单相桥式无源逆变电路.docx

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1、单相桥式无源逆变电路（总25页）-本页仅作为文档封面，使用时请直接删除即可-内页可以根据需求调整合适字体及大小-绪论电力电子技术是一门新兴的应用于电力领域的电子技术，是建立在电子学、 电工原理和自动控制三大学科上的新兴学科，就是使用电力电子器件（如晶闸 管，GTO，IGBT等）对电能进行变换和控制的技术。电力电子技术所变换的“电 力”功率可大到数百W甚至GW，也可以小到数W甚至1W以下，和以信息处 理为主的信息电子技术不同电力电子技术主要用于电力变换。此技术的应用已深 入到国家经济建设，交通运输，空间技术，国防现代化，医疗，环保和人们日常 生活的各个领域。进入新世纪后电力电子技术的应用更加广泛

2、。以计算机为核心 的信息科学将是21世纪起主导作用的科学技术之一，有人预言，电力电子技术 和运动控制一起，将和计算机技术共同成为未来科学的两大支柱。电力电子技术是应用于电力领域的电子技术。具体地说，就是使用电力电子 器件对电能进行变换和控制的技术。通常把电力电子技术分为电力电子制造技术 和变流技术（整流，逆变，斩波，变频，变相等）两个分支。其中，变流技术也称为电力电子器件的应用技术，它包括用电力电子器件构成各种电力变换电路和对这些电路进行控制的技术，以及由这些电路构成电路电 子装置和电力电子系统的技术。“变流”不仅指交直流之间的交换，也包括直流 变直流和交流变交流的变换。将直流电转换为交流电的

3、电路称为逆变电路，本课程设计主要介绍单相桥式 无源逆变电路。1逆变器的性能指标与分类有源逆变的基本定义及其应用如果将逆变电路的交流侧接到交流电网上，把直流电逆变成同频率的交流电 反送到电网去。它用于直流电机的可逆调速、绕线型异步电机的串级调速、高压 直流输电和太阳能发电等方面。无源逆变电路的基本定义及应用无源逆变是指逆变器的交流侧不与电网连接，而是直接接到负载，即将直流 电逆变为某一频率或可变频率的交流电供给负载。它在交流电机变频调速、感应 加热、不停电电源等方面应用十分广泛，是构成电力电子技术的重要内容。逆变器的性能指标谐波系数HF谐波系数HF定义为谐波分量有效值同基波分量有致值之比，即HF

4、 = 土(1-1)U式中n=1、2、3，表示谐波次数，n=1时为基波。总谐波系数THD总谐波系数表征了一个实际波形同其基波的接近程度。THD定义为THD = -1U (1-2)Z U无源逆变电路的主要功能及工作原理主要功能是将直流电逆变成某一频率或可变频率的交流电供给负载。基本的单相桥式无源逆变电路的工作原理如图1所示，图中Ud为直流电压 电源，R为逆变器输出负载，T1T1为四个高速开关。该电路有两种工作状态(1)当开关T1、T4闭合，T2、T3断开时，逆变器输出电压史Ud ； 当开关T1、T4断开，T2、T3闭合时，逆变器输出电压U =-Ud；当以频率f交替切换开关T1、T4和T2、T3时，

5、则在电阻R上获得如图 所示的交变电压波形，其周期Ts=1/f，这样，就将直流电压E变成了交流电 压U。含有各次谐波，如果想得到正弦波电压，则可通过滤波器滤波获得。图1-1中主电路开关T1T4,它实际是各种半导体开关器件的一种理想模型。逆变电路中常用的开关器件有快速晶闸管、可关断晶闸管（GTO）、功率晶体管 （GTR）、功率场效应晶体管（MOSFET）、绝缘栅晶体管（IGBT）。图1-1单相桥式无源逆变电路的工作原理2主电路的设计采用全控型器件一一绝缘栅晶体管(IGBT)取代上图的T1,得到如下图2-1 所示的单相桥式无源逆变电路。从图中可看出，它由两对桥臂组合而成，VT1 和VT4构成一对导电

6、臂，VT2和VT3构成另一对导电臂，两对导电臂交替导通 180，其输出电压、输出负载波形如下所示。工作过程如下：t=0时刻以前，VT2、VT3导通，VT1、VT4关断，电源电压反向加在负载 上，=-Ud。在t=0时刻，负载电流上升到负的最大值，此时关断VT2、VT3，同时驱动 VT1、VT4,由于感性负载电流不能立即改变方向，负载电流经VD1、VD4续流, 此时，由于VD1、VD4导通，VT1、VT4受反压而不能导通。负载电压=+Ud图2-1单相桥式无源逆变电路图2-2输出电压、输出电流在t=t时刻，负载电流下降到0, VD1、VD4自然关断，VT1、VT4在正向 电压作用下开始导通。负载电流

