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1、6.3 提高系统抗电源干扰能力的方法,6.2 干扰源,6.1 电磁干扰形成的条件,第 6 章 机电一体化系统的抗干扰设计,6.6 过程通道抗干扰措施,6.5 几种接地技术,6.4 电场与磁场干扰耦合的抑制,6.7 模拟信号的线性光耦隔离,6.9 软件抗干扰技术,6.8 空间干扰的抑制,6.10 铁氧体插损器,6.1 电磁干扰形成的条件,电磁干扰的两种传输途径：辐射耦合途径，传导耦合途径。电磁干扰的存在必须具备三个条件：(1)电磁干扰源；(2)电磁干扰传播途径；(3)电磁干扰敏感体。由于系统通过电网、空间与周围环境发生了联系而受到干扰。若系统抵御不住干扰的冲击，各电气功能模块将不能进行正常的工作
2、。微机系统往往会因干扰产生程序“跑飞”，传感器模块将会输出伪信号，功率驱动模块将会输出畸变驱动信号，使执行机构动作失常，凡此种种，最终导致系统产生故障，甚至瘫痪。因此，系统设计除功能设计、优化设汁外，另一项重要任务是要完成系统的抗干扰设计。,6.2 干扰源,为了提高机电一体此系统抗干扰性能，首先须弄清干扰源。从干扰窜入系统的渠道来看，系统所受到的干扰源分为供电干扰、过程通道干扰、场干扰等。,图6-1 机电一体化系统的干扰源,第1 章 机电一体化系统设计绪论,6.2.1 供电干扰 大功率设备(特别是大感性负载的启停)会造成电网的严重污染，使得电网电压大幅度地涨落、浪涌，电网电压的欠压或过压常常超
3、过额定电压的15%以上，这种状况有时长达几分钟、几小时、甚至几天。由于大功率开关的通断，电动机的启停等原因，电网上常常出现几百伏、甚至几千伏的尖峰脉冲干扰。由于我国采用高压(220V)高内阻电网，电网污染严重，尽管系统采用了稳压措施。但电网噪声仍会通过整流电路串入微机系统。据统计，电源的投入、瞬时短路、久压、过压、电网窜入的噪声引起CPU误动作及数据丢失占各种干扰的90%以上。,第1 章 机电一体化系统设计绪论,6.2.2 过程通道干扰 通道干扰主要来源于长线传输(传输线长短的定义是相对于CPU的晶振频率而定的，当频率为lMHz时，传输线长度大于0.5m，频率为4MHz时，传输线长度大于0.3
4、m时。视其为长传输线)。当系统中有电气设备漏电，接地系统不完善，或者传感器测量部件绝缘不好等，都会在通道中直接串入很高的共模电压或差模电压；各通道的传输线如果处于同一根电缆中或捆扎在一起，各路间会通过分布电感或分布电容产生相互间的干扰。尤其是将015V的信号线与交流220V的电源线同处于一根长达几百米的管道内，其干扰相当严重。,第1 章 机电一体化系统设计绪论,6.2.3 场干扰 系统周围的空间总存在着磁场、电磁场、电场，如太阳及天体辐射电磁波；广播、电话、通讯发射台的电磁波；周围中频设备(如中频炉。晶闸管变送电源、微波炉等)发出的电磁辐射等。这些场干扰会通过电源或传输线影响各功能模块的正常工
5、作，使其中的电平发生变化或产生脉冲干扰信号。,6.3 提高系统抗电源干扰能力的方法,6.3.1 配电方案中的抗干扰措施 抑制电源干扰首先从配电系统的设计上采取措施。图6-2中的交流稳压器用来保证系统供电的稳定性，阻止电网供电的过压或欠压。,图6-3 低通滤波器内部电路 图6-4 电源变压器的隔离措施,直流稳压电源：常规线性直流稳压电源、开关稳压电源。开关电源的振荡频率近10OOkHz，其滤波以高频滤波为主，对尖脉冲有良好的抑制作用。开关电源对来自电网干扰的抑制能力较强，在工业控制微机中已被广泛地采用。,高频干扰是通过电源变压器的初级与次级间寄生耦合电容串入系统，在电源变压器的初级线圈和次级线圈
