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1、半导体器件物理复习计算题11. 在T = 300 K，计算理想p-n 结二极管在反向电流达到95 个百分比的反向饱和电流值时，需要外加的反向电压。 分析： 利用 注意 Exp(qV/kT) - 1= 0.95 错误！ 应为 Exp(qV/kT) - 1= - 0.95 反向电流 1. 一扩散的pn 硅结在 p-为线性缓变结，其a = 1019 cm-4，而 n侧为均匀掺杂，浓度为 31014 cm-3 。如果在零偏压时， p侧耗尽层宽度为0.8m ，找出在零偏压时的总耗尽层宽度，内建电势和最大电场 总耗尽区宽度： 利用耗尽区总电荷电中性条件，求得Xp与Xn 则 W = Xp + Xn 求Vbi
2、 与Emax，一般采用泊松方程求解电场和电势差 或者特别的,求Vbi时， Vbi=Vn-Vp=(kT/q)ln(ND/ni)+(kT/q)ln(aw/ni) 即利用热平衡时，费米能级统一和 但在缓变结的中性区掺杂浓度并非恒量，结果稍有近似. 1.一n-p-n 晶体管其基区输运效率为0.998， 发射效率为0.997， 为10 nA。 算出晶体管的 和 ， 若 ，发射极电流为多少？ 理想晶体管o=T=0.999 o= o/(1-o）=999 Ib=0,则 ICBO=1010-6A ICEO=(1+ o) ICBO=10mA 第10解释偏压情况下金属与P型，N型半导体接触的能带图在书本105. 12题计算题。若一亚微米。题目在书本282第3题 第8题在书本223第1题。 第4题，5题 6题没有找到；
