模拟电子技术基础第四课后答案第5章 放大电路的频率响应.docx

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1、模拟电子技术基础第四课后答案第5章 放大电路的频率响应第5章 放大电路的频率响应 习题 5.1在图P5.1所示电路中,已知晶体管的rbb、Cm、Cp,Rirbe。 填空:除要求填写表达式的之外,其余各空填入增大、基本不变、减小。 (1)在空载情况下,下限频率的表达式fL( 12p(Rs+Rb/rbe)C1 )。当RS减小时,fL将( );当带上负载电阻后,fL将( )。 (2)在空载情况下,若b-e 间等效电容为Cp,则上限频率的表达式 fH( 12prbe/(rbb+Rb/Rs)Cp );当RS为零时,fH将( );当Rb减小时, gm将( ), Cp将( ), fH将( )。 图P 5.1

2、 图P 5.2 &的表达式。 5. 2已知某电路的波特图如图P5.2所示,试写出Au解:设电路为基本共射放大电路或基本共源放大电路。 &Au(1+-3210f)(1+j5)jf10-3.2jfff(1+j)(1+j5)1010&的表达式。 5.3已知某共射放大电路的波特图如图P5.3所示,试写出Au图P5.3 图P5.4 解:观察波特图可知,中频电压增益为40dB,即中频放大倍数为100 ; 下限截止频率为1Hz和10Hz,上限截止频率为250kHz。故电路&的表达式为: Au&=Au-100+10f2=110fff(1+)(1+)(1+j)(1+jf)(1+j)(1+j)55jfjf2.51

3、01010 5.4已知某电路的幅频特性如图P5.4所示,试问:(1)该电路的耦合方式;(2)该电路由几级放大电路组成;(3)当f =104HZ时,附加相移为多少?当f =105HZ时,附加相移又约为多少?该电路的上限频率为多少? 解:(1)因为下限截止频率为0 , 所以电路为直接耦合电路; (2)因为在高频段幅频特性为60dB十倍频,所以电路为三级放大电路; (3)当f =104Hz时,f当f =105Hz时,ffH=-4503=-1350; =-90o3=-270o。 310&=该电路的Auf(1+j4)310;上限频率为fHfH1.135.2kHz &5.5已知某电路电压放大倍数:Au&试

4、求解:(1)Aum=-10jfff(1+j)(1+j5)1010=? fL?fH? (2)画出波特图。 &、f和f。 ALHum解:(1)变换电压放大倍数的表达式,求出&=Au-10jf =ffff(1+j)(1+j5)(1+j)(1+j5)10101010-100jf10 &=-100;f=10Hz;f=105Hz。 ALumH(2)波特图如解图P5.5所示。 解图P5.5 解图P5.6 5.6已知两级共射放大电路的电压放大倍数 &=Au200jffff(1+j)(1+j4)(1+j)5102.5105=? fL?fH? (2)画出波特图。 &、f和f。 ALHum&(1)Aum解:(1)

5、变换电压放大倍数的表达式,求出&=Au200jf =ffffff(1+j)(1+j4)(1+j)(1+j)(1+j4)(1+j)555102.5105102.510103jf5&=103;f=5Hz;f104Hz。 ALumH (2)波特图如解图P5.6所示。 5.7电路如图P5.7所示。已知:晶体管的、rbb、Cm均相等,所有电容的容量均相等,静态时所有电路中晶体管的发射极电流IEQ均相等。定性分析各电路,将结论填入空内。 (a) (b) (c) (d) 图P5.7 (1)低频特性最差即下限频率最高的电路是( a )。 (2)低频特性最好即下限频率最低的电路是( c )。 (3)高频特性最差

6、即上限频率最低的电路是( c )。 5.8在图P5.7(b)所示电路中,若要求C1与C2所在回路的时间常数相等,且已知rbe = lk,则C1:C2=?若C1与C2所在回路的时间常数均为25ms , 则C1、C2各为多少?下限频率解:(1)求解C1:C2 因为C1(RsfL=? +Ri)=C2(Rc+RL)将电阻值代入上式,求出:C1:C2=5:1。 (2)求解C1、C2的容量和下限频率 C1=tRs+Ri12.5mF;C2=tRc+RL2.5mF fL1=fL2=12pt6.4Hz;fL1.12fL110Hz &、5.9在图P5.7 (a)所示电路中,若Ce突然开路,则中频电压放大倍数Aus

