电子科技大学微固考研复试经验.docx

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1、电子科技大学微固考研复试经验今年考上了电子科大，微固专业，作为回报，我简单说一下吧。 我初试分数不高，外校考生，初试分数340+，而今年线是340，可以说希望不 大。但是既然过线，就要努力试试吧。 我比较走运，其实大多数考到340+的，很容易在复试时被淘汰。不过，既然 上了分数线，就别太灰心。电子科大是一个非常公平的学校，你是人才，他们一定会招你， 你把总分搞上去，还有机会，他们的复试公平公正。如果你有一些竞赛获奖那就更好了，或 者你的专业知识非常扎实。 个人建议在复试前联系一下导师，发个简历什么的，让老师对你有个大致的了 解，如果能征得老师同意，提前见一面，那就更好了。 复试流程第一项是导师

2、考察，这个，同学一定要重视，尽管不计入分数，但是， 至关重要，如果老师很喜欢你，那么，你在复试时会有一定优势的，一定要重视。 然后就是笔试了，笔试电路分析，这两年题不难，按照指定书目看一下，做做 课后题，有时间可以到网上买复试题，淘宝上好像就有，一共四本。有本科试题，研究生复 试试题，某学院电分初试题等等。 接下来就是面试了。面试会随机分成几组，你提前不会知道那几个老师面试你， 老师也不会提前知道他会面试到谁，所以，你面试不一定有你报的导师。学生被领到一个屋 子里，里面有五个老师。进去后，先是英语面试。自己提前准备一下英文自我介绍。但不一 定会问到。我比较幸运，被问到这个了。这个每个人情况不同

3、，问题是老师随口问的，每个 学生不同。简单的有自我介绍，你为什么选择电子科大，你的爱好，等等。还有人被问到你 喜欢哪个季节，为什么等等。难的可能会问点专业性的，这个几率不大，如果被问到了，自 认倒霉吧。英语面试也就五分钟左右。然后专业面试。面试的问题也很随机，可能难，也可 能很基础。如果你初试考的数模电，那么复试也重视一下数模电。复习的科目主要就是数模 电，器件，工艺，你要时间充裕，再看看集成电路之类的更好了，这个也得 看你报哪个方向，根据情况看一下。还有如果你答错了，也没关系，老师可能会慢慢引导和 提示你，但如果你一点都不会，千万别乱说。还有，面试时不一定是只能说的问题。我考完 出来，有个研

4、友跟我说，他进去以后，有纸有笔，有些问题，他会让你在纸上画。 下面是我原来在考研论坛搜到的面试问过的题目，还有一些我和一些研友被问到 的题目，仅供参考，但建议你们还是全面复习，考过的，不一定会考。 bicmos怎么制造？优缺点？用途? pM胶正胶反胶？ 现在国内最高做到多少纳米？哪家公司？ 天线长度的影响？ kirk效应？ SR触发器结构？ 反相器延迟？ 负反馈？ 米勒效应有什么应用？ 防止温漂用什么方法？工艺上？设计上? 做反向的流程？ 闩锁效应如何避免？ 还有就是，微固专业很好，但很火，但上不了也没事，可以调剂到其他系，而且 院内调剂不是特难，至少考的都是电分，而且同样是学术型硕士，只是换

5、了个研究方向而已。英语有的组问专业问题的，今年第五组的都是，我就被问到了，结果悲剧。现在写下来留给 后来人， 1，本科学过的课程 2，半导体物理学过那些内容 3，解释本征费米能级 4，增强型MOS管原理， 5，平带电压 6，解释射频 我的就这么多了，我除了回答了第一个其余全是Sorry,结果还是及格了，但是分数算最低的 几个。如LZ所言，碰到这种只有自认倒霉。 同样二本外校今年344分幸运通过电子科技大学微电子复试，补充一下自己被问的问题， 英语口语：自我介绍，为什么选我们专业，兴趣爱好。专业面试：画出积分器的电路图，画 出带通滤波器的接法，用CMOS管构成或非门。 另外，正如LZ所说，导师考

