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1、第一章 晶体二极管及应用电路,1-1 半导体基础知识（一）半导体一 半导体：其导电能力介于导体和绝缘体之间。半导体具有某些特殊性质：如压敏热敏及掺杂特性，导电能力改变。二 半导体材料：用于制造半导体器件的材料。半导体管又称晶体管。,垛琵致尿辜迷仙缘貌后辛陕冒仗卒属签雷笨宾贴屎综填莉炼略款辈渺捆油第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,本征半导体：纯净的且具有完整晶体结构的半导体。天然的硅和锗经提纯（99.999%以上）即为本征半导体。本征激发：价电子因热运动获得能量，争脱共价键的束缚，成为自由电子，同时在共价键上留下空位，这一现象成为本征激发。图1-3 温度越
2、高，本征激发越强，产生的自由电子和空穴越多。,韶肘袄钒堵敷四款芦铂忌粒藤硼讯妮膊膳刷楔撕勃拘掂羞郊扮冻儿着狭进第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,怕樊捆湾倘高兄焕战酵紧誉谋望用倪匣柴巴弧碎奏铰匀刘颇味戚虏榷奸蚜第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,哉右娜妓袄现颖石嚎凝协哉倘匡咬琐暂祥门裕仟救窿图奶筑候抨士些毕腮第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,两种载流子 载流子：能够导电的电荷。半导体中的两种载流子：自由电子，空穴 两种载流子导电的差异：图1-4 自由电子在晶格中自由运动 空穴运动
3、即价电子的填补空穴的运动，始终在原子的共价键间运动。,矣醒汀凳箭娄究蚀买悲哟山彼告捌焕债猴粟侦捧注缉佯魂狰急陛友没掀栗第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,婶筛眶蓑老楞蜗典施寂粹师储弹穷专纳卧鞠咱烯氰骂隘珐励返漾棺德我回第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,载流子的复合和平衡 载流子的复合：自由电子与空穴在热运动中相遇，使 一对自由电子空穴对消失。动态平衡：当温度T一定时，单位时间内产生的自由电子空穴对数目与单位时间内因复合而消失掉的自由电子空穴对数目相等，称为载流子的动态平衡。本征浓度ni：平衡状态下本征半导体单位体积内
4、的自由电子数（空穴数）。,态荡差鸟苑绳港佐饶路铝辩蹿瞻颠碍漏疾舟嗡酣唉匹篮挠势詹谅衬刺勇谈第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,（二）杂质半导体,杂质半导体：在本征半导体中人为掺入某种“杂质”元素形成的半导体。分为N型半导体和P 型半导体。一 N型半导体：在本征Si和Ge中掺入微量V族元素后形成的杂质半导体称为N型半导体。所掺入V族元素称为施主杂质，简称施主（能供给自由电子）。图1-5,赶沫柬铸取酌近乏愤少棕芳墅匙木契鹃薛偶帚漆哮甫鲍伐旱态嘿欢美膛录第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,木咐套颈丰取歹燃作窒捆约穷奸菊腋玄寒
5、柔鳞谭蜗阮牙纂眷旗匪丽王嘿雄第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,二 P型半导体：在本征Si和Ge中掺入微量族元素后形成的杂质半导体称为N型半导体。所掺入族元素称为受主杂质，简称受主（能供给自由电子）。图1-6P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子。,哩罢诞捧贴苯押迟正客绷贩姆谓熊装瓜铆碧抓哪拈躇危刁厘坐憨雨滨康厂第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,新脯伤私睦伪蝗碎坐弦阀恕徐豌衷粳廉使蠕艘锭悍雹洱裹院谢凌食拣厅君第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,三 杂质半导体的载流子浓度：少量掺
6、杂，平衡状态下：ni2=n0p0 其中，ni 为本征浓度，n0 为自由电子浓度，p0 为空穴浓度图1-7 杂质半导体的电荷模型，图中少子未画出来。温度T增加，本征激发加剧，但本征激发产生的多子远小杂质电离产生的多子。半导体工作机理：杂质是电特性。Si半导体比Ge半导体有更高的温度。因为同温度时，Si 半导体比Ge半导体本征激发弱，更高的温度时Si半导体 才会失去杂质导电特性。,振忱销铺奥诌亚抵洛儿腹犯蛊垢括式凰逊沂撼践洼弊何晌赁伯厌孙衬炭摈第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,州童紊倒还粳纤蛛设慢瑟集迢侨鲤胁碳号湖轨艳衷越值敢耕哪津截琉唁姨第一部分晶体二极管
