《成都嘉石科技有限公司.doc》由会员分享，可在线阅读，更多相关《成都嘉石科技有限公司.doc（42页珍藏版）》请在三一办公上搜索。
1、成都嘉石科技有限公司6吋第二代/第三代半导体集成电路芯片生产线项目环境影响报告书ENVIRONMENTAL IMPACT ASSESSMENT REPORT（简本）信息产业电子第十一设计研究院科技工程股份有限公司二一三年四月 成都1. 建设项目概况1.1 项目背景根据国家权威机构的研究，我国高端电子元器件领域总体状况是：以集成电路为代表的高端器件仅能解决90%(品种)的设计，高端产品制造仅有不到20%(品种)的能力(80%以上依赖外资和境外工艺线支撑制造)。第二代/第三代半导体集成电路的领跑者美国TriQuint公司2011年在中国大陆市场销售额占其总销售额的43%，2011年6月已量产GaN
2、微波功率器件，成为全球唯一厂商。中国占法国UMS公司流片代工业务的25。台湾稳懋公司2010年为中国大陆代工6吋晶圆约1万片，2012年代工销往中国手机用功放晶圆约20万片(功放芯片约1亿只)；2011年成为全球半导体集成电路公司增长最快的公司，2012年成为GaAs半导体集成电路全球排名第一的代工厂。为了填补国内6吋第二代/第三代半导体集成电路制造线的空白，成都嘉石科技有限有限公司在2011年即启动了以砷化镓、氮化镓为代表的第二代/第三代半导体集成电路研发项目，并计划投资195000万元在双流西南航空港经济开发区物联网产业区内建设“物联网高端制造核心制造项目”（以下简称“原项目”）。原项目拟
3、修建芯片生产、封装厂房、组件厂房、装配调试厂房等及配套的动力厂房、化学品库、废水处理站及相关配套设施，实现达产后形成砷化镓/氮化镓芯片4500片/年，陶瓷/薄膜/微波电路、微波组件、微波测试模块、微波部件、分机电源约30000片（只）/年，物联网产品倒车雷达、GPS、智能机器人10300只（个）/年的生产能力。原项目已于2012年2月17日取得了成都市环境保护局出具的关于成都嘉石科技有限有限公司物联网高端制造核心制造项目环境影响报告书的审查批复（成环建瓶201272号）。原项目现已基本完成了G07芯片厂房、G04动力厂房、G02化学品库三栋建筑的土建部分，尚未安装生产线，未投入生产。近年来，市
4、场对第二代/第三代半导体集成电路的需求急剧增长。以对其需求量最大的无线通信领域为例（无线通信领域约占第二代/第三代半导体集成电路市场份额的80%以上）。根据Gartner的调查，2010年3季度全球手机销售4.1亿只，以往2G/2.5G 手机仅需一颗PA，但多频多模的3G/3.5G 手机则需要4-6颗PA，以符合各种网络技术规范及漫游需求。在中国大陆3G/4G(LTE)智能移动通信终端GaAs PA/SW芯片和基站GaN-Si功放器件芯片等市场方面，依据华为公司提供的数据，如能替代华为等制造企业和手机芯片设计公司进口量的一部分，2015年即可有6吋GaAs 3万片/年和6吋GaN 1万片/年的
5、市场，2018年还可以翻一番。为此，成都嘉石科技有限有限公司及时调整产品计划，拟在原项目所在地块增加投资（总投资达209200万元）建设“6吋第二代/第三代半导体集成电路芯片生产线项目”（以下简称“本项目”）。本项目取消原项目的陶瓷电路、物联网产品的生产，仅建设砷化镓、氮化镓生产线及SIP封装生产线，达到年产砷化镓、氮化镓7万片/年、SIP封装3万片/年的生产能力。目前，本项目已取得了四川省发展和改革委员会出具的企业投资项目备案通知书（备案号：川投资备510000130311010014号）和双流县规划管理局出具的用地规划条件书（咨2011002号）。1.2 项目基本情况项目名称：6吋第二代/