7、m?为什么? 解:fH和fL各产生什么变化&Ausm&作用下,将减小。因为在同样幅值的Ui&Ib将减小,&Ic&必然减小。 随之减小,UofL减小。因为少了一个影响低频特性的电容。 fH增大。因为Cp会因电压放大倍数数值的减小而大大减小,所以虽然Cp所在回路的等效电阻有所增大,但时间常数仍会减小很多,故5.10电路如图P5.10所示, 已知CgsfH增大。 =Cgd=5pF,gm=5mS, C1=C2=Cs=10mF。 试求fH、fL各约为多少, 并写出&的表达式。图P5.10 Aus&的表达式分析如下: fH、fL和Aus解:&=AusmRi(-gmRL)-gmRL-12.4 Ri+RsfL

8、=116Hz 2pRsCsCgs=Cgs+(1+gmRL)Cgd72pF fH=111.1MHz 2p(Rg/Rs)Cgs2pRsCgs-12.4jf16&Ausff(1+j)(1+j)161.11065.11在图5.4.7(a)所示电路中,已知Rg=2MW,Rd=RL=10kW,C=10mF;场效应管的Cgs=Cgd=4pF , gm=4mS。试画出电路的波特图,并标出有关数据。 解:&=-gR-20,20lgA&26dB AummLumCgs=Cgs+(1+gmRL)Cgd88pF fL10.796Hz 2p(Rd+RL)CfH1904Hz 2pRgCgs其波特图参考解图P5.5。 5.1

9、2已知一个两级放大电路各级电压放大倍数分别为: &UU-25jf-2jfo1o&Au1=;Au2= &ffffUi(1+j)(1+jUi2(1+j)(1+j)541050105(1)写出该放大电路的电压放大倍数的表达式; (2)求出该电路的fL和fH各约为多少; (3)画出该电路的波特图。 解:(1)电压放大倍数的表达式: &=A&A&Auu1u2-50f2=fff(1+j)(1+j)(1+j5)245010(2)fL和fH分别为: fL50Hz; 11fH1.12105, fH64.3kHz解图P5.12 (3)根据电压放大倍数的表达式可知,中频电压放大倍数为104,增益为80dB。波特图如

10、解图P5.12所示。 5.13电路如图P5.13所示。试定性分析下列问题,并简述理由。 (1)哪一个电容决定电路的下限频率; (2)若Tl和T2静态时发射极电流相等,且rbb和Cp相等,则哪一级的上限频率低。 图P5.13 解:(1)决定电路下限频率的是Ce,因为它所在回路的等效电阻最小。 (2)因为R2/R3/R4R1/Rs,CpC所在回路的时间常数大于2p1所在回路的时间常数,所以第二级的上限频率低。 补充1在图P5.7(a)所示电路中,若100 ,rbe =1k,Cl= C2= Ce=100F,则下限频率fL=? 解:由于所有电容容量相同,而Ce所在回路等效电阻最小,所以下限频率决定于C

11、e所在回路的时间常数。 R=Re/rbe+Rs/Rbrbe+Rs20W 1+b1+bfL180Hz 2pRCebb补充2在图P5.7(d)所示电路中,已知晶体管的r=100W,rbe=1kW,静态电流IEQ=2mA, Cp=800pF,Rs=2kW,Rb=500kW,Rc=3.3kW,C=10mF。 试分别求出电路的fH和fL,并画出波特图。 115.3Hz 2p(Rs+Ri)C2p(Rs+rbe)C解:(1)求解fL:fL=(2)求解fH和中频电压放大倍数:rbe=rbe-rbb=0.9kW fH=11316kHz 2prbe/(rbb+Rb/Rs)Cp2prbe/(rbb+Rs)CpgmIEQUT77mA/V &=AusmRirbe(-gmRL)-76 Ri+Rsrbe&20lgAusm37.6dB 其波特图参考解图P5.5。

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