6、间加静电屏蔽层，C3把耦合电容分隔成C2，C1，使耦合电容隔离，断开高频干扰信号，能有效地抑制共模干扰。,电容和电感组成的低通滤波器对于2OkHz以上的干扰抑制能力较好。,6.3.2 利用电源监视电路抗电源干扰在系统配电方案中实施抗干扰措施是必不可少的，但这些措施仍难抵御微秒级的干扰脉冲及瞬态掉电，特别是后者属于恶性干扰，可能产生严重的事故。电源监视电路的设计是抗电源干扰的一个有效方法。目前市场提供的电源监视集成电路，一般具有如下的功能:(1)监视电源电压瞬时短路、瞬间降压和微秒级干扰脉冲及悼电；(2)及时输出供CPU接受的复位信号及中断信号；,6.3.3 用Watchdog抗电源于扰 在Wa
7、tchdog的实现中，定时器时钟输入端CLK由系统时钟提供，其控制端接CPU，定时器总在一定的时间间隔内被CPU刷新一次，因而不会产出溢出信号，当系统因干扰产生程序“跑飞”或进入死循环后，定时器因未能被及时刷新而产生溢出，使系统重新初始化，而从头开始运行。,6.4 电场与磁场干扰耦合的抑制,6.4.1 电场与磁场干扰耦合的特点,电磁干扰特性：（1）接收特性。根据天线理论，电缆本身就是一条高效率的接收天线，它能够接收到空间的电磁波干扰，并且还能将干扰能量传递给系统中的电子电路或电子设备中，造成敏感性的干扰影响。（2）辐射特性。根据天线理论，电缆本身还是一条高效率的辐射天线。它能够将电子系统中的电
8、磁干扰能量辐射到空间中去，造成辐射发射干扰影响。（3）寄生特性。在电缆中，导线可以看成是互相平行的，而且互相靠得很紧密。根据电磁理论，导线与导线之间必然蕴藏着大量的寄生电容(分布电容)和寄生电感(分布电感)，这些寄生电容和寄生电感是导致串扰的主要原因。（4）地电位特性。电缆的屏蔽层(金属护层)一般情况下是接地的。因此如果电缆所连接设备接地的电位不同，必然会在电缆的屏蔽层中引起地电流的流动，在内导线上感应出相应的感应电压和感应电流。,6.4.2 电场与磁场干扰耦合的抑制,1电场干扰耦合等效电路分析 电场干扰耦合又称为容性干扰耦合。我们知道平行导线间存在电场(容性)干扰耦合，利用电路理论可以分析电
9、场干扰耦合的一些特点。在这里主要讨论电场干扰耦合的抑制问题。为了能比较清楚地说明问题。仍然采用两平行导线系统结构。在讨论中，假设只对干扰源回路采取了屏蔽措施，而干扰敏感回路未采取屏蔽措施，如图6-7所示。图6-8给出了图6-7的等效电路。,图6-7 对干扰源回路采取屏蔽措施,图6-8 分析电场（容性）干扰耦合的等效电路,图6-9 接地电阻变化使得电场干扰耦合增加,屏蔽层接地质量的好与坏，可由RsG取值的大小反映出来；屏蔽层屏蔽效能的好与坏，可由CsG的取值反映出来。,2屏蔽层本身阻抗特性的影响 在上面的分析中，没有考虑到屏蔽层本身阻抗特性的影响。屏蔽层阻抗是沿着屏蔽层纵向分布的，只有在频率较低
10、或屏蔽层纵向长度远远小于传输信号波长的1/16时，才能忽略屏蔽层本身阻抗特性的影响。在低频时或屏蔽层纵向长度不长时，采用单点接地技术较为适合。,图6-10 屏蔽层单点接地干扰耦合电流流过较长距离后入地,当信号频率很高或屏蔽层纵向长度接近或大于传输信号波长的1/16时，屏蔽层本身的纵向阻抗特性就不能被忽略。如果这时屏蔽层仍然采用单点接地技术，那么单点接地将迫使干扰电流流过较长的距离后才能入地，结果使干扰电流在屏蔽层纵向方向上会产生电压降，形成屏蔽层在纵向方向上的各点电位不相同，应在每间隔1/16信号波长的距离处进行接地一次。,图6-11 保证屏蔽层每间隔1/16信号波长的距离接地一次,在接地技术
11、实施过程中，常常是将屏蔽层与被屏蔽的导线分开，屏蔽层被扭绞成一个辫子形状的粗导线后再接地，就是这个辫子形状的粗导线很容易产生寄生(分布)电感，寄生电感对屏蔽层的屏蔽效能有着极为不利影响，这种影响就被称为“猪尾（pigtail）”效应。“猪尾效应”引起寄生电感Lp的存在，使屏蔽层的电场屏蔽性能发生了较大的变化，导致电场干扰耦合电压增加。,图6-12“猪尾”效应接地方式,图6-13“猪尾”效应等效电路图,图6-14“猪尾”效应产生的电场干扰耦合变化,电场干扰耦合VN/Vs,图6-15 芯线伸出屏蔽层太长增加电场干扰耦合,实际工程中在屏蔽电缆与设备或系统的接入点处，如果屏蔽层的长度过短，屏蔽电缆留出