6、第三代半导体集成电路芯片生产线项目建设单位：成都嘉石科技有限公司建设地点：双流县西南航空港经济开发区物联网产业园建设性质：新建总 投 资：209200万元人民币劳动定员：预计项目达产时，员工总数约812人。工作制度：年工作日330天，每天24小时，年运行7920小时。建设进度：研发线预计2013年年底建成，生产线预计2014年年底建成。1.3 建设内容及生产大纲从时序上，建设内容主要包括研发线及生产线两部分，产品主要包括砷化镓/氮化镓芯片、SIP微波器件/组件。研发线：1、建设6吋第二代和第三代半导体集成电路共线的研发线；2、建设封装测试线；3、建设4万平米生产厂房、职工倒班房及配套设施。生产
7、线：1、研发线扩建成第二代半导体集成电路芯片生产线；2、建设第三代半导体集成电路芯片生产线；3、建设10万平米生产厂房、实验楼、办公楼及配套设施。研发线为过渡线，且时间间隔很短，因此，本次评价不分期。项目生产大纲见下表。表1-1 生产大纲序号名称单位数量备注1半导体芯片砷化镓半导体芯片（6寸）片/年4000065g/片2氮化镓半导体芯片（6寸）片/年300003SIP封装（微波组件）片/年300001.4 主要技术经济指标及厂区建筑物功能项目总征地278.15亩，总用地230.73亩，总建筑面积139423.37平米，项目主要技术经济指标见下表。表1-2 主要技术经济技术指标一览表序号名称单位
8、数 量备 注1总征地面积m2185435合278.15亩2总用地面积m2153819合230.73亩3建筑物占地面积m262115.074总建筑面积m2139423.375建筑密度%406容积率1.0厂区主要构筑物及功能见下表。表1-3 厂区建构筑物及功能一览表建筑编号建筑名称层数/F占地面积(m2)建筑面积(m2)功能及其他G-01变电站（35KV）1637637G-02化学品库1486.9486.9有机化学品、气瓶区、酸碱化学品G-02a应急水池120G-03废料库1451.4461一般废物、危险废物暂存G-04动力厂房-1/23929.378955.57-1F：水泵房、生产及消防水池、楼
9、梯间1F：纯水站、废水处理站锅炉房、柴油发电机房2F：配电室、空压机房、冷冻站、空调机房2F屋顶：冷却塔G-04a气罐区220供N2、O2G-05机动车库A161843092G-06封装厂房1、2、310878.220328.5SIP封装G-07器件厂房A2、3、48086.120527砷化镓芯片加工氮化镓芯片加工G-08器件厂房B2、3、48086.120527预留厂房G-09组件厂房2736514730预留厂房G-10门卫B11212A-01总部研发中心5286814340研发办公A-02SIP封装工艺研发中心38803000A-03贴装研发中心38803000A-04焊接材料研发中心2、
10、315004000A-05芯片工艺研发中心2、315004000A-06芯片工艺研发中心2、315004000A-07器件模型设计中心2、315004000A-08餐厅及倒班宿舍2、6372010000A-09员工宿舍65383228A-10员工宿舍66704020A-11员工宿舍66704020A-12门卫A17272合计62115.07139423.371.5 生产工艺及产污节点1、芯片生产工艺及产污节点设备及原辅材料生产工艺产生的污染物砷化镓外延片原料：氨水、盐酸、双氧水、异丙醇（IPA）、高纯水、晶背清洗液（EBR）设备：清洗机清 洗酸碱废水、含氨废水、有机废水酸性废气（HCl）、有机
11、废气废酸液（盐酸）废有机溶剂（IPA、丙酮、EBR）原料：三氟化硼、硅烷、He设备：离子植入机离子注入原料：光刻胶、显影液、Ne/F2/Kr、Ne/F2/Ar设备：涂布机、对准机、曝光机光 刻有机废气、酸性废气(含氟化物)废有机溶剂(废光刻胶、废显影液)原料：双氧水、柠檬酸、蚀刻缓冲剂（BOE）、高纯水、盐酸、氢氟酸、磷酸、硫酸、硝酸设备：刻蚀机、旋转刻蚀台湿法腐蚀酸碱废水（含砷）、有机废水、含氟废水酸性废气废酸液（盐酸、氢氟酸、硫酸、硝酸、柠檬酸）废有机溶剂(BOE)原料：Au、Ti、N2、Ar、Al、Ni、Ge、Pt、Ta、He设备：溅射台、溅射机PVD沉积(溅射)原料：N-甲基四氢比咯酮
