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1、专升本CMOS模拟集成电路分析与设计一、（共75题，共150分）1. Gordon Moore在1965年预言:每个芯片上晶体管的数目将每（）个月翻一番（2 分）8. 下列电路不能能使用半边电路法计算差模增益（）。（2分）A. 二极管负载差分放大器B. 电流源负载差分放大器C. 有源电流镜差分放大器D. Cascode负载Casocde差分放大器.标准答案：CA.12B.18C.20D.24.标准答案：B9. 镜像电流源一般要求相同的（）。（2分）A.制造工艺B.器件宽长比C.器件宽度W D.器件长度L2. MOS管的小信号输出电阻九是由MOS管的（）效应产生的。（2分）.标准答案：D10.某
2、一恒流源电流镜如图所示。忽略M3的体效应。要使靖和电，严格相等，好（2分）A.体B.衬偏C.沟长调制D.亚阈值导通.标准答案：C3. 在CMOS模拟集成电路设计中，我们一般让MOS管工作在（）区。（2分）A.亚阈值区 B.深三极管区 C.三极管区 D.饱和区.标准答案：D4. MOS管一旦出现（）现象，此时的MOS管将进入饱和区。（2分）A. 夹断B.反型C.导电D.耗尽.标准答案：A5. （）表征了 MOS器件的灵敏度。（2分）A7bB. %C皆DK.标准答案：C应取为（）。A. 死B. %叫C. %D. %g.标准答案：A6. Cascode放大器中两个相同的NMOS管具有不相同的（）。（
3、2分）A7B.%C伊DK.标准答案：B7. 基本差分对电路中对共模增益影响最显著的因素是（）。（2分）A. 尾电流源的小信号输出阻抗为有限值B. 负载不匹配仁输入MOS不匹配D. 电路制造中的误差.标准答案：C11. 选择题:下列结构中密勒效应最大的是（）。（2分）A.共源级放大器B.源级跟随器C.共栅级放大器D.共源共栅级放大器.标准答案：A12. 下图中，其中电压放大器的增益为-A，假定该放大器为理想放大器。请计算该电路的等效输入电阻为（）。阪电” （2分）A. 土B.U c.m+4) D.蜓+明.标准答案：A13. 对电路进行直流工作点分析的Hspice命令是（）。（2分）A.DC B.
4、AC C.OP D.IC19. NMOS管中，如果VB变得更负，则耗尽层（）。（2分）A.不变B.变得更窄C.变得更宽D.几乎不变.标准答案：C18.在NMOS中，若三会使阈值电压（）（2分）A.增大B.不变C.减小D.可大可小.标准答案：A.标准答案：C20. 随着微电子工艺水平提高，特征尺寸不断减小，这时电路的工作电压会（）（214. 模拟集成电路设计中的第一步是（）。（2分）A.电路设计B.版图设计C.规格定义D.电路结构选择.标准答案：C15. （）可提高图中放大器的增益。（2分）A. 减小，减小马B. 增大，增大C. 增大&，减小AD. 减小，增大.标准答案：A16. 模拟集成电路设
5、计中可使用大信号分析方法的是（）。（2分）A.增益B.输出电阻C.输出摆幅 。.输入电阻.标准答案：C17. 模拟集成电路设计中可使用小信号分析方法的是（）。（2分）A.增益B.电压净空C.输出摆幅。.输入偏置.标准答案：A分）A.不断提高 B.不变C.可大可小D.不断降低.标准答案：D21. MOS管漏电流的变化量除以栅源电压的变化量是（）。（2分）A.电导 B.电阻 C.跨导D.跨阻.标准答案：C22. 工作在饱和区的MOS管，可以被看作是一个（）。（2分）A.恒压源B.电压控制电流源C.恒流源D.电流控制电压源.标准答案：B23. 密勒效应最明显的放大器是（）。（2分）A.共源极放大器B