12、的芯线又过长，暴露在屏蔽层之外电缆芯线得不到屏蔽层的保护会使得整个电缆的电场屏蔽效能降低，,6.5 几种接地技术,接地从字面上看来是一件十分简单的事情，但是对于从事电磁干扰的人来说，接地可能是一个非常复杂且难处理的事情。在一个场合中可能是一个很好的设计方案，但在另一个场合里就不一定是最好的。接地设计在很大程度上取决于设计者对“接地”这个概念理解程度的深浅和设计经验丰富与否。接地的方法很多，具体采用哪一种方法为妥要取决于系统的结构和功能。下面给出几种在电子系统中经常采用的接地技术，这些技术来源于已经成功的经验之中。,6.5.1 单点接地,单点接地是为许多接在一起的不同的电路提供一个公共电位参考点
13、，这样不同种类电路的信号就可以在不同种的电路之间传输。若没有一个公共参考点，传输的信号就会出现错误。单点接地是要求每个电路只接地一次，并且全部接在同一个接地点上。该点常常作为地电位参考点。由于只存在一个参考点，因此有的电路的接地地线可能会拉得很长，增加了导线的分布电感和分布电容，因此在高频电路中不宜采用单点接地的方法。另外因为单点接地在各电路中不存在地回路，所以能有效降低或抑制感性耦合干扰。,图6-16 单点接地,6.5.2 多点接地,设备内电路都以机壳为参考点，而各个设备的机壳又都以地为参考点。这种接地结构能够提供较低的接地阻抗，而且每条地线可以做到很短。由于多根导线并联能够降低接地导体的总
14、电感，因此在高频电路中必须使用多点接地，并且要求每根接地地线的长度小于信号波长的1/16。,图6-17 多点接地,6.5.3 混合单点接地,系统内的电源需要单点接地，而高频或射频信号又要求多点接地，这时就可以采用混合单点接地的方法。这种接地方法的缺点是接地导线有时较长，不利于高频或射频电路所要求的接地性能，这种方法适用于板级电路的模拟地和数字地的接地方式。如果多点接地与设备的外壳或电源地相连接，并且设备的物理尺寸或连接电缆长度与干扰信号的波长相比很长，就存在通过机壳或电缆的作用产生干扰的可能性。,图6-18 混合单点接地,6.5.4 混合多点接地,混合多点接地方法不仅包含了单点接地特性也包含了
15、多点接地特性，是经常采用的一种接地方法。为了防止系统地之间的互相影响，减小地阻抗之间的耦合，接地层的面积越大越好。由于采用了就近接地，接地导线可以做到很短，这样不仅降低了接地阻抗，同时还减小了接地回路的面积，有利于抑制干扰耦合的现象发生。,图6-19 混合多点接地,使用交流电供电的设备必须将设备的外壳与安全地线进行连接，否则当设备内的电源与设备外壳之司的绝缘电阻变小时，会导致电击伤害人身的事故。对于内部噪声和外部干扰的抑制需要在设备或系统上有许多点与地相连，主要是为干扰信号提供一个“最低阻抗”的旁路通道。设备的雷电保护系统是一个能够泄放掉大电流强度的接地系统，它主要由接闪器(避雷针)、下引线和
16、接地网体组成。雷电接地系统常常要与电源参考地线或安全地线共同连接，形成一个等电位的安全系统，接地网体的接地电阻应足够小(一般为几个欧姆)。这里应该指出，一般对地的设计要求是指对安全和雷电防护的接地要求，其他接地均包含在对系统或设备的功能性设计要求中。,6.5.5 接地的一般性原则,低频电路：对于低频电路接地的问题，应坚持一点接地的原则，而在一点接地的原则中，又有串联接地和并联接地两种。单点接地是为许多接在一起的电路提供共同的参考点，其中并联单点接地最为简单而实用，地线上不会出现耦合干扰电流。这种接地方式一般在1MHz以下的工作频率段内能工作得很好，随着使用信号频率的升高，接地阻抗会随着越来越大
