模拟电子复习题及部分答案.doc

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1、一、填空题： 1、BJT是 控制器件，FET是 控制器件。3.简单的差分放大器双端输出时，对_信号有较强的抑制能力，而对_信号有较强的放大作用。4.差动放大电路两个输入端的电压分别是2v和3v，则共模信号是 v，差模信号为 v。6、负反馈虽使放大电路的放大倍数_了，但其他的性能得到了改善：_、_、_、_。7、射极输出器的重要特点是_、_和_。9、理想集成运放的条件是_、_、_、_和_。二、选择题：（20分，每题2分）1、PN结反向向偏置时，其内电场被（ ）。A、削弱 B、增强 C、不变 D、不确定2、三极管工作在饱和状态的条件是（ ）。A、发射极正偏，集电极正偏 B、发射极正偏，集电极反偏C、

2、发射极反偏，集电极反偏 D、发射极反偏，集电极正偏3、PN结反向击穿电压的数值增大，小于击穿电压，（ ）。 a：其反向电流增大 b：其反向电流减小 c：其反向电流基本不变4、稳压二极管是利用PN结的（ ）。 a：单向导电性 b：反向击穿特性 c：电容特性5、二极管的反向饱和电流在20时是5A，温度每升高10，其反向饱和电流增大一倍，当温度为40时，反向饱和电流值为（ ）。 a：10A b：15A c：20A d：40A6、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（ ）。A、反向偏置击穿状态 B、反向偏置未击穿状态C、正向偏置导通状态 D、正向偏置未导通状态7、某NPN型三极管的输出特性如图所示，

3、当Uce=6V时。其电流 放大系数为（ ）。A、=100 B、=50 C、=150 D、=25 9、右图为单相桥式整流滤波电路，U1为正旋波，其有效值为U1=20V，f=50HZ。若实际测得其输出电压为28.28V，这是由于（ ）的结果。9题图a.开路 b.C的容量过小c.C的容量过大 d.RL开路三、判断题：（分，每题分）1、P型半导体中的多数载流子是空穴，少数载流子是自 由电子。（ ）2、在三极管放大电路的三种基本组态中，共集电极放大电路带负载的能力最强。（）3、负反馈可以提高放大电路的放大倍数的稳定值。（）4、功率放大电路工作在大信号状态，要求输出功率大，且转换效率高。（）5、因为差动放

4、大电路采用了直接耦合方式，故只能放大直流信号。（）6、多极放大电路的级数越多，其放大倍数越大，且其通频带越宽（）7、二极管的反向偏置电压升高时，其正向电阻增大。（）8、要稳定放大电路工作点，可以引入交流负反馈。（）四、判断下列各图中，哪些电路能进行正常的放大：（6分）1 2. VCCR1R2RLvivoVCCRCRB Vs （ ） （ ） 五、综合题（38分）1.已知如图：V=12V，RB=100k，RW=400K， RC，.5当滑动变阻器的触点在中间位置时求静态值并画直流负载线 （设UBE = 0 ）（8分） RW +V R R C2 1 RL=6+VEEVEEUi2、一双电源互补对称电路如

5、图题所示，设已知Vcc12 V，RL6，vI为正弦波。求：（1）在BJT的饱和压降VCES可以忽略不计的条件下，负载上可能得到的最大输出功率Pom；（2）每个管子允许的管耗 PCM至少应为多少？（3）每个管子的耐压 |V(BR)CEO|应大于多少？（10分）3题图3、在图所示单相桥式整流电容滤波电路中，已知RL=40，C=1000uF，u2=20sinwtV,现用万用表测量输出直流电压，如果出现下列几种情况，试分析哪个数据合理？那些不合理？会出现什么故障？（10分） UO=18V: UO=28V: UO=9V: UO=24V: 4、为了用低值电阻实现高电压增益的比例运算,常用一T形网络以代替,

6、如图(4)所示,试证明（10分）模拟电子复习题及答案一、填空题1、漂移电流是（ ）电流，它由（ ）载流子形成，其大小与（ ）有关，而与外加电压（ ）。2、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（ ），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（ ），等效成断开；3、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（ ），集电结（ ）。4、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（ ），发射结压降（ ）。5、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（ ）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（ ）负反馈。6、负反馈放大电路和放大倍数AF=（ ），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（ ）。7、共集电极放大电路具有电