6、.源极跟随器C.共栅极放大器D.共基极放大器.标准答案：A24. 不能直接工作的共源极放大器是（）共源极放大器。（2分）A.电阻负载B.二极管连接负载C.电流源负载D.二极管和电流源并联负载.标准答案：C25. 模拟集成电路设计中的最后一步是（）。（2分）A.电路设计B.版图设计C.规格定义D.电路结构选择.标准答案：B26. 在当今的集成电路制造工艺中，（）工艺制造的IC在功耗方面具有最大的优 势。（2分）A.MOS B.CMOS C.Bipolar D.BiCMOS.标准答案：B27. MOS器件小信号模型中的gmb是由MOS管的（）效应引起。（2分）A.二级 B.衬偏C.沟长调制D.亚阈
7、值导通.标准答案：B28. PMOS管的导电沟道中依靠（）导电。（2分）A.电子 B.空穴 C.正电荷 D.负电荷29. 当MOS管的宽长比是定值时，其跨导与漏源电流的关系曲线是（）。B C D（2 分）A.见图 B.见图C.见图D.见图.标准答案：D.标准答案：BA.亚阈值区B.深三极管区 C.三极管区D.饱和区.标准答案：B 35.下图的共源共栅放大器中，选择合适的偏置电压VB，让输入电压Vin从0逐B.M2D.都有可能渐增加，则先从饱和区进入线性区的MOS管是（）。（2分）A.M1C.两个同时进入.标准答案：D36.下面放大器的小信号增益为（）。（2分）30. 如果MOS管的栅源过驱动电
8、压给定，L越（），输出电流越理想。（2分）A.大B.小C.近似于WD.精确.标准答案：A31. MOS电容中对电容值贡献最大的是（）。（2分）A. 。gsB. CGDC. C DBD. CSB.标准答案：AA.B.gmro1 + gmC.132. 下面几种电路中增益线性度最好的是（）。（2分）A.电阻负载共源级放大器B.电流源负载共源级放大器C.二极管负载共源级放大器D.源极负反馈共源级放大器.标准答案：C33. 电阻负载共源级放大器中，下列措施不能提高放大器小信号增益的是（）。（2分）D.理论上无穷大.标准答案：A37.下列不是基本差分对电路中尾电流的作用的是（）。（2分）A.为放大器管提供
9、固定偏置B.为放大管提供电流通路C.减小放大器的共模增益D.提高放大器的增益.标准答案：DA.增大器件宽长比B.增大负载电阻C.降低输入信号直流电平D.增大器件的沟道长度L.标准答案：D34. 电阻负载共源级放大器中，让输入信号从VDD下降，NMOS管首先进入（） 区。（2分）分）B气+匕C气D.* +沙.标准答案：39.下图中GSCB.仅增大L1,2(W A.减小其中电压放大器的增益为-A,假定该放大器为理想放大器。请计算该电路的等效输出电阻为（）。R1,2 D.仅减小W1,2 .标准答案：CC.增大A.1 + AR41. MOS管的端电压变化时，源极和漏极（）互换。（2分）A.能B.不能C
10、.不知道能不能D.在特殊的极限情况下能.标准答案：AB.C.D.标准答案：B42. CMOS工艺里不容易加工的器件为（）。（2分）A.电阻B.电容C.电感 D.MOS管.标准答案：C43. MOS管的特征尺寸通常是指（）。（2分）A.W B.L C.W/L D.tox.标准答案：B44. MOS管从不导通到导通过程中，最先出现的是（）。（2分）A.反型B.夹断C.耗尽D.导通.标准答案：C45. 源极跟随器通常不能用作（）。（2分）A.缓冲器B.放大器仁电平移动D.驱动器.标准答案：B46. 能较大范围提高阈值电压的方法是（）。（2分）A.增大MOS管尺寸B.提高过驱动电压C.制造时向沟道区域
11、注入杂质D.增大衬底偏置效应.标准答案：C47. PMOS管导电，依靠的是沟道中的（）。（2分）A.电子B.空穴C.电荷D.电子空穴对.标准答案：B48. 为了让MOS管对外表现出受控电流源的特性，我们通常让其工作在（）区。（2分）A.截止B.三极管C.线性 D.饱和.标准答案：D49. MOS管中最大的电容是（）。（2分）A.氧化层电容B.耗尽层电容C.交叠电容D.结电容.标准答案：A50. MOS器件小信号模型中的.是由MOS管的（）效应引起。（2分）A.体B.衬偏C.沟长调制D.亚阈值导通.标准答案：C51. 在当今的集成电路制造工艺中，（）工艺制造的IC最容易实现尺寸的按比例缩 小。（