17、，电路模块上会产生较大的共模干扰电压。因此，单点接地不能适合于高频电路模块的接地设计。,图6-20 串联型和并联型单点接地,高于10MHz高频电路：对于工作频率较高的模拟电路和数字电路而言，由于各个电路模块或电路中的元器件引线的分布电感和分布电容以及电路布局本身的分布电感和分布电容都将会增加接地线的阻抗，非常容易造成电路间的互相耦合干扰的机会，从而使电路工作出现不稳定等现象。为了降低接地线阻抗和接地线间的分布电感和分布电容所造成的电路引互相耦合干扰的机会，高频电路宜采用就近接地，即“多点接地”的原则，将各电路模块中的系统地线就近接到具有低阻抗的地线上。一般来说，当电路的工作频率高于10MHz时
18、，应采用多点接地的方式。高频接地的关键技术就是尽量减少接地线的分布电感和分布电容，所以高频电路在接地的实施技术和方法上与低频电路是有很大区别的。,高低频率混合电路：当一个系统中既有低频电路又有高频电路(这是常有的情况)时，应该采用混合接地的原则。系统内的低频部分需要单点接地，而高频部分需要多点接地。一般情况下，可以把地线分成3大类，即电源地、信号地和屏蔽地。所有电源地线都接到电源总地线上，所有的信号地线都接到信号总地线上，所有的屏蔽地线都接到屏蔽总地线上，最后将 3大类地线汇总到公共的地线上。,6.6 过程通道抗干扰措施,抑制传输线干扰措施：光电隔离、双绞线传输、阻抗匹配。,1.光电隔离的长线
19、浮置措施 利用光电耦合器的电流传输特性，在长线传输时可以将模块间两个光电耦合器件用连线“浮置”起来。这种方法不仅有效地消除了各电气功能模块间的电流流经公共地线时所产生的噪声电压互相窜扰，而且有效地解决了长线驱动和阻抗匹配问题。,图6-21 长线传输的光耦浮置处理,2.双绞线传输措施 在长线传输中，双绞线是较常用的一种传输线，与同轴电缆相比，虽然频带较窄，但阻抗高。降低了共模干扰。由于双绞线构成的各个环路，改变了线间电磁感应的方向。使其相互抵消，因而对电磁场的干扰有一定的抑制效果。,图6-22 双线降低共模干扰,双绞线10m以上,双绞线10m左右,（a）（5m以内）,（b）(c)图6-23 长线
20、传输中双绞线的使用方法,当传输距离在5m以下时，收发两端设计负载电阻，若发射侧为OC门输出，接收侧采用施密特触发器更能提高抗干扰能力。,对于远距离传输或传输线途经强噪声区域时，可选用平衡输出的驱动器和平衡接收的接收器集成电路芯片，收发信号两端都有无源电阻，选用的双绞线也应进行阻抗匹配。,当双绞线与光电隔离器件联合使用时，6-24(a)中的发射端为OC门(如7407)与光电耦合器的连接电路。6-24(b)为中间开关触点通过双绞线与光电耦合器的连接电路。如果在光电耦合器的光敏晶体管的基极上接有队0.01F左右的电容及10-20M高阻值电阻，且后面又接斯密特触发器时，则会大大增强抗信号振荡与抗干扰能
21、力。,图6-24 光电耦合器与双绞线联合使用,3.长线传输的阻抗匹配 长线传输时，若收发两端的阻抗不匹配，则会产生信号反射，使信号失真，其危害程度与传输的频率及传输线长度有关。为了对传输线进行阻抗匹配，首先要估算出它的特性阻抗Rp。图6-25所示为利用示波器进行测定的方法。图中调节电位器阻值R，当A门的输出波形失真最小，反射波几乎消失，这时的R值可以被认为是该传输线的特性电阻Rp的值。,图6-25 传输线特性阻抗测试,a)终端并联阻抗匹配 b)始端串联阻抗匹配 c)终端并联隔直流匹配 d)终端接钳位二极管匹配图6-26 传输线的阻抗匹配形式,(1)终端并联阻抗匹配:终端匹配电阻的R1、R2的阻
22、值按Rp=R1/R2(一般R1为220230，R2为270390)。由于终端阻值低，相当于加重负载，使高电平有所下降，故高电平的抗干扰能力会有所下降。(2)始端阻抗匹配:匹配电阻R的取值为Rp与A点输出低电平时的输出阻抗(约20)之差。这种匹配方法会使终端的低电平提高，相当于增加了输出阻抗。降低了低电平的抗干扰能力。(3)终端隔直匹配:当电容C值较大时，可使其阻抗近似为零，它只起隔离直流作用，而不影响阻抗匹配，所以只要R=Rp即可。而ClOT/(R1+Rp)，其中T为传输脉冲宽度；R1为始端低电平输出阻抗(约20)；这种连接方式能增加传输线对高电平的抗干扰能力。(4)终端接钳伍二极管匹配:利用