12、（NMP）、四氟化碳设备：光阻剥离机去 胶废有机溶剂（NMP）有机废气工艺尾气原料：氮气、硅烷、N2O、O2、NH3、He设备：化学气相沉积台CVD沉积工艺尾气原料：刻蚀气体（SF6）、氯气、BCl3、HBr、C4F8设备：刻蚀机、旋转刻蚀台干法刻蚀工艺尾气原料：高纯水设备：抛光机、研磨台背面减薄含砷废水原料：亚硫酸盐镀金液（无氰）设备：电镀机金属化（电镀金）酸性废气废电镀液原料：纯水设备：打线机、切割机划 片含砷废水设备：各种检测仪、测试仪等检 测不合格品砷化镓芯片图1-1 砷化镓芯片生产工艺流程及产污示意图设备及原辅材料生产工艺产生的污染物氮化镓外延片原料：氨水、盐酸、双氧水、异丙醇（IP
13、A）、高纯水、晶背清洗液（EBR）设备：清洗机清 洗酸碱废水、含氨废水、有机废水酸性废气（HCl）、有机废气废酸液（盐酸）废有机溶剂（IPA、丙酮、EBR）原料：三氟化硼、硅烷、He设备：离子植入机离子注入原料：光刻胶、显影液、Ne/F2/Kr、Ne/F2/Ar设备：涂布机、对准机、曝光机光 刻有机废气、酸性废气(含氟化物)废有机溶剂(废光刻胶、废显影液)原料：双氧水、柠檬酸、蚀刻缓冲剂（BOE）、高纯水、盐酸、氢氟酸、磷酸、硫酸、硝酸、碘/碘化钾设备：刻蚀机、旋转刻蚀台湿法腐蚀酸碱废水、含氟废水、有机废水酸性废气废酸液（盐酸、氢氟酸、硫酸、硝酸、柠檬酸）废有机溶剂(BOE)原料：Au、Ti、
14、N2、Ar、Al、Ni、Ge、Pt、Ta、He设备：溅射台、溅射机PVD沉积(溅射)原料：N-甲基四氢比咯酮（NMP）、四氟化碳设备：光阻剥离机去 胶废有机溶剂（NMP）有机废气工艺尾气原料：氮气、硅烷、N2O、O2、NH3、He设备：化学气相沉积台CVD沉积工艺尾气原料：刻蚀气体（SF6）、氯气、BCl3、HBr、C4F8设备：刻蚀机、旋转刻蚀台干法刻蚀工艺尾气原料：高纯水设备：抛光机、研磨台背面减薄悬浮物废水（不含砷）原料：亚硫酸盐镀金液（无氰）设备：电镀机金属化（电镀金）酸性废气废电镀液原料：纯水设备：打线机、切割机划 片悬浮物废水（不含砷）设备：各种检测仪、测试仪等检 测不合格品氮化镓
15、芯片图1-2 氮化镓芯片生产工艺流程及产污示意图设备及原辅材料工艺流程产生的污染物原料：外购的基板、元器件等来料准备原料：乙醇、异丙醇、丙酮、三氯乙烯、去离子水设备：清洗机、烘箱清洗有机废水有机废气废有机溶剂（IPA、乙醇、丙酮、三氯乙烯）原料：导电银胶、环氧胶、助焊剂活性松香、氮气设备：焊膏印刷机、贴片机、烘箱SMT组件贴装有机废气原料：导电银胶、环氧胶、助焊剂活性松香、氮气设备：自动贴片机、烘箱正装芯片贴装有机废气原料：金丝、金带设备：丝焊机丝焊材料：塑料颗粒设备：自动注塑机注塑有机废气固体废物设备：激光打标机机激光打标原料：导电银胶、环氧胶、助焊剂活性松香、氮气设备：自动贴片机、烘箱底部
16、无源器件贴装有机废气原料：焊球（锡球）、氮气设备：植球机、回流炉锡球种植有机废气设备：切板机分片废边角料设备：检测设备封装检测微波组件图1-3 无倒装芯片封装工艺流程及产污环节设备及原辅材料工艺流程产生的污染物原料：外购的基板、元器件等来料准备原料：乙醇、异丙醇、丙酮、三氯乙烯、去离子水设备：清洗设备、烘箱清洗有机废水有机废气废有机溶剂（IPA、乙醇、丙酮、三氯乙烯）原料：导电银胶、环氧胶、助焊剂活性松香、氮气设备：焊膏印刷机、贴片机、烘箱SMT组件贴装有机废气原料：导电银胶、环氧胶、助焊剂活性松香、氮气设备：自动焊膏印刷机、贴片机、回流炉正装芯片贴装有机废气原料：金丝、金带设备：丝焊机丝焊材