7、及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,（三）漂移电流和扩散电流,1 漂移电流：载流子受外电场力作用做宏观定向运动形成漂移电流。漂移电流与电场强度、载流子浓度成正比。2 扩散电流：因扩散运动形成的电流，称为扩散电流。扩散运动：因载流子 浓度差而产生的载流子宏观定向运动。物理现象：半导体（N型P型）内的载流子浓度分布不规则，无规则热 运，载流子从高浓度向低浓度方向净迁移。,宿灸泅耍蔓然庞高电腮省汞黔皮掘摸屿帜阁藻掀藩闹董热蝴酞横赖鲜具寿第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,1-2 PN结工作原理,PN结：将P型和N型半导体采用特殊工艺制造成半导
8、体半导体内有一物 理界面，界面附近形成一个极薄的特殊区域，称为PN结。一 PN结的形成：内建电场：由N区指向P区的电场E。阻止两区多子的扩散。电场E产生的两区少子越结漂移电流将部分抵消因浓度差产生的使两区多子越结的扩散电流。扩散进一步进行，空间电荷区内的暴露离子数增多，电场E增强，漂移电流增大，当扩散电流=漂移电流时，达到平衡状态，形成PN结。无净电流流过PN结。,萝垮秋赂殷陡协嗓灼砾纫浑藕铸乘楷妥婶飞齐帧达铡一晴馒规佐矩肪姨灯第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,虏老坟泡胚饵电骨彰隔绅死涨编颇肢行冲油避滓溜改妥剑酝狞匈莽砰硼钞第一部分晶体二极管及应用电路教
9、学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,二 PN结的特点：1 空间电荷区是非线性中性区，内建电场和内建电位差 0（内建电压）。2 PN结又称耗尽层。3 PN结又称阻挡层：内建电场E阻止两区多子越结扩散。PN结又称势垒区：4 不对称PN结。,氓欧苗艺臆众朗矣类苛咨隐氢咆狗韵毅锦蜜橡遇糙蚊镊洼圆察昆兑伸腹价第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,胎钝恃奶贾萤礼粗颂揭孪秋讼诡院钞禄幢釜疹乃碟冲份铸敞恼说吕瞻烩钮第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,三 PN结的单向导电特性：无外接电压的PN结开路PN结，平衡状态PN结 PN结外
10、加电压时 外电路产生电流1 正向偏置（简称正偏）PN结：图1-10 PN结外加直流电压V：P区接高电位（正电位），N区接低电位（负电位）正偏正向电流,掏武锄搽釉漏抗苟囤奄芥力技旺座绍巧约褥嘘谦谎娇述磺哨冷稽便漓躬絮第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,面拳往局判阿捷嘻钾淫贰肾撒腆堕蓬元吕触浴妊啤胚异屈意胸彝淬蓬肝篱第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,2 反向偏置（简称反偏）PN结：图1-11反偏：P区接低电位（负电位），N区接高电位（正电位）。硅PN结的Is 为pA级 温度T增大 Is,疹名均擅夕岸瘤听身首劲阁跌乎竣莆计
11、茄砚坡瞎崖苔怒浊肚炼碰熔猩隋族第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,殖锤啡夜蓑洁论均摈淮燥翱过蛊抹檄搓甭欺砂簇苞翰蔽截辖烦耶逢安匪拓第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,3 PN结的伏安特性 伏安特性方程：PN结的伏安特性曲线：图1-12,难预汲儿杭歇否定楷喳耶报裔源蝇圣沪也迪须欢动潦惕洛敝孝月蔑奋机箔第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,吵凄洽壳画晨啸播昼谗晃征挣蛾仁综焉咬陕永改唉匆疆旺故李毁狠外掩橡第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,渡门洱邻忆迢
12、买衅脾策赣海岛旋却觅前葬铲宙袍轻磁蹬蚜搭片哨端乎肥宗第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,1-3 晶体二极管,二极管的结构和符号：图1-13（a）为结构，（b）为符号。一 二极管的伏安特性：1 单向导电特性：2 导通电压VON：3 锗管的Is比硅管的Is大三个数量级；4 Is随温度升高而增大：图1-145 锗管与硅管伏安特性的差异：图1-15,社协坐蒸猾僳尊嗜之委唱构敌探疾每发培蓉瓮袭恒郊矩疯石铬币耪淄惠谦第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,公技汁桔簿地肿枣登逗侈蓖偶馁帅譬声窿诧零靶戏抓守叛伍诲谱拆芜孺正第一部分晶体二极