23、二极管D把B门输入端低电平钳位在0.3V以内，减少波的反射和振荡，并且可以大大减少线间窜扰，提高动态干扰能力。,4.长线的电流传输 长线传输时，用电流传输代替电压传输，可获得较好的抗干扰能力。例如，以传感器直接输出020mA电流在长线上传输，在接收端可并上500(或1k)的精密金属膜电阻，将此电流转换为05V(或010V)电压，然后送入A/D转换通道。,图6-27 传感器的长线电流传输,5.传输线的合理布局（1）强电馈线必须单独走线，不能与信号线混扎在一起；（2）强信号线与弱信号线应尽量避免平行走向，有条件的场合下，应努力使二者正交；（3）强弱信号平行走线时，线间距离应为干扰线内径的40倍。,
24、6.7 模拟信号的线性光耦隔离,现代电子电气测量、控制中，常常需要用低压器件去测量、控制高电压、强电流等模拟量，如果模拟量与数字量之间没有电气隔离，那么，高电压、强电流很容易串入低压器件，并将其烧毁。线性光耦可以较好的实现模拟量与数字量之间隔离。本节介绍线性光耦器件HCNR200及其工作原理。,6.7.1 HCNR200基本工作原理 HCNR200光电耦合器主要技术指标如下：(1)具有0.05%的最大线性误差，HCNR200具有最大15%的传输增益偏差；(2)具有较宽的带宽，从DC到1MHz以上；(3)绝缘电阻高达1013，输入和输出回路之间的分布电容为0.4pF；(4)耐压能力为 5000V
25、/min，最大绝缘工作电压为1000V；具有015V的输入输出电压范围。,图6-28 HCNR200的内部结构原理,HCNR200光电耦合器的内部LED为发光二极管，PD1、PD2是两个相邻匹配的光敏二极管。光敏二极管的PN结在反向偏置状态下运行，它的反向电流与光照强度成正比，这种封装结构决定了每一个光敏二极管都能从LED得到近似相等的光强，从而消除了LED的非线性和偏差特性所带来的误差。电流If流过LED时，LED发出的光被耦合到PD1与PD2，在器件输出端产生与光强成正比的输出电流Ipd1和Ipd2。,Ipd1=K1If，Ipd2=K2If，K=Ipd2/Ipd1。K1、K2分别为输入、输
26、出光电二极管的电流传输比，其典型值均在0.05%左右。K为传输增益，当一只 HCNR200被制造出来后，其输出侧光电流Ipd2和输入侧光电流Ipd1之比是一个恒定值K，K在10.15之间。,6.7.2 HCNR200基本工作电路Vin=Ipd1R1Vout=Ipd2R2Vout/Vin=K(R2/R1)其中K=Ipd2/Ipd1，K为HCNR200的传输增益，K在10.15之间。可以看出，Vout和Vin成线性关系，与LED的光强输出特性无关。并且仅仅通过调整R1和R2的值，就可以改变此隔离放大电路的增益。,图6-29 HCNR200的基本工作电路,图6-30高精度电压检测电路,Ipd1=UA
27、IN/R2 Ipd2=UAOUT/(R4+R5/R6)从而得到UAOUT=UAINK（R4+R5/R6）/R2 可见，被测电压和输出电压之间存在正比的关系，只要适当选取电阻R2、R4、R5、R6的阻值，就可以得到一定比例的隔离输出电压。,图6-31实用模拟信号线性光电隔离电路,图6-31是一个实用的模拟信号线性光电隔离电路，实验数据证明 UAOUT=UAIN，误差小于1%。,6.8 空间干扰的抑制,空间电磁辐射干扰的强度虽然小于传导型干扰，但因为系统中的传输线以及电源线都具有天线效应，不但能吸收电磁波产生干扰电动势，而且能自身辐射能量。形成电源线及信号线之间的电场和磁场耦合。防止空间干扰的主要