17、料：焊球(锡焊球)、倒装芯片、三氯乙烯设备：自动倒装贴片机、回流炉倒装芯片贴装有机废气材料：下填充胶（环氧树脂）设备：自动点胶机倒装芯片底部填充材料：散热胶设备：自动点胶机点散热胶有机废气材料：环氧胶设备：自动点胶机帖盖有机废气激光打标机激光打标原料：导电银胶、环氧胶、助焊剂活性松香、氮气设备：自动焊膏印刷机、贴片机、回流炉底部无源器件贴装有机废气原料：焊球（锡球）、氮气设备：植球机锡球种植含尘废气设备：测试仪、显微镜封装检测不合格品微波组件图1-4 有倒装芯片封装工艺流程及产污环节设备及原辅材料工艺流程产生的污染物原料：外购的基板、元器件等来料准备原料：乙醇、异丙醇、丙酮、三氯乙烯、去离子水
18、设备：清洗设备、烘箱清洗有机废水有机废气废有机溶剂（IPA、乙醇、丙酮、三氯乙烯）原料：围框设备：烘箱围框焊接原料：导电银胶、环氧胶、助焊剂活性松香、氮气设备：焊膏印刷机、贴片机、烘箱SMT组件贴装有机废气原料：导电银胶、环氧胶、助焊剂活性松香、氮气设备：自动焊膏印刷机、贴片机、回流炉正装芯片贴装有机废气原料：金丝、金带设备：丝焊机丝焊原料：金属围框设备：平衡缝焊机金属封盖有机废气设备：激光打标机机激光打标原料：导电银胶、环氧胶、助焊剂活性松香、氮气设备：自动贴片机、烘箱底部无源器件贴装有机废气原料：焊球（锡球）、氮气设备：植球机锡球种植有机废气设备：检测设备封装检测不合格品微波组件图1-5
19、陶瓷/金属封装工艺流程及产污环节1.6 产业政策符合性1、本项目主要生产砷化镓/氮化镓芯片（仅为芯片加工）和微波器件组件。根据产业结构调整指导目录（2011年本），本项目属于“鼓励类”行业第二十八条“信息产业”第10款“下一代互联网网络设备、芯片、系统以及相关测试设备的研发和生产”及第19款“集成电路设计、线宽0.8微米以下集成电路制造、及球栅阵列封装（BGA）、插针网格阵列封装（PGA）、芯片规模封装（CSP）、多芯片封装（MCM）等先进封装与测试”，同时本项目使用的各类设备均不在产业结构调整指导目录（2011年本）淘汰之列，生产产品不属于产业结构调整指导目录（2011年本）淘汰产品。党的1
20、6大把大力推进信息化作为我国在新世纪头20年经济建设和改革的一项重要任务，明确要求“坚持以信息化带动工业化，以工业化促进信息化”，“走新型工业化道路”。党的17大进一步提出了“五化并举”与“两化融合”发展的目标，再次强调了走新型工业化道路，大力推广信息技术的应用与推动国家信息化建设的战略方针。因此，本项目符合国家现行产业政策。2、成都市人民政府办公厅于2008年2月13日以成办发200811号文印发了成都市产业投资导向目录（2008年修订）（以下简称“目录”），目录中电子信息产业中将“集成电路设计、制造、封装测试及相关产品”列为鼓励类。因此，本项目符合成都市现行产业政策。3、四川省发展和改革委
21、员会为本项目出具了企业投资项目备案通知书（川投资备510000130311010014）。综上所述，本项目符合国家及地方相关产业政策。1.7 规划符合性1.7.1 与相关规划文件的符合性项目建设符合关于加快培育和发展战略性新兴产业的决定中明确提出的战略性新兴产业“新一代信息技术产业”的发展重点及发展方向为：加快建设宽带、泛在、融合、安全的信息网络基础设施，推动新一代移动通信、下一代互联网核心设备和智能终端的研发及产业化，加快推进三网融合，促进物联网、云计算的研发和示范应用。项目建设符合四川省国民经济和社会发展第十二个五年总体规划纲要中提出的“新一代信息技术是指重点发展集成电路、新型显示、高端软