12、2分）A.MOS B.CMOS C.Bipolar D.BiCMOS.标准答案：B52. （）在1965年预言:每个芯片上晶体管的数目将每18个月翻一番（2分）A.比尔盖茨 B.摩尔C.乔布斯D.贝尔.标准答案：BA.夹断层B.反型层C.导电层D.耗尽层.标准答案：B57. 形成（）的栅源电压叫阈值电压（）。（2分）A.夹断层B.反型层C.导电层D.耗尽层.标准答案：B58. NMOS管中，如果VBS变得更小，则耗尽层（）。（2分）A.不变B.变得更窄C.变得更宽 D.几乎不变.标准答案：C59. NMOS管的导电沟道中依靠（）导电。（2分）A.电子B.空穴C.正电荷D.负电荷.标准答案：A6
13、0. 当MOS管的宽长比是定值时，其跨导与过驱动电源的关系曲线是（）。B C D（2 分）A.见图 B.见图 C.见图 D.见图.标准答案：C61. MOS管的漏源电流受栅源过驱动电压控制，我们定义（）来表示电压转换电流 的能力。（2分）A.跨导B.受控电流源C.跨阻D.小信号增益.标准答案：A53. 最常见的集成电路通常采用（）工艺制造。（2分）A.MOS B.CMOS C.Bipolar D.BiCMOS.标准答案：B54. 工作在（）区的MOS管，可以被看作为电流源。（2分）A.截止B.三极管C.深三极管 D.饱和.标准答案：D55. 工作在（）区的MOS管，其跨导是恒定值。（2分）A.
14、截止B.三极管C.深三极管 D.饱和.标准答案：D62. 乳为沟长调制效应系数，对于较长的沟道，孟值（）（2分）A.较大 B.较小 C.不变 D.不定.标准答案：B63. 共源共栅放大器结构的一个重要特性就是输出阻抗（）。（2分）A.低B.一般C.高D.很高.标准答案：D64. NMOS管中，对阈值电压影响最大的是（）。（2分）A.VBS B.VGS C.VDS D.W/L.标准答案：A56. 载流子沟道就在栅氧层下形成（），源和漏之间“导通”。（2分）65. Cascode放大器中两个尺寸相同的NMOS具有相同的（）效应。（2分）A.沟长调制B.体C.背栅D.衬底偏置.标准答案：A66.小信
15、号输出电阻相对最小的放大器是（）。（2分）A.共源级放大器B.源级跟随器C.共栅级放大器D.共源共栅级放大器.标准答案：BA. 2匕D +2匕B. 2匕d +匕2VC. ODD. 2 匕D +2VGS.标准答案：67. 差分放大器中，共模输入电平的变化不会引起差动输出的改变的因素是（）。（2分）A.尾电流源输出阻抗为有限值8.输入MOS管不完全对称C.负载不完全对称。.输入对管工作在饱和区.标准答案：D68. 下列不是基本差分对电路中尾电流的作用的是（）。（2分）A.为放大器管提供固定偏置 B.为放大管提供电流通路C.减小放大器的共模增益D.提高放大器的增益.标准答案：D71.下图中，其中电压
16、放大器的增益为-A，假定该放大器为理想放大器。请计算该电路的等效输出电阻为（）。A.1 + ARA.（2分）69.下面电路的差模小信号增益为（）。（2分）B.1 + 1AR(1 + A)、1，AC.R1+D.标准答案：B72. Hspice仿真中，耗时最长的一般是（）。A.直流工作点分析C.交流分析.标准答案：BB.瞬态分析D.直流分析（2分）B*。4C. gm2%4 - r2)D. - gm1 匕4 12).标准答案：D73. 模拟电路中，精度最高的电阻是（）。（2分）A.金属电阻 B.比例电阻C.多晶硅电阻 D.阱电阻.标准答案：B74. 密勒效应是（）。（2分）70.某一恒流源电流镜如图所示。忽略M3的体效应。若让M2管工作在饱和区边缘，Vb应取为（）。（2分）A. 有害的B. 有利的C. 可以被我们利用来解决电路设计中的问题D. 实际不起作用.标准答案：C75. 为达到较好的稳定状态和响应速度，反馈系统的相位裕度一般取（）度。（2 分）A.30B.60C.90D.180.标准答案：B