28、方法是屏蔽和接地，要做到良好屏蔽和正确接地，须注意以下问题:（1）消除静电干扰最简单的方法是把感应体接地，接地时要防止形成接地环路。（2）为了防止电磁场干扰，可采用带屏蔽层的信号线(绞线型最佳)，并将屏蔽层单端接地。（3）不要把导线的屏蔽层当作信号线或公用线来使用。（4）在布线方面，不要在电源电路和检测、控制电路之间使用公用线，也不要在模拟电路和数字脉冲电路之间使用公用线，以免互相串扰。,6.9 软件抗干扰技术,各种形式的干扰最终会反映在系统的微机模块中，导致数据采集误差、控制状态失灵、存储数据窜改以及程序运行失常等后果，虽然在系统硬件上采取了上述多种抗干扰措施，但仍然不能保证万无一失，因此，
29、软件抗干扰措施的研究愈来愈引超人们的重视。6.9.1实施软件抗干扰的必要条件 软件抗干扰是属于微机系统的自身防御行为，采用软件抗干扰的必要条件是:（1）在干扰的作用下，微机硬件部分以及与其相连的各功能模块不会受到任何损毁，或易损坏的单元设置有监测状态可查询。（2）系统的程序及固化常数不会因干扰的侵入而变化。（3）RAM区中的重要数据在干扰侵入后可重新建立，并且系统重新运行时不会出现不允许的数据。,6.9.2 数据采样的抗干扰的抑制1.抑制工频干扰 工频干扰侵入微机系统的前向通道后，往往会将干扰信号迭加在被测信号上，特别当传感器模拟量接口是小电压信号输出时，这种串联迭加会使被测信号淹没。要消除这
30、种串联干扰，可使采样周期等于电网工频周期的整数倍，使工频干扰信号在采样周期内自相抵消。实际工作中，工频信号频率是变动的，因此采样触发信号应采用硬件电路捕获电网工频，并发出工频周期的整数倍的信号输入微机。微机根据该信号触发采样，这样可使系统对工频串模干扰能力。,2.数字滤波（1）“采四取二”值滤波；（2）均值滤波；（3）一阶递推数字滤波:这种方法是利用软件实现RC低通道滤波器的功能，能很好地消除周期性干扰和频率较高的随机干扰，适用于对变化过程比较慢的参数进行采样。一阶递推滤波的计算公式为式中为与数字滤波器的时间常数有关的系数，=采样周期/（滤波时间常数+采样周期）xn为第n次采样数据；yn为第n
31、次滤波输出数据(结果)。取值越大，其截止频率越高。,3.宽度判断抗尖峰脉冲干扰 若被测信号为脉冲信号，由于在正常情况时，采样信号具有一定的脉冲宽度，而尖峰干扰的宽度很小，因此可通过判断采样信号的宽度来剔除干扰信号。首先对数字输入口采样，等待信号的上升沿到来(设高电平有效)，当信号到来时，连续访问该口n次(图中为5次)，若n次访问中，该口电平始终为高，则认为该脉冲有效。若n次采样中有不为高电平的信号，则说明该口受到干扰，信号无效。这种方法在使用时，应注意n次采样时间总和必须小于被测信号的脉冲宽度。4.重复检查法 这种方法是一种容错技术，是以软件冗余的办法来提高系统的抗干扰特性，适用于缓慢变化的信
32、号抗干扰处理。因为干扰信号的强弱不具有一致性，因此，对被测信号多次采样，若所有采样数据均一致，则认为信号有效；若相邻两次采样数据不一致，或多次采样的数据均不一致，则认为是干扰信号。,6.9.3 程序运行失常的软件抗干扰措施 系统因受到干扰侵害致使程序运行失常，是由于程序指针PC被窜改。当程序指针指向操作数，将操作数作为指令码执行时，或程序指针值超过程序区的地址空间，将非程序区中的数据作为指令码执行时，都将造成程序的盲目运行，或进入死循环。程序的盲目运行，不可避免地会盲目读写RAM或寄存器，而使数据区及寄存器的数据发生窜改。对程序运行失常的对策是:（1）设置Watchdog功能，由硬件配合，监视