22、件和服务器等核心基础产业”的要求。本项目选址于双流县西南航空港经济开发区物联网产业区内，进行集成电路芯片及微波器件组件的生产，符合成都市工业发展规划中提出的“将双流县为辐射发展区，重点发展软件及信息服务、集成电路、光电产品、网络和通信设备、航空电子、物联网研发。“（四）发展重点：5、双流县重点发展物联网产品，支持具有自主知识产权的超高频和微波频段的射频识别(rfid)芯片”的要求。本项目主要进行芯片、微波器件组件的生产，不属于规划确定的重点监控行业。项目位于双流县航空港经济开发区物联网产业园区，不在规划确定的重点监控区域之列，也不属于重要生态功能区和因重金属污染导致环境质量不能稳定达标的区域，
23、不在“规划”禁止新建排放重金属污染物的区域。同时，本项目建设单位不属于重金属防治重点企业。项目外排废水中砷浓度满足排放标准，本项目的建设符合四川省重金属污染综合防治“十二五”规划中的相关规定。故项目建设符合相关规划要求。1.7.2 与园区规划环评的符合性本项目选址于双流物联网园区内。根据园区规划环评与审查意见，本项目与其符合性分析如下：2011年12月，四川省国环环境工程咨询有限公司编制完成了成都物联网产业园区规划环境影响报告书，成都市环境保护局以成环建评20122号文下发了该报告书的审查意见。根据园区规划环评与审查意见，本项目与其符合性分析如下：1、与园区产业定位符合性分析根据规划及规划环评
24、，园区规划产业定位为：以一类工业为主，融居住、工业及各类服务设施于一体，成为环境优美、配套设施齐全的工业园区。产业以建立健全物联网产业结构链，以物联网产业发展平台及其载体为主导，引入设备制造、芯片设计、模块研发等相关配套产业，充分利用高新技术完成产业升级，通过外部协作与内部专业化分工，构建园区创新型物联网产业集群。本项目主要进行第二代/第三代半导体集成电路芯片的生产，符合园区产业定位。2、与园区功能结构符合性分析本项目主要进行芯片生产，位于园区中的工业片区，符合园区功能结构布局要求。3、与园区行业准入要求的符合性分析根据园区环评及审查意见，项目行业准入要求如下：鼓励类：符合产业政策，满足国家和
25、地方相关要求的物联网产业研发、设计、技术开发，物联网装备制造，通信运营、数据存储、灾备服务等物联网应用服务。允许类：选址于周围环境相容，与物联网配套和关联的加工、生产、制造业产业企业。禁止类：不符合产业政策和本园区规划要求、选址与周围环境不相容产业企业。具体包括： 禁止引入污染严重的行业如化工、电镀行业等（与物联网装备制造、电子行业生产配套的电镀工序除外）； 皮革、印染等废水难于处理的企业； 制浆造纸等废水排放量大的行业； 金属冶炼等大气污染物排放量大的企业； 技术落后，不能执行清洁生产的企业； 不符合行业准入条件的企业； 不符合国家产业政策的企业。本项目属于电子行业，为允许入园企业类型。项目
26、产生的废水、废气、噪声及固废经相应的污染治理措施处理后，项目不会对区域环境造成明显污染。项目生产过程涉及的电镀为电子行业配套的电镀工序，符合园区产业规划要求。4、与园区清洁生产要求符合性分析规划环评中对入园企业的清洁生产技术提出了明确要求，具体如下：入驻企业必须采用国际、国内先进水平的生产工艺、设备及污染治理技术，能耗、物耗、水耗等均应达到相应行业的清洁生产水平二级或国内先进水平。目前国家未颁布芯片生产行业的清洁生产标准，本项目采用国内先进生产工艺、设备及污染治理技术，能耗、物耗及水耗均能达到国家清洁生产先进水平，符合园区清洁生产技术要求。5、与园区规划调整建议符合性分析表1-4 与园区详细性
27、规划优化调整建议符合性分析一览表优化或调整建议与要求本项目情况符合性建议将研发、设计、技术开发、组装等设置在东面靠近规划的天府新城居住区，和北面靠近公兴镇位置的地块上。并且在这些地块与外环境之间设置防护绿化带。在园区内靠近西面、南面及中部的地块设置生产、制造、精密加工企业。环境保护目标（园区内的居住、商业用地）与工业用地之间均设置防护绿化带，注意树种的选择，选择性的种植对大气污染物有净化作用的种群，减少工业企业对环境保护目标造成的影响。在总平面布局时，尽量将高噪声设备布局到远离环境保护目标的一侧。本项目属于芯片生产，位于园区南部。项目高噪声设备布置在远离环境保护目标的一侧。符合在规划的一类工业