7、压放大倍数（ ），输入电阻（ ），输出电阻（ ）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。8、差分放大电路能够抑制（ ）漂移，也称（ ）漂移，所以它广泛应用于（ ）电路中。9、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（ ），电路符号是（ ）。10、P型半导体中空穴为（ ）载流子，自由电子为（ ）载流子。11、PN结正偏时（ ），反偏时（ ），所以PN结具有（ ）导电性。12、反向电流是由（ ）载流子形成，其大小与（ ）有关，而与外加电压（ ）。13、三极管是（ ）控制元件，场效应管是（ ）控制元件。14、当温度升高时，三极管的等电极电流I（ ），发射结压降UBE（ ）。15、晶体三极管具有放大作用

8、时，发射结（ ），集电结（ ）。16、三极管放大电路共有三种组态（ ）、（ ）、（ ）放大电路。17、为了稳定三极管放大电路和静态工作点，采用（ ）负反馈，为了减小输出电阻采用（ ）负反馈。18、负反馈放大电路和放大倍数Af=（ ），对于深度负反馈Af=（ ）。19、共模信号是大小（ ），极性（ ）的两个信号。20、乙类互补功放存在（ ）失真，可以利用（ ）类互补功放来克服。21、用低频信号去改变高频信号的频率称为（ ），低频信号称为（ ）信号，高频信号称高频（ ）。22、共基极放大电路的高频特性比共射极电路（ ），fa=（ ）f。23、要保证振荡电路满足相位平衡条件，必须具有（ ）网络。24

9、、在桥式整流电阻负载中，理想二极管承受最高反压是（ ）。二、选择题（每空2分 共30分）2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各管脚电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是（ ），该管是（ ）型。 A、（B、C、E） B、（C、B、E） C、（E、C、B） D、（PNP） E、（NPN）3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（ ）失真，下半周失真时为（ ）失真。 A、饱和 B、截止 C、交越 D、频率4、差分放大电路是为了（ ）而设置的。 A、稳定Au B、放大信号 C、抑制零点漂移5、共模抑制比是差分放大电路的一个主要技术指标，它反映放大电路（ ）能力。 A、放大差模抑制共模

10、 B、输入电阻高 C、输出电阻低6、LM386是集成功率放大器，它可以使电压放大倍数在（ ）之间变化。 A、020 B、20200 C、20010007、单相桥式整流电容滤波电路输出电压平均值Uo=（ ）U2 A、0.45 B、0.9 C、1.28、当集成运放线性工作时，有两条分析依据（ ）（ ）。 A、U-U+ B、I-I+0 C、U0=Ui D、Au=19、对功率放大器的主要要求有（ ）（ ）（ ）。 A、U0高， B、P0大 C、效率高 D、Ri大 E、波形不失真10、振荡器的输出信号最初由（ ）而来的。 A、基本放大器 B、选频网络 C、干扰或噪声信号11、稳压二极管是一个可逆击穿二极

11、管，稳压时工作在（ ）状态，但其两端电压必须（ ），它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（ ）状态。A、正偏 B、反偏 C、大于 D、小于 E、导通 F、截止12、对功率放大器的要求主要是（ ）、（ ）、（ ）。 A、U0高 B、P0大 C、功率大 D、Ri大 E、波形不失真13、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（ ），此时应该（ ）偏置电阻。 A、饱和失真 B、截止失真 C、交越失真 D、增大 E、减小14、共集电极放大电路的负反馈组态是（ ）。 A、压串负 B、流串负 C、压并负15、差分放大电路RE上的直流电流IEQ近似等于单管集电极电流ICQ（ ）倍。 A、1 B、2 C、3

12、16、分析运放的两个依据是（ ）、（ ）。 A、U-U+ B、I-I+0 C、U0=Ui D、Au=1三、分析计算题 1、已知电力如下图示：为理想二极管，试分析：二极管导通还是截止？UA0=？ 2、具有电流源的差分电路如图所示，已知UBEQ=0.7V，=100，rbb=200，试求：（1）V1、V2静态工作点ICQ、UCQ；（2）差模电压放大倍数Aud；（3）差模输入电阻Rid和输出电阻RO；3、电路如图所示，设UCES=0试回答下列问题：（1）ui=0时，流过RL的电流有多大？（2）若V3、V4中有一个接反，会出现什么后果？ （3）为保证输出波形不失真，输入信号ui的最大幅度为多少？管耗为多