6、察能力那一关是十分重要的，那一关没过基本可以不用参加 复试了。不知道其他学院怎么样，但是微固的复试那是绝对公平的，只要你专业基础知识扎 实，认真准备，一定能脱颖而出的。考试科目829数字电路与模拟电路考试形式笔试 考试时间180分钟考试总分150分 一、总体要求 主要考察学生对数字电路、模拟电路课程中基本知识、基本原理以及基本技能的掌握情 况;考察学生运用所学知识去分析与设计具体数字电路、模拟电路的能力。 二、内容及比例 数字电路部分 1、数制和编码 掌握数制、码制及相互转换方法。 2、逻辑代数基础 1）、掌握逻辑代数的逻辑运算、公式和规则 真值表、卡诺图、逻辑式、逻辑图以及相互转换。 2）、

7、掌握逻辑关系式的化简方法 3、逻辑门电路 掌握TTL、CMOS逻辑门电路的功能、电气特性、应用和使用注意事项 4、组合电路分析与设计 1）、掌握组合电路特点及分析方法： 2）、掌握组合电路的设计方法 对于给定设计要求，能够建立真值表或函数关系式。 对于给定的真值表或函数关系式，能够利用卡诺图得出最简与或式，并采用基本的门电路 进行连接，画出对应的逻辑电路图。 3）、利用集成组合电路进行设计 重点掌握译码器、数值比较器、数据选择器、加法器的逻辑功能和使用方法，包括级联和 功能扩展方法。能够采用以上电路进行一般组合电路的设计。 5、时序电路分析与设计 1）、掌握触发器的分类、逻辑功能、触发方式和特

8、性方程 2）、掌握时序电路的分析方法与设计方法 重点掌握状态机、计数器、移位寄存器的原理与设计。 重点掌握常用中规模时序逻辑器件的逻辑功 能和使用方法，包括功能扩展方法。能够采用以上电路进行一般时序电路的设计。 6、存储器、CPLD和FPGA 了解常用半导体存储器的结构特点和工作原理。了解可编程逻辑器件的 原理和结构。 模拟电路部分 第一章半导体材料及二极管 1、半导体基础知识： 本征半导体与杂质半导体，本征激发与复合，杂质电离，空穴导电原理，多子 与少子，漂移电流与扩散电流的概念。PN结的形成、耗尽层、空间电荷区和势垒区的含义，PN结 的单向导电特性，不对称PN结。 2、二极管特性： 二极管

9、单向导电特性及二极管方程，二极管伏安特性曲线及其温度特性，二极管导通电压与反 向饱和电流，二极管的直流电阻与交流电阻，硅二极管与锗二极管的区别。二极管的反向击穿特性；二极管的电容 效应。 3、二极管应用： 二极管模型：理想二极管模型；恒压源模型；二极管折线模型。 二极管单向导电特性应用：半波与全波整流电路；单向与双向限幅电路；二极管开关电路。 二极管反向击穿特性应用：稳压电路的稳压原理，简单稳压电路的分析与计算，稳压二极管的 串并联等效。 第二章双极型晶体三极管 1、BJT原理 NPN和PNP管的放大偏置，放大偏置时内部载流子传输，放大偏置的外电流关系， 放大偏置时的vBE、 vCE作用，BJ

10、T的截止与 饱和状态。 2、BJT静态伏安特性曲线 共射输入特性曲线和输出特性曲线及特点。 3、BJT参数 , ,ICBO,ICEO,ICM,PCM,BVCEO和fT的含义 BJT管型判别和BJT的放大、截止与饱和状态判别。 4、BJT模型 BJT的小信号等效模型：简化模型及其模型参数的求解式。 BJT的混合等效模型：会画完整模型和了解模型参数的物理含义。 第三章BJT放大电路 1、放大器的一些基本概念 信号源，负载电阻，输入输出电压，耦合电容与旁路电容， 直流通路与交流通路，交流地，工作点，小信号放大过程。 2、BJT偏置电路 掌握工作点的估算，基极分压射极偏置电路的稳Q原理和稳定条件。 3