28、用地范围内能源结构必须为天然气或电等清洁能源，不得使用燃煤。项目能源主要为电和天然气等清洁能源。符合综上，本项目建设符合物联网产业园区规划。1.8 选址合理性项目所在的盐亭工业园区给水、排水、供电、供气及光纤、电缆等基础设施完备，为项目建设提供了良好的平台。由现状外环境分析可知：项目周边无自然保护区、风景区和名胜古迹，主要的保护目标为周围散居的农户（最近农户距项目南侧约360m），根据大气影响预测，项目其大气污染物最大落地浓度：氟化物为0.000162mg/m3，HCl为0.001924mg/m3，硫酸雾为0.01074mg/m3，氯气为0.000028mg/m3，氨为0.000128mg/m
29、3，非甲烷总烃为0.007715mg/m3，叠加值均小于相关标准限值要求，对农户的影响很小；项目废水由厂区污水处理站处理后经管网排入华阳第二污水处理厂处理，不直接进入地表水体，对水环境无不良影响。由规划外环境分析可知：项目周边无自然保护区、风景区和名胜古迹，主要的保护目标为地块周围的规划居住用地、规划科研教育用地、规划商业用地和规划行政办公用地。距离项目最近的保护目标为东侧约100m处的规划商业用地，位于项目侧风向，受项目大气污染影响很小；项目废水由厂区污水处理站处理后经管网排入华阳第二污水处理厂处理，不直接进入地表水体，对水环境无不良影响。综上所述，双流西南航空港经济开发区物联网产业区能为本
30、项目提供完善的配套设施；同时，其现状及规划外环境与本项目相容，项目选址合理。2. 2 建设项目周围环境现状及评价等级、范围2.1 环境现状2.1.1 大气环境现状大气环境现状评价结果表明：监测期间，评价范围内各监测点常规污染因子均未出现超标情况，满足环境空气质量标准（GB3095-1996）二级标准；特征污染物均未检出，表明区域环境空气质量总体状况较好。园区所在区域内环境空气中SO2、NO2现状容量比较大，TSP和PM10略接近标准限值，为道路等区域基础设施施工所致。2.1.2 地表水环境现状地表水环境现状评价结果表明：监测期间，本项目所在区域地表水体水质中除氨氮有所超标外，其余各评价河段监测
31、因子均满足地表水环境质量标准（GB3838-2002）类水质标准，氨氮超标原因主要是上游生活污水未经处理直接排放，随着上游城市生活污水收集和处理效率的提高，锦江水质将大大改善。2.1.3 地下水环境现状地下水环境质量现状评价结果表明：监测期间，评价范围内的地下水氨氮、总硬度均略有超标，不能达到地下水质量标准（GB/T 14848-93）中的类标准，其它各项监测指标符合地下水质量标准（GB/T 14848-93）中的类标准要求。氨氮超标原因是规划区现状大多为农业用地，系农村面源污染造成的。2.1.4 声环境现状声环境现状评价结果表明：监测期间各点位昼间、夜间噪声均能达到城市区域环境噪声标准（GB
32、 3096-93）3类标准。项目拟建区域声学环境较好。2.1.5 土壤环境现状土壤环境质量现状评价结果表明：监测期间，产业园区土壤环境质量现状三个监测点的污染物指标现状监测值均符合所执行的土壤环境质量标准（GB15618-1995）三级标准，单因子标准指数均小于1，无超标状况，项目所在区域内土壤环境质量状况较好。2.2 评价等级及评价范围项目各环境因素评价等级见下表2-1，评价范围见下表2-1及下图2-1。表2-1 项目评价等级及评价范围环境因素评价等级评价范围大气环境三级以拟建厂区主要污染源为中心，边长5km的正方形。地表水环境三级华阳第二污水处理厂排污口上游500m至下游3000m。地下水