13、少？ 5、由理想运放构成的小信号交流放大电路如图示： 求：频带内电压放大倍数Auf（取整数）； 止频率fL； 6、已知：电路如图：t=0时，Uc（0-）=0，Ui=0.1V。求：U01t=10s时的U0？7、已知：电路如图示：Vcc=12V，RB1=40K，RB2=20K，Rc=RL=2K， RE=1.65K，UBEQ=0.7V，C1=C2=20uf，rbe=1.5K，=100，CE=10uf 求： ICQ UCEQ Au Ri R0（取小数点后1位）答 案一、填空1、反向 少数 温度 无关2、零 无穷大3、正偏 反偏4、增加 减小5、直流 电流6、A/1+AF 1/F7、小于近似等于1 大

14、小8、零点 温度 集成9、KUxUy 10、多数 少数11、导通 截止 单向12、少数 温度 无关13、电流 电压14、增加 减小15、正偏 反偏16、共射极 共集电极 共基极17、直流 电压18、A/1+AF 1/F19、相等 相同20、交越 甲乙21、调频 调制 高频载波22、好 1+23、正反馈24、2U2二、选择题1、A 2、CE 3、BA 4、C 5、A6、B 7、C 8、AB 9、BCE 10、C11、BCF 12、BCE 13、BE 14、A 15、B 16、A B三、分析与计算题1、1）二极管V截止 2）UA0=-4V2、1）ICQ1=0.5mA UCEQ1=6V3、 1）ui

15、=0时，RL电流为零 2） V3、V4有一个反接电路不能工作 3）Uim=12V 4)Pcl=Vcc2(4-3.14)/(4*3.14RL)=0.099W4、1）能振荡 2）fo=280KHZ5、1）-100 2）160Hz6、1）1.1V 2）1.1V7、1）2mA 2 ) 4.7V 3)-66.7 4）1.4K 5）2K8、1）1KHz 2）5 3）正温度导数9、 UO=20V模拟电子技术模拟试题二一、填空题（每空1分 共32分） 1、P型半导体中空穴为（ ）载流子，自由电子为（ ）载流子。 2、PN结正偏时（ ），反偏时（ ），所以PN结具有（ ）导电性。 3、反向电流是由（ ）载流子形

16、成，其大小与（ ）有关，而与外加电压（ ）。 4、三极管是（ ）控制元件，场效应管是（ ）控制元件。5、当温度升高时，三极管的等电极电流I（ ），发射结压降UBE（ ）。 6、晶体三极管具有放大作用时，发射结（ ），集电结（ ）。 7、三极管放大电路共有三种组态（ ）、（ ）、（ ）放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路和静态工作点，采用（ ）负反馈，为了减小输出电阻采用（ ）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数Af=（ ），对于深度负反馈Af=（ ）。10、共模信号是大小（ ），极性（ ）的两个信号。11、乙类互补功放存在（ ）失真，可以利用（ ）类互补功放来克服。12、用低频信号去改变高

17、频信号的频率称为（ ），低频信号称为（ ）信号，高频信号称高频（ ）。13、共基极放大电路的高频特性比共射极电路（ ），fa=（ ）f。14、要保证振荡电路满足相位平衡条件，必须具有（ ）网络。15、在桥式整流电阻负载中，理想二极管承受最高反压是（ ）。二、选择题（每空2分 共30分） 1、三端集成稳压器CW7812的输出电压是（ ）。 A、12V B、5V C、9V 2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各管脚电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是（ ），该管是（ ）型。 A、（B、C、E） B、（C、B、E） C、（E、C、B） D、（PNP） E、（NPN） 3、共射极放大电路