11、、BJT三种基本组态放大器 小信号放大器指标：端增益，源增益，输入与输出电阻，管端输入与输出电阻。 CE、CC、CB放大电路、指标及特点。 交流负载线，放大器动态范围，截止与饱和失真。 4、多级放大器 级间耦合方式，直流放大器的特殊问题，放大器通用模型，多级放大器指标计算。 第四章MOSFET及基本放大电路 1、FET原理 了解FET的分类、电路符号，了解N沟道JFET及N沟道增强MOSFET的工作原理，放大区的沟 道状态及 vGS和vOS此时对iD的影响 2、FET特性曲线 以N沟道JFET为重点，了解FET的结构特性曲线和输出特性曲线，掌握放大区的平方律公式。 3、FET偏置电路 掌握工作

12、点的估算方法，了解P沟道FET与N沟道FET偏置极性的差别。 4、FET的小信号模型 理解gm的含义及计算式，理解rds含义，完整模型和低频模型。 5、FET的CS和CD组态放大器放大器电路、指标计算及特点。 第五章放大器的频率响应 1、放大器频率响应的概念及描述 产生频率响应的原因，放大器频率特性函数，fL、fH、 BW的定义，幅频特性和相频特性函数， 频率失真及其与非线性失真的区别，对数频率特性曲线波特图的概念。 放大器的增益函数，零、极点。 2、放大器的低、高频截止频率的估算 用短路时间常数法估算 fL，用开路时间常数法估算fH。 第六章模拟集成单元电路 1、恒流源(理解电路原理和特点)

13、 恒流源电路的原理和模型，基本镜像恒流源、比例恒流源和微电流恒流源电路和特点，有源负 载放大器原理。 2、差动放大器 差放的信号分解，各种差放电路，工作点估算，差放的指标及用单边等放电路法求指标，差放抑制零漂的原因，差放的小信号范围 及大信号限幅特性。 3、OCL和OTL功率输出电路 功放的分类，乙类功放优于甲类功放的特点，乙类功放的交越失真及克服方法。 OCL和OTL电路原理及满激励指标，功率管极限参数对OCL和OTL功放 的限制，实用电路分析，复合管。 第七章负反馈技术 1、单环理想模型 基本概念：原输入xs、净输入xi和反馈信号xf，A放大器、B网络，开环增益 A与Af闭环增 益，反馈系

14、数 B，反馈深度F，环路传输系数T，基本反馈方程，正反馈与负反馈，深度负反馈。 四种反馈类型及其双口网络模型。 2、实际反馈放大器类型及极性的判断 3、负反馈对放大电路的影响 了解和理解负反馈稳定闭环增益、展宽通频带、减少非线性失真、改变输入输出电阻和稳定工 作点的作用 4、在深负反馈条件下正确计算A f和Avsf 5、负反馈放大器的稳定性 产生自激振荡的原因，自激条件，用已知的T(j)和A(j)的波特图判断稳 第八章集成运算放大器 1、集成运放电路组成及特点 2、了解集成运放的主要参数：Avd，KCMR，Rid， Ro，BWG，SR，VIO，dVIO/dT，Iio，dIio/dT3、理想运放

15、分析法 虚短路与虚开路法则，理想运放分析法成立的原因，两个基本的运放负反馈电路、公式及特点。 4、运放的线性应用电路 代数和运算电路，差动放大器，积分器与微分器，运用理想运放分析法分析各种实用的线性应 用电路。 三、题型及分值数字电路部分： 填空题：30% 选择题：20 分析设计题：50% 模拟电路部分： 填空题:40%； 计算题:60%电子科技大学XX年硕士研究生入学考试初试考试大纲考试科目829数字电路与模拟电路考试形式笔试考试时间180分钟考试总分150分参考书目数字设计-原理与实践(第三版)JohnF.Wackerly机械工业出版社XX年 模拟电路基础刘光祜电子科技大学出版社 一、总体

