修,第33页 共41页,6.4 内存主要技术性能,6.4.4 数据突发传输长度,内存测试参数,主讲:XX老师,第6章 内存系统故障维修,第34页 共41页,6.5 内存条基本设计,6.5.1 内存条的类型Unb-DIMM(无缓冲型双列直插式内存模组):市场使用最多的内存条标准。,Unb-DIMM DDR3-2000台式

15、机内存条,主讲:XX老师,第6章 内存系统故障维修,第35页 共41页,6.5 内存条基本设计,6.5.1 内存条的类型 SO-DIMM(小外型内存模组):笔记本微机使用。,SO-DIMM DDR2 2GB笔记本内存条,主讲:XX老师,第6章 内存系统故障维修,第36页 共41页,6.5 内存条基本设计,6.5.1 内存条的类型Reg-DIMM(寄存器型内存模组):用于服务器,几乎都是ECC型。,ECC 芯片,DDR芯片,Reg芯片,SPD芯片,主讲:XX老师,第6章 内存系统故障维修,第37页 共41页,6.5 内存条基本设计,6.5.1 内存条的类型在相同内存芯片容量下,位宽有多种不同设计

16、方案。内存芯片I/O位宽有4bit、8bit、16bit三种类型,P-Bank=16bit4片=64bit P-Bank=8bit8片=64bitP-Bank=4bit16片=64bit,主讲:XX老师,第6章 内存系统故障维修,第38页 共41页,6.6 内存条接口与信号,6.6.1 内存条接口形式不同规格的DDR内存,断口位置不同。,主讲:XX老师,第6章 内存系统故障维修,第39页 共41页,6.5 内存条基本设计,6.6.3 双通道内存技术双通道内存主要依靠北桥芯片的控制技术,与内存本身无关。双通道技术:北桥芯片可以在两个不同的数据通道上分别寻址和读写数据。900系列、3系列、4系列芯片组支持DDR2双通道技术,5系列芯片组支持DDR3三通道技术。,主讲:XX老师,第6章 内存系统故障维修,第40页 共41页,6.7 内存故障分析与处理,6.7.1 内存常见故障现象,主讲:XX老师,第6章 内存系统故障维修,第41页 共41页,课程讨论,1.如何提高内存的数据传输带宽。2.内存容量越大越好吗?3.虚拟内存可以无限大吗。4.串行传输会成为今后内存的发展方向吗?5.2条1GB内存和1条2GB的内哪样更快。作业:6-2、6-5、6-7【本章结束】,

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