18、的交流输出波形上半周失真时为（ ）失真，下半周失真时为（ ）失真。 A、饱和 B、截止 C、交越 D、频率 4、差分放大电路是为了（ ）而设置的。 A、稳定Au B、放大信号 C、抑制零点漂移 5、共模抑制比是差分放大电路的一个主要技术指标，它反映放大电路（ ）能力。 A、放大差模抑制共模 B、输入电阻高 C、输出电阻低 6、LM386是集成功率放大器，它可以使电压放大倍数在（ ）之间变化。 A、020 B、20200 C、2001000 7、单相桥式整流电容滤波电路输出电压平均值Uo=（ ）Uz A、0.45 B、0.9 C、1.2 8、当集成运放线性工作时，有两条分析依据（ ）（ ）。 A

19、、U-U+ B、I-I+0 C、U0=Ui D、Au=1 9、对功率放大器的主要要求有（ ）（ ）（ ）。 A、U0高， B、P0大 C、效率高 D、Ri大 E、波形不失真 10、振荡器的输出信号最初由（ ）而来的。 A、基本放大器 B、选频网络 C、干扰或噪声信号 三、分析计算题 1、（6分）由理想运放构成的小信号交流放大电路如图示： 求：频带内电压放大倍数Auf（取整数）； 截止频率fL； 2、（8分）已知：电路如图：t=0时，Uc（0-）=0，Ui=0.1V。求：U01t=10s时的U0？3、（10分）已知：电路如图示：Vcc=12V，RB1=40K，RB2=20K，Rc=RL=2K，

20、RE=1.65K，UBEQ=0.7V，C1=C2=20uf，rbe=1.5K，=100，CE=10uf 求： ICQ UCEQ Au Ri R0（取小数点后1位） 试题二答案一、填空（每空1分 共32分）1、多数 少数2、导通 截止 单向3、少数 温度 无关4、电流 电压5、增加 减小6、正偏 反偏7、共射极 共集电极 共基极8、直流 电压9、A/1+AF 1/F10、相等 相同11、交越 甲乙12、调频 调制 高频载波13、好 1+14、正反馈15、2U2二、选择题（每空2分 共30分）1、A 2、C E 3、B A 4、C 5、A6、B 7、C 8、A B 9、B C E 10、C三、分析

21、与计算题（共38分）1、1）-100 2）160Hz2、1）1.1V 2）1.1V3、1）2mA 2 ) 4.7V 3)-66.7 4）1.4K 5）2K4、1）1KHz 2）5 3）正温度导数5、 UO=20V模拟电子技术模拟试题三一 、填空题（每空1分 ，共32分）1、空穴为（ ）载流子。自由电子为（ ）载流子的杂质半导体称为P型半导体。2、PN结的P型侧接高电位，N型侧接低电位称为（ ）反之称为（ ）3、由漂移形成的电流是反向电流，它由（ ）栽流子形成，其大小决定于（ ），而与外电场（ ）。4、稳定二极管稳压时是处于（ ）偏置状态，而二极管导通时是处于（ ）偏置状态。5、晶体三极管的集电

22、极电流Ic=( ) 所以它是（ ）控制元件。6、当温度升高时三极管的反向饱和电流I CBO（ ）所以Ic也（ ) 。 7、为了稳定三极管放大电路静态工作点，采用（ ）负反馈。为稳定交流输出电压，采用（ ）负反馈，为了提高输入电阻采用（ ）负反馈.。8、负反馈使放大电路增益下降，但它可以（ ）通频带（ ）失真。9、反馈导数F=（ ）。反馈深度是（ ）。10、差分放大电路能够抑制（ ）信号，放大（ ）信号。11、OCL电路是（ ）电源互补功放，OTL是（ ）电源互补功放。13、晶体管电流放大系数是频率的函数，随着频率的升高而（ ）。共基极电路比共射极电路高频特性（ ）。15在桥式整流电阻负载时，理

23、想二极管承受的最高反压是（ ）。二、选择题（每空2分，共34分）2、测某电路中三极管各极电位分别是0V、-6V、0.2V则三极管的三个电极分别是（ ），该管是（ ）。A (E、C、B) B(C、B、E) C(B、C、E) D(PNP) E(NPN)3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（ ）失真。共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为（ ）失真。A 饱和 B 截止 C交越 D频率4、差分放大电路是为了（ ）而设置的。A稳定Au B放大信号 C抑制零点漂移5、对功率放大器的主要要求有（ ） （ ） （ ）A Uo高 B Po大 C效率高 D Ri大 E 波形不失真7、单相桥式整流电容