16、要求 二、内容及比例 一、数字电路 逻辑关系的表达和基本化简方法 掌握组合逻辑关系的基本表示方法： 真值表、卡诺图、逻辑式、逻辑图 已知一种表达形式，能够将其转换为其他形式 逻辑关系式的化简： 掌握逻辑关系式的标准表达式； 掌握卡诺图化简的方法，能够得出最简与或式； 掌握利用无关项进行化简的方法； 组合逻辑部分 组合电路分析： 对于已知电路图，写出逻辑表达式，作出卡诺图和真值表，指出各端口功能； 对于已知电路图，利用卡诺图分析竞争冒险问题； 简单组合电路的设计： 对于给定设计要求，能够建立真值表或函数关系式； 对于给定的真值表或函数关系式，能够利用卡诺图得出最简与或式，并采用基本的门电路 进行

17、连接，画出对应的逻辑电路图； 要求掌握下列设计实例：数据判断电路、二进制译码器、数据选择器、全加器 利用集成组合电路进行设计： 掌握集成二进制译码器、集成数据选择器的基本输入输出特点和级连扩展方法； 能够采用集成二进制译码器和集成数据选择器进行一般组合电路的设计； 时序逻辑部分 时序电路的分析 掌握JK触发器和D触发器的特性方程； 对于已知时序电路图，能够写出对应的驱动方程、输出方程； 能够利用写出的驱动方程结合对应触发器的特性方程得到时序电路的状态方程； 能够根据电路的状态方程作出状态/输出表，并由此画出状态转换图； 能够根据状态方程或状态转换图，讨论该时序电路的基本功能和特点。 基本时序电

18、路的设计 有限状态机设计： 能够通过对设计要求的分析建立状态转换图或状态/输出表； 利用状态/输出表，通过相应的卡诺图得出最简单的激励方程与输出方程； 根据激励方程与输出方程画出相应的逻辑电路图。 要求掌握下列设计实例：一般计数器、序列发生器、序列信号检测器； 利用集成时序电路进行设计： 掌握集成计数器、集成移位寄存器的基本输入输出特点和级连扩展方法； 能够通过对集成计数器的端口设计实现任意指定进制的计数器； 能够根据要求，进行移位寄存器型计数器的设计：设计相应的反馈组合电路； 附：需要掌握的常用集成电路 741383-8线二进制译码器 74153双4选1数据选择器 74160/2十进制计数器

19、 74161/34位二进制加法计数器 741944位多功能移位寄存器 必须掌握上述电路的各端口的功能，扩展及使用方法。 二、模拟电路 第一章晶体二极管及应用电路 1、半导体基础知识： 本征半导体与杂质半导体，本征激发与复合，杂质电离，空穴导电原理，多子 与少子，漂移电流与扩散电流的概念。PN结的形成、耗尽层、空间电荷区和势垒区的含义，PN结 的单向导电特性，不对称PN结。 2、二极管特性： 二极管单向导电特性及二极管方程，二极管伏安特性曲线及其温度特性，二极管导通电压与反 向饱和电流，二极管的直流电阻 与交流电阻，硅二极管与锗二极管的区别。二极管的反向击穿特性；二极管的电容 效应。 3、二极管

20、应用： 二极管模型：理想二极管模型；恒压源模型；二极管折线模型。 二极管单向导电特性应用：半波与全波整流电路；单向与双向限幅电路；二极管开关电路。 二极管反向击穿特性应用：稳压电路的稳压原理，简单稳压电路的分析与计算，稳压二极管的 串并联等效。 第二章双极型晶体管 1、BJT原理 NPN和PNP管的放大偏置，放大偏置时内部载流子传输，放大偏置的外电流关系， 放大偏置时的vBE、 vCE作用，BJT的截止与 饱和状态。 2、BJT静态伏安特性曲线 共射输入特性曲线和输出特性曲线及特点。 3、BJT参数 , ,ICBO,ICEO,ICM,PCM,BVCEO和fT的含义 BJT管型判别和BJT的放大