33、软件的运行情况，遇到故障进行相应的处理。（2）设置软件陷阱，当程序指针失控而使程序进入非程序空间时，在该空间中设置拦截指令，使程序避入陷阱，然后强迫其转入初始状态。,6.10 铁氧体插损器,6.10.1 铁磁性材料（铁氧体）特性 在抑制电磁波辐射干扰时，经常利用铁磁性材料的特性来达到抗干扰设计的要求，用得最多的一种铁磁性材料就是铁氧体材料。铁氧体材料常常被制作成各种各样的屏蔽腔体或屏蔽构件，以达到抑制干扰的设计要求。铁氧体材料最重要的特性就是它的复磁导率特性。复磁导率与铁氧体材料的阻抗有着非常紧密的联系。铁氧体材料的应用范围主要有以下3个方面：(1)低电平信号系统中的干扰抑制。(2)电源系统中
34、的干扰抑制。(3)电磁辐射干扰的抑制。,6.10.2 磁导率对电磁干扰的影响 在应用铁氧体抑制电磁干扰方面，对铁氧体性能影响最大的是铁氧体材料的磁导率特性。铁氧体抑制传导或辐射电磁干扰的3种方式：第1种方式：将铁氧体制成实际的屏蔽层来将导体、元器件或电路与周围环境中的杂散干扰电磁场隔离开，这种方式不常用。第2种方式：是将铁氧体用作电容器器件，形成低通滤波器的特性。在低频段提供衰减较小的感性容性通路，而在较高的频段范围内衰减较大，这样就抑制了较高频段范围内电磁干扰。第3种方式：将铁氧体制成铁氧体芯，单独安装在元器件的引线端或电路板上的输入/输出引线上，以达到抑制辐射归纳扰的目的。这是最常用的一种
35、应用方式，铁氧体芯能够抑制任何形式的寄生电磁振荡、电磁感应、传导辐射等在元器件引线端或与之电路板相连的电缆芯线中的干扰信号。,在第2种和第3种方式的应用中，就是利用铁氧体芯能够消除或衰减出现在源端电磁干扰的高频电流，达到抑制传导辐射干扰的目的。利用铁氧体材料在高频段能够提供足够高的高频阻抗来减小高频干扰电流这一特性。从理论上来讲，较为理想的铁氧体能够在高频段范围内提供较高阻值的阻抗，而在其他频段上提供低值阻抗。但是在实际中，铁氧体芯的阻抗值是随着频率变化而变化的，一般情况下，在低频段范围内(低于lMHz以下)，不同材料的铁氧体，给出的最高阻抗值在50300之间。在频率范围lOMHz1OOMHz
36、之间，会出现更高的阻抗值。,图6-32 初始磁导率为2500的锰锌铁氧体随频率变化的特性,图6-33 初始磁导率为850的镍锌铁氧体随频率变化的特性,铁氧体的复磁导率参数是一个非常重要的参数，它的大小直接影响着铁氧体材料抑制电磁干扰性能的好与坏。,当铁氧体材料用于低电平信号系统和低功率电源系统方面时，所涉及到的频率参数都低于上述频率值，因此，在低电平信号系统和低功率电源系统方面应用时，很少讨论铁氧体磁导率和磁损耗等参数。当应用在高频环境中时，例如，用于抑制电磁干扰方面时，就必须要给出铁氧体磁导率或磁损耗的频率特性的参数。,6.10.3 铁氧体的特性阻抗用磁导率来表示铁氧体材料阻抗的表达式：（6
37、-7）式中，为复磁导率的实部；为复磁导率的虚部；j为虚部矢量L为铁氧体材料空芯时的电感量。铁氧体材料的阻抗也可以看作是感抗XL和损耗电阻Rs的串联形式。它们都与频率有着密切的关系：（6-8）式中，Rs为损耗阻抗的总和。Rs=RM+RE，RM代表磁损耗等效阻，RE代表铜损耗等效阻抗。,在低频段的范围内，铁氧体材料的阻抗主要是损耗电阻。随着频率的升高，电感抗随之增加，阻抗增加，插入损耗增加。,（a）（b）图6-35 便携安装对开式铁氧体材料的几何形状及插入损耗随频率变化曲线（a）便携安装对开式铁氧体材料的几何形状（b）便携安装对开式铁氧体材料插入损耗随频率变化曲线,6.10.3 铁氧体插损器件及应
38、用 铁氧体插损器件就是利用铁氧体材料制成的，在不同频段内具有不同插入损耗值的一种器件，可以作为电缆和连接器等来抑制射频干扰。这种器件使用最简单、最方便和最有效，因而被广泛使用。它们既可衰减射频干扰信号，也可在不降低直流或低频信号能量的情况下，抑制无用的高频振荡信号。影响铁氧体抑制干扰性能的参数主要是电、磁和结构关系的性能特征参数。选择铁氧体插损器件时，要根据不同频段的敏感度来进行匹配。当安装上了铁氧体插损器件时，低频信号的损耗非常小，能够顺利通过，信号能量不会有明显的降低，但对于频率较高的信号，铁氧体对其产生比低频段区域更高的阻抗，从而有选择地抑制掉了高频干扰信号。,图6-38 铁氧体材料制成