24、 波电路输出电压平均在Uo=( )U2。A 0.45 B 0.9 C 1.2 8、当集成运放线性工作时，在两条分析依据（ ）（ ）。A U-=U+ B I-=I+=0 C Uo=Ui D Au=1三、分析计算题（共34分）1、已知：电路如图所示K=0.1V U1=3V U2=-6V 求：Uo=? (5分) 2、已知：电路如图所示 Vcc=12V RB1=40k RB2=20k Rc=RL=2kRE=1.65k UBEQ=0.7V C1=C2=20F rbe=1.5K =100 CE=10F（取小数点后一位）求： 1）ICQ 2)UCEQ 3)Au 4)Ri 5)Ro (10分) 3、已知：电路

25、如图所示 求： Uo=? (5分) 试题三答案一、填空（每空1分 共32分）1、多数 少数2、正偏 反偏3、少数 温度 无关4、反向 正向5、 电流6、增加 也增加7、直流 电压 串联8、扩展 减少9、Xf/Xo 1+AF10、共模 差模11、双 单12、调相 调制 载波13、下降 好14、AF=1 正15、2U2二、选择题（每空2分 共34分）1、A 2、C D 3、B A 4、C 5、B C E6、B 7、C 8、A B 9、B C E 10、C三、分析与计算题（共34分）5分 1、5V10分 2、1）2mA 2) 4.7V 3) -66.7 4）1.4K 5）2K5分 3、UO=20V9

26、分 4、1）fo=1KHz 2）Rt=10K 3）负温度系数5分 5、11V模拟电子技术模拟试题四一 、填空题（每空1分 ，共32分）1、自由电子为（ ）载流子，空穴为（ ）载流子的杂质半导体称为（ ）半导体。2、PN结的单向导电性，就是PN结正偏时（ ），反偏时（ ）。3、扩展运动形成的电流是（ ）电流，漂移运动形成的电流是（ ）。4、所谓理想二极管就是当其正偏时，结电阻为（ ），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（ ），等效成开断。6、当温度升高时三极管的集电极电流IC（ ），电流放大系数（）。7、为了提高三极管放大电路的输入电阻，采用（）负反馈。为了稳定输出电流，采用（）负反馈。8、负

27、反馈使放大电路增益（ ），但（ ）增益稳定性。9、（ ）称为负反馈深度，其中F=( ),称为（ ）。10、差模信号是大小（ ），极性（ ），差分电路不抑制（ ）漂移。11、甲乙类互补功率放大器，可以消除（ ）类互补功率（ ）失真。15半波整流电路电阻负载时，理想二极管承受的最高反压是（ ）。二、选择题（每空2分，共30分）2、测得某电路中三极管各极电位分别是3V、2.3V、12V则三极管的三个电极分别是（ ），该管是（ ）型。A (E、B、C) B(B、C、E) C(B、E、C) D(PNP) E(NPN)3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（ ）失真。共射极放大电路的交流输出波形下

28、半周失真时为（ ）失真。A 饱和 B 截止 C交越 D频率4、差分放大电路是为了（ ）而设置的。A稳定Au B放大信号 C抑制零点漂移5、KMCR是差分放大电路的一个主要技术指标，它反映放大电路（ ）能力。A放大差模抑制共模 B 输入电阻高 C输出电阻低7、单相桥式整流电容 波电路输出电压平均在Uo=( )U2。A 0.45 B 0.9 C 1.2 8、当集成运放线性工作时，在两条分析依据（ ）（ ）。A U-=U+ B I-=I+=0 C Uo=Ui D Au=19、对功率放大器的主要要求有（ ）（ ）（ ）。A Uo高 B Po大 C效率高 D Ri大 E 波形不失真三、分析计算题（共34

29、分）1、已知：电路如图所示V1、V2为理想二极管。求：1）哪只二极管导通 2）UAO=？（5分）2、已知：电路如图所示 Vcc=12V RB1=40k RB2=20k Rc=RL=2kRE=1.65k UBEQ=0.7V C1=C2=20F rbe=1.5K =100 CE=10F（取小数点后一位）求：1）ICQ 2)UCEQ 3)Au 4)Ri 5)Ro (10分)3、已知：电路如图所示U1=1V U2=2V求(1）U01=? 2)U0(5分)试题四答案一、填空（每空1分 共32分）1、多数 少数2、导通 截止3、正向 反向4、零 无穷大5、gmugs 电压6、增加 增加7、串联 电流8、下