7、正向增大，负载电压u=+Ud。在t=t时刻负载电流上升到正的最大值，此时关断VT1、VT4,并驱动VT2、 VT3，同样，由于负载电流不能立即换向，负载电流经VD2、VD3续流，负载电压u=-Ud。在t= t时刻，负载电流下降到0，VD2、VD3自然关断，VT2、VT3开通， 负载电流反向增大时，u=-ud。在t= t时刻，负载电流上升到负的最大值，完成一个工作周期。从图2-2知，单相全桥逆变电路的输出电压为方波，定量分析时，将展开 成傅立叶级数，得u = | sin X +L sin3t + L sin5wt+兀 I35J（2-1）其中，基波分量的幅值Uolm和有效值Uol分别为：（2-2）

8、22U（2-3）3驱动电路的设计电力电子器件驱动电路概述电力电子器件的驱动电路时电力电子主电路与控制电路之间的接口，是电力 电子装置的重要环节，对整个装置的性能有很大的影响。采用性能良好的驱动电 路，可使电流电子器件工作在较理想的开关状态，缩短开关时间，减小开关损耗， 对装置的运行效率、可靠性和安全都有重要的意义。另外，对电力电子器件或整 个装置的一些保护措施也往往就近设在驱动电路中，或者通过驱动电路来实现， 这使得驱动电路的设计更为重要。驱动电路还要提供控制电路与主电路之间的电气隔离环节。一般采用光隔离 和磁隔离。光隔离一般采用光耦合器。光耦合器由发光二极管和光敏晶体管组成， 封装在一个外壳

9、内。其类型有普通、高速和高传输比三种，内部电路和基本接法 分别如图3-1所示。图3-1光耦合器的类型及接法a）普通型b）高速型c）高传输比型按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间信号的性质，可以将电 力电子器件分为电流驱动型和电压驱动型两类。晶闸管虽然属于电流驱动型器 件，但是它是半控型器件。晶闸管的驱动电路通常称为触发电路。对于典型的全 控型器件GTO、GTR、电力MOSFET和IGBT，则将按电流驱动型和电压驱动 型。GTO、GTR是电流驱型动器件，电力MOSFETs IGBT时电压驱动型器件。 GTO和GTR是双极型电流驱动器件，由于具有电导调制效应，所以其通流能力 很强，但开关

10、速度较低，所需驱动功率大，驱动电路复杂。而电力MOSFET是单极型电压驱动器件，开关速度快，输入阻抗高，热稳定好，所需驱动功率小而 且驱动电路简单。将这两类器件相互取长补短适当结合而成的复合器件，通常成 为BiMOS器件。绝缘栅双极晶体管（IGBT或IGT）综合了 GTR和MOSFET 的优点，因而具有良好的特性。IGBT的介绍及工作原理IGBT绝缘栅双极晶体管，将MOSFET和GTR优点集于一身，既具有输 入阻抗高、工作速度快、热稳定性好和驱动电路简单的特点，又具有通态电压低、 耐压高和承受电流大等优点，因此，发展很快，在电机控制、中频和开关电源以 及要求快速、低损耗的领域倍受青睐。在功率M

11、OSFET的基础上,IGBT增加了一个P层发射极，形成PN结J1， 并由此引出集电极C、栅极G和发射极E。IGBT相当于一个由MOSFET驱动的 厚基区GTR N沟道IGBT的图形符号如图2-1所示。P沟道IGBT图形符号中 的箭头方向恰好相反。IGBT的开通和关断是由栅极电压来控制的。栅极施以正 电压时，MOSFET内形成沟道，并为PNP晶体管提供基极电流，从而使IGBT 导通。此时，从P区注入到N区的空穴（少子）对N区进行电导调制，减小N区的电阻Rdr，使高电压的IGBT也具有低的通态压降。在栅极上施以负电压 时，MOSFET内的沟道消失，PNP晶体管的基极电流被切断，IGBT即为关断。图

12、3-2 IGBT等效电路、电气符号IGBT的基本特性(1)静态特性包括转移特性和输出特性。图2-2 (b)所示为IGBT的转 移特性，它是描述集电极电流Ic与栅极电压U之间关系，开启电压U()时 IGBT能实现电导调制而导通的最低栅射电压。U()随温度升高而略有下降， 温度每升高1C。，其值下降5Mv左右，在+25C。时，U()的值一般26VO当栅极电压U小于开启电压U()时，IGBT处于关断状态。在IGBT导 通后的大部分范围内，Ic与U呈线性关系。图3-3 IGBT的输出特性、转移特性(a )输出特性(b )转移特性图3-3 (b)所示为IGBT输出特性，也称伏安特性，它描述的是以栅极电压

