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1、2003-2004第二学期电子线路期中考试 姓名 班级 分数 一、填空题（每空格一分，共42分）1、 在导体中导电的是 ，在半导体中导电的不仅有 ，而且有 ，这是半导体区别于导体导电的重要特征。2、 半导体类型有 、 、 。3、 PN结正向偏置时 ，反向偏置时 ，这种特性称为PN结的 。但是当硅材料的PN结正向偏压小于 V，锗材料的PN结正向偏压小于 V时，PN结仍不导通，我们把这个区域称为 。4、 最常用的半导体材料有 和 。5、 硅二极管导通时的正向压降为 伏，锗二极管导通时的正向压降为 伏。 6、晶体三极管有两个PN结，即 结和 结，在放大电路中 结必须正偏， 结必须反偏。7、晶体三极管
2、有 型和 型，前者的图形符号是 ，后者的图形符号是 。8、三极管的输出特性曲线可分为三个区域，即 、 和 。当三极管工作在 区时，关系式ICIB才成立；当三极管工作在 区时，IC0；当三极管工作在 区时，UCE0。9、三极管三种基本联接方式分别是 、 、 。10、二极管以用途分类可分 、 、 、 、 。11、稳压管工作在 区。12、桥式单相全波整流电路组成有 ， ， 。二、选择题（每题2分，共20分）1、 在P型半导体中（ ）A空穴是多数载流子，电子是少数载流子B电子是多数载流子，空穴是少数载流子C空穴的数量略多于电子D没有电子2、 二极管两端加上正向电压时（ ）A一定导通 B超过死区电压才能
3、导通C超过0.7伏才导通 D超过0.3伏才导通3、 如图给出了硅二极管和锗二极管的伏安特性曲线，其中锗二极管的特性曲线是（ ）AAOD BAOC CBOC DBOD4、 在三极管输出特性曲线中，当时IB=0是IC（ ） ICMICBOICEO5、 三极管处于饱和状态时，三极管的发射结和集电结分别处于（ ）发射结和集电结都处于正偏发射结处于正偏，集电结处于反偏 发射结处于反偏，集电结处于正偏6、 电路如图所示，图中三个二极管的正向管压降均可忽略不计，三个灯的规格一样，则最亮的是（ ）灯灯灯7、 电路如图所示，设二极管正向电阻为零，反向电阻为无穷大，则电压AB为（）伏伏伏伏8、NPN型三极管处于放
4、大状态时，各极电位关系是（ ）A. UCUBUE B. UCUBUEUB9、用万用表R1k的电阻档测量一只能正常放大的三极管，若用红表棒接触一只管脚，黑表棒接触另两只管脚时测得的电阻均较大，则该三极管是（ ）A. PNP型 B. NPN型 C. 无法确定10、指针式万用表的欧姆挡两表分别接触一个整流二极管的二端，当测得的电阻较小时，红表笔所接触的是 （ ） A.二极管的阳极 B.二极管的阴极三、判断：（每题1分，共8分）1、在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。 （ ）2、少数载流子是自由电子的半导体称为P型半导体。3、晶体二极管击穿后立即烧毁。 （ ） 4、用万用表测二极管正向
5、电阻，插在万用表标“+”号插孔的测试棒（通常是红色棒）所连接的二极管的管脚是二极管正极，另一为负极。5、晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体（P型或N型）构成的，所以极e和c极可以互换使用。 （ ）6、 三极管处于截止状态时，发射结正偏 （ ）7、 晶体三极管具有能量放大功能。 （ ）8、当集电极电流值大于集电极最大允许时，晶体三极管 一定损坏。 （ ）四、计算与分析（共30分）1、1：分析图示电路中当开关S闭合后，H1和H2两个指示灯，哪一个可能发光？（4分）2、已知三极管的IC=2mA, =50,则IB、IE各有多少？（6分）3、有一直流负载，需要直流电压VL=60V，电阻RL=15，若采用桥式整流电路如图所示，求电源变压器次级电压V2、电流IL以及二极管电流IV。（6分）4、在放大电路中测得各三极管电位如图所示，试判断各管脚、类型及材料(6分) 2.8V 6.8V 3V 4V 9.8V 10V 5根据如图所示三极管的各管脚电位，试分析其工作状态，并将结果用“”填入表内，其中NPN型管为硅材料，PNP型管为锗材料。（8分）序号状态V1V2V3V4放 大饱 和截 止