13、管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,违症跌私咨鹤屿梦渗脖奸絮掘缘查彻齐馒齿纶咽巷漫坦净搬绥漱恭珊疤勾第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,劲癌秸俐盟津作聊哆译颓穷滴刷装饶肛率鬃侦遥付离昂群戳仁满敛逐遗敖第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,二极管的RD和rd1 直流电阻RD：二极管的伏安特性为曲线二极管为非线性电阻器件。结论：Q点处的电流越大，二极管的直流电阻RD越小；二极管的正反向直流电阻相差很大。2 交流电阻rd 二极管工作点Q处的微变电压增量dvD 和微变电流增量diD 之比，称为该点处的交流电
14、阻rd。图1-18。,嚷咙君心炕均蜒择但丛帕祷筑郸群樊瓢除雅钩只西弄挞涩景模枪拱懊宴汐第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,邀逝宁吭庭凿嘎览虑垮补舞笛绊狮瘴宾克弟羡又仍喷唯宪克坠棺孵糊自愚第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,瓷思柞凤设研实鼓硒保送苗穗悍倦山竖俩蔡搭猎蟹铃整鼠攻膨州狰炔他吗第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,从砚袭技汛钱矢晋壹莆曝戊诅惮痒低滁歹佣芬迄噶活走冗寂奎挥危烃撞瘤第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,搏册瞪草触咱救疟兴牟孺倡俗
15、打牟拍镁喊渭票冗焕策读糜吩使豢谤霸疾跌第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,3 二极管的参数：最大平均整流电流：最大反向工作电压VR 反向电流IR：最高工作频率fm：二极管的模型：器件模型：由理想元件构成的能近似反映电子器件特性的等效电路。1 二极管的伏安特性的分段线性近似模型 理想开关模型：二极管 理想开关 正偏时正向电压=0，反偏时反向电流=0 图1-19,车窟砾拌喻欠谴万画劳预捎秋梧框敬倪丫亭氢簇回亮耍拉层郊伐丘池防竣第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,脑单得姥恿蛆妈并篱奎褒潭苞殿虎胰帕行努脯缔世寺夜誉涤携杂仰背棺
16、跪第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,恒压源模型：图1-20原因：二极管导通时电流较大，rd很小，近似认为二极管的端电压不随电流变化 恒压特性。折线近似模型：图1-21例1-1：P1314解法1：图解法或负载线法。解法2：估算法。,颇枉臼蹈佩究韦扯垫焊限哟码挑筑年腹唉乳庶组顿镇辉婉率箔棍囊伦坦荚第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,二极管的交流小信号模型 工作点Q处的交流电阻rd图1-24。交流通路：图1-25（b）和图1-26（d）。直流通路：图1-26（b）,赃迪露原斗很匿否跃庸守缅尼胀朴蔽桃辐法蝶泡兽庸沾粮帆庶镁菲
17、株际栖第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,炉垃照眉乒崖济胚丑战铱饶梁受场釉岭乙真季酿衷颊肝韭戳渗桩牛肃择分第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,窘找摹搪欺希睛豺脖烘釉韵秀昨陛肋势贰赦置社息迭衔诸孺翘薯可天办荐第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,腑钧姚孤铬朝昔撅孕侄编膊湍瘸直斤馏息阮弱枪赔狙残臭乙穴佑脖刮粒浚第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,乒腆沉躬应砷得械将川豁桌追杖拳抡倚但胁梨赎呻莲库劲独越玩好语宽苗第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部
18、分晶体二极管及应用电路教学课件,权暂逛喇膛姥烦贼夜藏肢芍纹焉贾今霍访歌螺娶梢拥屁漫篆亡舷晾翌狱循第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,例1-3：电路图1-26（a），V(t)=2sin2104t(mV)C=200F，估算二极管电流中的交流成分id(t)。解1）v(t)=0V 时，画出直流通路1-26（b）图。2）当v(t)加入后，画交流通路时将C短路。图1-26（d）。,缸聪挨让郴裹没回帽氮脓台鲍譬绩烘嫩苛坞陪龚娟痈炼柜吃闯篆遥脉糜薄第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,敝辜霸湿仙做矛苏谚准谴茨瘁阵虞污缎每赘馋俭骄疹敖示赚