33、环境三级以拟建厂区为中心，20km2内的范围。声环境三级厂界周围200m范围。风险二级以化学品库为中心，半径3km的区域。图2-1 评价范围示意图3. 建设项目环境影响预测及拟采取的主要措施与效果3.1 污染物达标排放分析3.1.1 大气污染物达标排放分析本项目建成投产后，废气主要来源于：生产工艺过程包括清洗、腐蚀、去胶等使用显影剂、刻蚀剂、清洗剂、酸、碱等化学品挥发产生的酸性/碱性废气；清洗、涂覆、显影、刻蚀、干燥、烧结等工序产生的有机废气；干刻、离子注入等工序产生的工艺尾气；焊接工序产生的焊接烟气；锅炉房锅炉产生的锅炉烟气及一般排气。由于应急柴油发电机在1年的时间里启动工作的时间都很短，所
34、使用的柴油为较清洁的燃料，其污染物的排放浓度和排放量很少，故本评价对这部分排放的废气不作评价。注：本项目员工餐厅由成都雷电微晶科技有限公司项目建设，本项目无食堂油烟产生。1、酸性废气酸性废气主要来源于：G07厂房内砷化镓/氮化镓芯片加工中清洗、湿法腐蚀、光刻、化学镀金工序，主要污染物为氯化氢、氮氧化物、磷酸、硝酸、氢氟酸等。项目清洗、光刻、腐蚀、化学镀设备加盖密闭，其余生产设备均密闭，且为洁净厂房，捕集率100%。G07厂房拟设置3套（2用1备）NaOH碱液喷淋吸收系统进行处理，单套排风量60000 m3/h，排气筒共3个，直径700 mm，高度25 m。酸性废气处理系统主要由废气洗涤塔、排气
35、风机、排气管和加药系统等组成。废气先由排气管道输入废气洗涤塔，吸收液为2%-6%的氢氧化钠溶液，洗涤塔排水排入酸碱废水处理系统进行处理。2、有机废气有机废气主要来源于：G06厂房内SIP封装生产线中清洗、芯片贴装、注塑工序；G07厂房内砷化镓/氮化镓芯片加工中清洗、去胶工序，有机废气主要污染物为非甲烷总烃。G06厂房拟共设2套（1用1备）活性炭吸附处理系统进行处理，设备均密闭，废气捕集率为100%，单套风量为38000 m3/h，排气筒2个，直径1000 mm，高度20m。G07厂房拟采用3套（2用1备）活性炭吸附处理系统进行处理，单套风量为60000 m3/h，排气筒2个，直径1000 mm
36、，高度25m。废气处理系统用活性炭应根据废气处理量每23个月进行更换。此外，若定期监测时发现活性炭吸附效率明显下降或外排有机废气污染物浓度超标时，应立即对活性炭进行更换。3、工艺尾气工艺尾气主要来源于：G07厂房内砷化镓/氮化镓芯片加工中干法刻蚀、CVD沉积等工序。本项目干法刻蚀采用等离子刻蚀，使用的刻蚀气体有六氟化硫、氯气，CVD沉积主要使用硅烷、氨气等，工艺尾气主要成分为：Cl2、SiH4、SF6、NH3等。芯片加工生产线工艺设备均自带有工艺尾气处理装置POU净化装置（Point Of Use装置）。工艺尾气先经设备自带的POU净化装置预处理后，再经湿式洗涤塔进一步处理达标后经排气筒排放。
37、4、锅炉烟气本项目拟在锅炉房内设燃气热水锅炉3台（每台5600kw，2用1备）。燃料主要采用天然气，天然气最大用量为2000 m3/h，主要污染物为SO2、NOx和烟尘，烟气排放量28000 Nm3/h，烟气温度180 C，排放高度为15 m，1根，排气筒管径800 mm。5、一般废气一般废气主要包括：G06厂房内SIP封装线锡焊、以及废热气，G07厂房内废热气。G06厂房拟设置2套排风系统，2台（1用1备）排风机，风量为58000 Nm3/h；G07厂房拟设置3套排风系统，3台（2用1备）排风机，风量为500002 Nm3/h。废气达标排放情况项目各类废气排放情况如下：G06厂房工艺废气排放
38、及处理情况见下表：表3-1 G06厂房工艺废气排放及处理情况废气种类排放量m3/h污染物处理前浓度mg/m3处理前速率kg/h处理后浓度mg/m3处理后速率kg/h处理效率排放标准mg/m3kg/h有机废气38000非甲烷总烃600.022.8 30.01.1 95%12017注： 执行大气污染物综合排放标准GB 16297-1996二级标准的要求。G07厂房工艺废气排放及处理情况见下表：表3-2 G07厂房工艺废气排放及处理情况废气种类排放量m3/h污染物处理前浓度mg/m3处理前速率kg/h处理后浓度mg/m3处理后速率kg/h处理效率排放标准mg/m3kg/h酸性废气120000 氯化氢