30、降 提高9、 (1+AF) Xf/Xo 反馈系数10、相等 相反 温度11、乙类 交越12、幅度 载波13、下降 好 1+14、AF=1 相位平衡条件15、2U2二、选择题（每空2分 共34分）1、A 2、C E 3、B A 4、C 5、 A6、B 7、C 8、A B 9、B C E 10、C三、分析与计算题（共34分）5分 1、1）V2导通 2）UAO=-5V10分 2、1）2mA 2) 4.7V 3)-66.7 4）1.4K 5）2K5分 3、1）1V 6V9分 4、1）1KHz 2）20K 3）正温度系数5分 5、 14V模拟电子技术模拟试题五一、选择题（每空2分 共30分） 1、稳压二

31、极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（ ）状态，但其两端电压必须（ ），它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（ ）状态。 A、正偏 B、反偏 C、大于 D、小于 E、导通 F、截止 2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是（ ），该管是（ ）型。 A、（B、C、E） B、（C、B、E） C、（E、C、B） D、（NPN） E、（PNP） 3、对功率放大器的要求主要是（ ）、（ ）、（ ）。 A、U0高 B、P0大 C、功率大 D、Ri大 E、波形不失真 4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（ ），此时应该（ ）偏置电阻。 A、饱和失

32、真 B、截止失真 C、交越失真 D、增大 E、减小 5、差分放大电路是为了（ ）而设置的。 A、稳定Au B、放大信号 C、抑制零点漂移 6、共集电极放大电路的负反馈组态是（ ）。 A、压串负 B、流串负 C、压并负 7、差分放大电路RE上的直流电流IEQ近似等于单管集电极电流ICQ（ ）倍。 A、1 B、2 C、3 8、为了使放大器带负载能力强，一般引入（ ）负反馈。 A、电压 B、电流 C、串联 9、分析运放的两个依据是（ ）、（ ）。 A、U-U+ B、I-I+0 C、U0=Ui D、Au=1二、填空题（每空1分 共32分） 1、P型半导体中空穴为（ ）载流子，自由电子为（ ）载流子。

33、2、PN结正偏时（ ），反偏时（ ），所以PN结具有（ ）导电性。 3、反向电流是由（ ）载流子形成，其大小与（ ）有关，而与外加电压（ ）。 4、三极管是（ ）控制元件，场效应管是（ ）控制元件。5、当温度升高时，三极管的等电极电流I（ ），发射结压降UBE（ ）。 6、晶体三极管具有放大作用时，发射结（ ），集电结（ ）。 7、三极管放大电路共有三种组态（ ）、（ ）、（ ）放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路和静态工作点，采用（ ）负反馈，为了减小输出电阻采用（ ）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数Af=（ ），对于深度负反馈Af=（ ）。10、共模信号是大小（ ），极性（ ）的两

34、个信号。11、乙类互补功放存在（ ）失真，可以利用（ ）类互补功放来克服。12、用低频信号去改变高频信号的频率称为（ ），低频信号称为（ ）信号，高频信号称高频（ ）。13、共基极放大电路的高频特性比共射极电路（ ），fa=（ ）f。14、要保证振荡电路满足相位平衡条件，必须具有（ ）网络。15、在桥式整流电阻负载中，理想二极管承受最高反压是（ ）。三、分析计算题（共38分）1、已知：电路如图所示K=0.1V U1=3V U2=-6V 求：Uo=? (6分) 2、已知：电路如图所示 Vcc=12V RB1=40k RB2=20k Rc=RL=2kRE=1.65k UBEQ=0.7V C1=C2=20F rbe=1.5K =100 CE=10F（取小数点后一位）求： 1）ICQ 2)UCEQ 3)Au 4)Ri 5)Ro (10分) 3、已知：电路如图所示 求： Uo=? (6分) 试题五答案一、选择题（每空2分 共30分）1、B C F 2、C D 3、B C E 4、B E 5、