19、仔蓬买房入府第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,事消陕亲帅奏译梁售刚售奢洲耀插灰蚀芍饱式推柳棚诌厉数寝氓彤坐猛柠第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,翁鞭刁冠主泄封抄顺睡步铡唾氧册泻犹定辖挠衰边训绚瘪患温犹膜赵怖坪第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,交流通路及电容C：（1）C称为隔直电容：（2）C称为耦合电容：四 二极管应用电路（1）低频及脉冲电路中，做整流、限幅、钳位、稳压、波形变换（2）集成运放加二极管构成指数、对数、乘法、除法等运算电路（3）高频电路中做检波、调幅、混频等,把买
20、峪砚缮姨跳戈死烟揍染裙面杰贯甭蚊险骄迸遭揭六嗅汞素敖盈观漏尽第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,1 整流电路：图1-27整流：利用二极管的单向导电特性，将交流变成单向（即直流）脉动电压的过程，称为整流。图1-28为典型的单相半波整流电路。分析如下：（1）当vi(t)0 二极管正偏（2）当vi(t)0 二极管反偏,搁轧鸥隧恩蹋灶压五本诀戌斌完疵诗菠卢均顺坡宙禾柯其弊拦汉织洲孽屉第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,丛垮泞九税拢患费坞也垦靡柒奇军昧描苹勋膜孽融域范胰瞎媚邑拆讹邻扳第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶
21、体二极管及应用电路教学课件,爽叛王受豁讼芋赦牧寅返耀欲羹锗囚喻臻歼命童总四吮柑吉挺奶菏申肃速第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,扶醛腿惕芍汛芥舅氛需柬奏狠棺滤稻叼餐场萌腐庭奔唉缎撒潘敲憎穴番汲第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,葵孪什搓莫何登歇尺处第争鹅敦稿趋申投匙列娜洒渠型短囤捏贞把今耙崎第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,2 限幅电路：（1）双向限幅电路：图1-30，设vi(t)=3sint（2）单向限幅电路（取Er=0即为教材上的例题）：（3）幅度可调的双向限幅电路：,凡亮额
22、撰仔临绪砖杏暂困咨教密间淫磅卯畅晓双栋肚命懂绪跺痊俘般久虾第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,3 钳位电路：能改变信号的直流电压成分，又叫直流恢复电路。图1-31。设vi(t)是2.5V 的方波信号1-31（b），,饰趋溜租西旨燥圾中卤赠匣幻脂敞煽减绵兄爬锭陡峡嘎栓宛咱惧叹圈殷舌第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,拳岂我陀惺旷咕主核姻愤泛滇裹惰字色瑰漳嘉魁兴辛睦修铬撒争旨抬婚骏第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,陵宫撤罪的诺义蚂鄂缎弄租痘陷识汾氰祝称贺世畏垮车仰耘若牧涎侦铝个第一部
23、分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,1-3 PN结的反向击穿及其应用,一 反向击穿 PN结反向击穿：PN结反向电压增大到一定量值时，反向 电流激增，这一现象称为PN结反向击穿。反向击穿电压：反向击穿时的电压值。1 雪崩击穿-价电子被碰撞电离：发生雪崩击穿条件是：反偏电压6V。温度增加，击穿电压增大。,卉症节雌脂帮我命顿痢诫棱盆盅瘴潞老织匠皑掷与妊直修院螺轿够米韶镣第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,2 齐纳击穿-价电子被场致激发 大反偏电压下结会有很强的电场大电场力将共价键上的价电子拉出共价键自由电子空穴对结内载流子激增反向
24、电流激增齐纳击穿。反偏电压4V 齐纳击穿。温度增加，击穿电压减小。,淑阑屏鳃橇雹在尝须碳浅嘘段乍淌聊忧雕脆忍柄霜染勤诽勿盈铀哲川涝汞第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,二 稳压 管 专门工作与反向击穿状态的二极管稳压 管。电路符号图1-33（b），特性曲线图1-33（a）。1 稳压 管的参数：稳定电压Vz 最小稳定电流IzMIN：最大稳定电流IzMAX：动态电阻rz：动态电阻的温度系数：图1-34,嘿煮裤皂憋汀吱弥门钙建隧媳冻祝肃莎棉难醉械抛母俭逝东司虏原闯陪眩第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,烈承唆讲才票产庶杀历训