39、的插入衰减器（铁氧体插损器件）,较为常用的铁氧体插损器是一种对开式插损器，它使用安装非常方便，适合应用于许多场合中。对开式铁氧体插损器具有较高的磁导率，性能相对铁氧体滤波器来讲较为稳定，不会有较高的涡流损耗。与其他材料制成的插损器相比，单位体积阻抗值可以做到非常高，这是铁氧体材料的最大优点。对开式铁氧体衰减器能够用来满足电磁兼容领域内的各种工作需求。,图6-39 铁氧体衰减器抑制供电电源上的辐射干扰,便携式计算机主机的供电电源线上抑制高频信号辐射的应用示例。计算机的供电电源线路是产生/接收辐射干扰信号的重点部位。,图6-40 胶豆夹型铁氧体衰减器的外形结构,几种铁氧体衰减器的应用示例以及外形结
40、构（1）胶豆夹型铁氧体插损器:胶豆夹型铁氧体插损器扣在电缆上，不能再打开，从而保证了衰减器不能被移动或拆除，可用于直径为0.5mm3.0mm线上。这种衰减器对空间有限和侧面低的场合特别适用。可有效地替换内卡型、紧缩管、捆紧物、绑带式或其他辅助的安装方式。,（2）电缆夹钳型铁氧体衰减器:电缆夹钳型铁氧体衰减器适用于直径在25.4mm内的线缆，插损器带有螺钉安装孔。,图6-41 电缆夹钳型铁氧体衰减器的外形结构,（3）高阻抗套管夹型铁氧体衰减器I:高阻抗套管夹型铁氧体衰减器I带有随意安装的底座，能够抑制传输速率较高的大规模设备或微型处理器的工作频率以外的寄生谐波信号，特别适用于通信转换设备、本地局
41、部网和分系统集成设备，可以非常方便地装配在电缆和传输线上，也可通过底部螺钉穿孔来固定。,图6-42 高阻抗套管夹型铁氧体衰减的外形结构,（4）高阻抗套管夹型铁氧体衰减器:高阻抗套管夹型铁氧体衰减器带有孔径可变的进/出翘端和随意安装的底座，其他性能与前面相同，适用于直径从6.4mm11mm的电缆。,图6-43 高阻抗套管夹型铁氧体衰减的外形结构,（5）高阻抗复合绕制套管夹型铁氧体衰减器：高阻抗复合绕制套管夹型铁氧体衰减器阻抗值非常高，并且带有复合绕制的套管夹，具有电缆绕制穿透能力。通过增加穿过磁芯的电缆环路数目，能够非常有效地增加磁通路数目，提升阻抗值。阻抗的增加值与圈数N的平方成正比。,图6-
42、44 高阻抗复合绕制套管夹型铁氧体衰减器的外形结构,（6）扁平电缆夹钳型铁氧体衰减器I:扁平电缆夹钳型铁氧体衰减器I带有胶带安装部分，钦氧体贴装在尼龙带上，通过撕掉底盘上的保护纸，压装到需要安装的部位处，安装使用便捷。适用于50芯范围内的扁平电缆。,图6-45 扁平电缆夹钳型铁氧体衰减器I的外形结构,（7）扁平电缆夹钳型铁氧体衰减器：扁平电缆夹钳型铁氧体衰减器的外形及结构如图6-46所示。这种铁氧体衰减器具有完整的外部结构和胶带安装底座。铁氧体贴装在尼龙带上，尼龙带结构完整。适用于64芯范围内的扁平电缆。内部的锁紧扣带可将夹钳固定在电缆上。通过将底座胶带保护纸撕掉，可以实现便捷的安装。,图6-
43、46 扁平电缆夹钳型铁氧体衰减器的外形结构,铁氧体抑制元件影响因素：（1）通常磁导率越高，抑制的频率就越低。（2）铁氧体的体积越大，抑制效果越好。（3）在体积一定时，长而细的形状比短而粗的抑制效果好，内径越小抑制效果也越好。（4）在有直流或交流偏流的情况下，还存在铁氧体饱和的问题，抑制元件横截面越大，越不易饱和，可承受的偏流越大。（5）对于输入/输出电路，铁氧体抑制元件应当安装在靠近屏蔽壳的进、出口处。,复习思考题6.1 电磁干扰形成需要哪些条件？6.2 电磁干扰源有哪些？6.3 抗电源干扰的方法有哪些？6.4 电场与磁场干扰耦合有什么特点？6.5 电场与磁场干扰耦合有哪些抑制方法？6.6 接地的一般性原则是什么？6.7 过程通道抗干扰措施有哪些？6.8 线性隔离光耦应用在哪些场合？6.9 请举出几种铁氧体衰减器的应用示例以及外形结构。,