21、、截止与饱和状态判别。 4、BJT模型BJT的小信号等效模型：简化模型及其模型参数的求解式。 BJT的混合等效模型：会画完整模型和了解模型参数的物理含义。 第三章晶体管放大器基础 1、放大器的一些基本概念 信号源，负载电阻，输入输出电压，耦合电容与旁路电容， 直流通路与交流通路，交流地，工作点，小信号放大过程。 2、BJT偏置电路 掌握工作点的估算，基极分压射极偏置电路的稳Q原理和稳定条件。 3、BJT三种基本组态放大器 小信号放大器指标：端增益，源增益，输入与输出电阻，管端输入与输出电阻。 CE、CC、CB放大电路、指标及特点。 交流负载线，放大器动态范围，截止与饱和失真。 4、多级放大器

22、级间耦合方式，直流放大器的特殊问题，放大器通用模型，多级放大器指标计算。 第四章场效应管及基本放大电路 1、FET原理 了解FET的分类、电路符号，了解N沟道JFET及N沟道增强MOSFET的工作原理，放大区的沟 道状态及 vGS和vOS此时对iD的影响 2、FET特性曲线 以N沟道JFET为重点，了解FET的结构特性曲线和输出特性曲线，掌握放大区的平方律公式。 3、FET偏置电路 掌握工作点的估算方法，了解P沟道FET与N沟道FET偏置极性的差别。 4、FET的小信号模型 理解gm的含义及计算式，理解rds含义，完整模型和低频模型。 5、FET的CS和CD组态放大器 放大器电路、指标计算及特

23、点。 第五章模拟集成单元电路 1、恒流源(理解电路原理和特点) 恒流源电路的原理和模型，基本镜像恒流源、比例恒流源和微电流恒流源电路和特点，有源负 载放大器原理。 2、差动放大器 差放的信号分解，各种差放电路，工作点估算，差放的指标及用单边等放电路法求指标，差放抑制零漂的原因，差放的小信号范围 及大信号限幅特性。 3、OCL和OTL功率输出电路 功放的分类，乙类功放优于甲类功放的特点，乙类功放的交越失真及克服方法。 OCL和OTL电路原理及满激励指标，功率管极限参数对OCL和OTL功放 的限制，实用电路分析，复合管。 第六章放大器的频率响应 1、放大器频率响应的概念及描述 产生频率响应的原因，

24、放大器频率特性函数，fL、fH、 BW的定义，幅频特性和相频特性函数， 频率失真及其与非线性失真的区别，对数频率特性曲线波特图的概念。 放大器的增益函数，零、极点。 2、放大器的低、高频截止频率的估算用短路时间常数法估算fL，用开路时间常数法估算fH。 第七章负反馈技术 1、单环理想模型 基本概念：原输入xs、净输入xi和反馈信号xf，A放大器、B网络，开环增益 A与Af闭环增 益，反馈系数 B，反馈深度F，环路传输系数T，基本反馈方程，正反馈与负反馈，深度负反馈。 四种反馈类型及其双口网络模型。 2、实际反馈放大器类型及极性的判断 3、负反馈对放大电路的影响 了解和理解负反馈稳定闭环增益、展

25、宽通频带、减少非线性失真、改变输入输出电阻和稳定工 作点的作用 4、在深负反馈条件下正确计算A f和Avsf 5、负反馈放大器的稳定性 产生自激振荡的原因，自激条件，用已知的T(j)和A(j)的波特图判断稳 第八章集成运算放大器及应用 1、集成运放电路组成及特点 2、了解集成运放的主要参数：Avd，KCMR，Rid， Ro，BWG，SR，VIO，dVIO/dT，Iio，dIio/dT3、理想运放分析法 虚短路与虚开路法则，理想运放分析法成立的原因，两个基本的运放负反馈电路、公式及特点。 4、运放的线性应用电路 代数和运算电路，差动放大器，积分器与微分器，运用理想运放分析法分析各种实用的线性应 用电路。 三、题型及分值 主要题型：填空题、判断题、分析设计题、计算题 推荐阅读： 电子科技大学考研专业课高分必备指南 电子科技大学历年专业课考研试题汇总 电子科技大学硕士研究生招生专业目录 电子科技大学历年硕士分专业报考录取情况 公共课下载