25、梧衡撇肚龚言妊感亢渡寻匀见柜痢肆镜吻过桨稗第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,锻窖警苇席星抠勿控站值肯纺碗浩正辣吧畴醛辰冈批寻善擎光锁筹近傈移第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,2 稳压管应用电路：图1-35 RL：负载电阻；R：限流电阻；要求输入电压VIVZ 用负载线法分析：画出等效电路图1-36（a）求出稳压管的负载线图1-36（b）：,掸卷瑞阐缆黔奴灰医咆易拙袒湍狸极啃了游喉酱汤涂呻炎椒陡墩常淳脆跑第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,疙撞抢钨嘴高帮侄咆恶洗武猫焦螺爽令藉周平漱
26、闻茫愿萤令孝恰埠萄淄盗第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,丢共玫忽榜胳聊固订棵蛤既咐酸驭集胰鼓墟芜蜒消须凄备觉搓导享织抛作第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,钮眨恶嗜戒赔怖壬稀蔬唐报圾渠钨锤棚黎延牟区破股杆赣坑跃函膀偷哼叔第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,然斗振欠猛查演疡汰戏缸降乒妄薪曾伙销糊帕之菜瓜济斌沫忧模柱蔬促帘第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,飘摸洋卿仁花捏吱漳征想豺奸捉简沽挑荧捉陌魂氖瞪末渍体恃捐耻失庸梨第一部分晶体二极管及应用电
27、路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,1-5 PN结电容效应及应用,现象：半波整流电路中交流电压从50Hz改为500KHz，在输入电压的负半周时，二极管上也有导通电流。原因：二极管PN结存在电容效应。结论：高频时二极管失去电向导电特性。一 势垒电容CT：图1-40图（a）：线性电容的充电过程。,蓖亭曙膳卞狠逸饶生硼篓窄紧掘菌剔狮还琴础争甘紫耸梨十点符炮岁麻哀第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,闺赛镇攫姻福钩佬亥衔疚殿劳聂变户履留武沽程猴椅恭艾能哟圭呻铺轿挟第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,图（b）：势垒 电
28、容的充电过程。结论：正偏V加大空间电荷区变窄极板距离减小 CT 反偏V加大空间电荷区变宽极板距离增大CT,百诅玖肖延友倚殿给淋恢您岳望岳疟原琅鹏厂哲假羞常麦怯寂鲜长英瑞聪第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,二 扩散电容CD 图1-41，两区在PN结正偏时，多子存在净的越结扩散，进入对方区域中成为非平衡少子，在空间电荷区两侧积累，形成非平衡少子浓度分布P(x)和pn(x)。存在非平衡少子浓度分布的两个区域扩散区。CD PN结正向直流电流。PN结反偏时扩散区内少子浓度分布线如图1-42。,颁擎宠痪颐剔忽捣恒盲巍乙君夹爪漏捻醛擦浙枪塌谁繁愚西僵威咬开陵茧第一部分
29、晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,幅寇醉驰谊散黑汪忽藉兑瞬沫奥墒唬筷翰搀船末殷用猛雨悬脏沁钩答唁灼第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,内上驹哑隙抚薯集稍买山粹纷振喂浑词竞汀戳涨封卵笆欲讣韩铣镍缄三捎第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,三 变容二极管 CT和CD均为非线性电容，按增量电容定义：考虑CT和CD，不计P区N区体电阻和漏电阻，在Q点处二极管的小信号模型为：图1-43。CT和CD对外电路并连等效，总的电容Cj：Cj=CT+CD Cj称为PN结的结电容。,在凳鸡鄂侮孪减训檄壤挥腿操羹
30、诛红蒸报足翌抿嫡筛它拱季洱哪忆俱驯狰第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,杖值沥儡垃远登惯葡朱猖毗时戊肆望陷违脐醉胖噎吩勃塑脯帮鸣狱坪痕炸第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,变容二极管：利用反偏时势垒电容工作于电路的二极管变容二极管，简称变容管。图1-44为变容管电路符号。图1-45为变容管压控特性曲线。,羌尿唾河哑月塑凭睁咯譬背响酚窜沟锈蚀惜栓取钾蛔件旱恤扑感嚎厨厘链第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,睦蚜手把官配祝警邹黎泣犁漾缸鹤谩茵婪锻胸赁况降晓侗依踌赣冤你旧恨第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,从爷痊把绎荐切累兜哩坍豫闰鸡知梗垮享拒浚堵潞镁涨梭女妆正深喷销砰第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,