39、10.0 1.20 1.0 0.12 90%1000.915氟化物0.008 0.0010.0008 0.000190%90.38硫酸雾56.0 6.72 5.6 0.67 90%455.7氮氧化物23.0 2.76 3.6 0.43 84%2402.9有机废气60000非甲烷总烃200.0 12.0 20.0 1.20 90%12035工艺废气60000硅烷8.5 0.5 0.085 0.005 99%50.05氨气13.50.8 0.135 0.008 99%/14氯气0.4780 0.0287 0.0048 0.0003 99%650.52氟化物3.184 0.191 0.159 0.0
40、10 95%90.38NOx50.3 0.050 0.003 99%2402.9注：废气执行大气污染物综合排放标准GB 16297-1996二级标准的要求。锅炉烟气排放情况见下表：表3-3 锅炉烟气排放情况排 放 参 数污染物 名 称排放速率(kg/h)排放浓度(mg/m3)排放标准(mg/m3)达标情况排气筒 数量高度(m)烟气温度排气总量 (Nm3/h)11515028000氮氧化物1.77 63.24 400达标二氧化硫0.03 0.95 100达标烟 尘0.19 6.81 50达标注：废气执行锅炉大气污染物排放标准GB13271-2001二类区域标准的要求。从表3-1至3-3可以看出，
41、项目各类大气污染物均能达到相关排放标准要求。 6、无组织排放源项目的化学品储存过程、使用过程、运输过程基本消除了无组织排放。项目废水处理系统无组织排放污染源如下：表3-4 污水处理系统恶臭排放源强恶臭物质氨甲硫醇硫化氢甲硫醚三甲胺排放量g/h2.20.0970.0180.0430.013.1.2 水污染物达标排放分析本项目建成投产后，产生的废水主要分为生产废水和生活污水两大类。生产废水主要为各生产线工艺废水，由于项目车间洁净度要求级别很高，不需对车间内设备及地面进行冲洗，无该设备及地面清洗废水产生。本项目经处理达标后的生产废水、生活污水经公司废水总排口进入航空港经济开发区物联网产业区污水管网，
42、再纳入华阳第二污水处理厂(毛家湾污水处理厂)统一处理后，最终排入锦江。1、工艺废水项目建成投产后，工艺生产废水包括含砷废水、含氨废水、含氟废水、有机废水、酸碱废水、废气洗涤塔废水、悬浮物废水等。（1）含砷废水主要包括两部分。一部分为砷化镓芯片加工生产线背面减薄、划片工序，主要污染物为总砷、SS，产生量36m3/d，连续排放，汇入含砷废水处理系统处理；一部分为湿法刻蚀后纯水清洗的工序，主要污染物pH、总砷，产生量20m3/d，汇入含砷废水处理系统处理。（2）含氨废水主要来源于砷化镓芯片加工生产线清洗工序，主要污染物为pH、NH3-N、SS、COD等，产生量68 m3/d(不含洗涤塔废水)，连续排
43、放，进入含氨废水处理系统处理后，再汇入含氟废水处理系统。（3）含氟废水主要来源于砷化镓芯片加工生产线清洗工序，主要污染物为pH、F-、SS等，排放量143 t/d，连续排放，汇入含氟废水处理系统进行处理。（4）有机废水主要来源于砷化镓芯片加工生产线清洗工序，产生量174 t/d，主要污染物为pH、SS、COD、BOD 等，汇入有机废水处理系统进行处理。（5）一般酸碱废水排放量730 t/d，主要来自砷化镓芯片加工生产线清洗工序清洗后的酸碱废水（不含湿法腐蚀后清洗的含砷酸性废水），主要污染物为pH、SS等，汇入最终中和处理系统进行处理。（6）废气洗涤塔废水排放量33 t/d，主要来源于废气洗涤过程，主要污