13、 为参考变量时，集电极电流Ic与集射级间电压U ge之间的关系，它与GTR的输出特性基本相似，也分为饱和区、放大区、击穿区和截止区。当UU()时IGBT处于放 大区，在该区中，Ic与U几乎呈线性关系而与U无关，故又称线性区。饱 和区是指输出特性比较明显弯曲的部分，此时集电极电流Ic与栅极电压U不 再呈线性关系。(2)动态特性IGBT的动态特性也称开关特性，包括开通和关断两个部分。IGBT的开通时间t由开通延迟时间()和电流上升时间两部分组成。通常开 通时间为卬o IGBT在开通过程中大部分时间是作为MOSFET工作的。 只是在集-射极电压U下降过程后期()，PNP晶体管才由放大区转到饱和 区，

14、因而增加了一段延缓时间，使集-射电压U波形分成两段和oIGBT的关断过程是从正向导通状态转换到正向阻断状态过程。关断过程所 需要的时间为关断时间o 包括关断延迟时间和电流下降时间两部 分，在内，集电极电流的波形分为两段和对应IGBT内部MOSFET的关 断过程，两段时间内Ic下降较快；对应于IGBT内PNP晶体管的关断过程， 由于MOSFET关断后，PNP晶体管中的储存电荷难以迅速消除，所以这段时间 内Ic下降较慢，造成集电极电流较长的尾部时间。通常关断时间为卬。图3-4 IGBT的动态开关特性IGBT主要参数及容量(1)额定电压IGBT的额定电压由逆变器(交-直-交逆变器)的交流输入 电压决

15、定，因为它决定了后面的环节可能出现的最大电压峰值。再考虑两倍裕量, 即：元件的额定电压=2xx电网电压（单相为相电压，三相为线电压）交流输入电压与IGBT额定电压的关系如下表 所示： 表3-1交流输入电压/V180220380440IGBT额定电压/V60010001200（2）电流额定值IGBT的额定电流取决于逆变器的容量，而逆变器的容量 与其所驱动的电动机密切相关。设电动机的输出功率为P,则逆变器的容量为：S = P / cos。（3-1）式中，cos *为电动机功率因数。由上式可得逆变器的电流有效值为：i=mv 3U（3-2）式中，U为交流电源电压的有效值。由于IGBT是工作在开关状态，

16、故计算其电流额定值时，应考虑其在整个运 行过程中可能承受的最大峰值电流1为：I=.IKK（3-3）式中，K1为过载系数（裕量），取K1=2；K2为考虑电网电压波动等因素，取 K2=。- P I =X 气 2 KK3U cos *综合上述式子得（3-4）逆变器所接交流电源电压为220V，该逆变器向电动机供电，电动机 功率因数cos * =，则该逆变器中的IGBT的最大峰值电流1为：, x 10I=x 2 x 2 v.一 X = ().v3 x 220x则该逆变器中IGBT的容量为600V、50A。型号为2MB150N-60。表3-2 IGBT型号列表曰 型集-射极 电U栅-射极 电U集电极 电流

17、功耗P/W通态压降u/V生产产家IRGPC40M盛/V压20/VIc/A 40160美国IRIRGPH40M12002031160美国IR2MB150N-606002050250日本富士2MB150N-12002050400日本富士120 MG25N2S110002025200日本东之电压驱动型器件的驱动电路电子器件的驱动电路是电力电子主电路与控制电路之间的接口，是电力电子 装置的重要环节，对整个装置的性能有很大的影响。采用性能良好的驱动电路， 可使电流电子器件工作在较理想的开关状态，缩短开关时间，减小开关损耗，对 装置的运行效率、可靠性和安全都有重要的意义。另外，对电力电子器件或整个 装置的

18、一些保护措施也往往就近设在驱动电路中，或者通过驱动电路来实现，这 使得驱动电路的设计更为重要。按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间信号的性质，可以将电 力电子器件分为电流驱动型和电压驱动型两类。晶闸管虽然属于电流驱动型器 件，但是它是半控型器件。晶闸管的驱动电路通常称为触发电路。对于典型的全 控型器件GTO、GTR、电力MOSFET和IGBT，则将按电流驱动型和电压驱动 型。GTO、GTR是电流驱型动器件，电力MOSFETs IGBT时电压驱动型器件。IGBT的驱动电路有阻尼滤波门极驱动电路，光耦合器门极驱动电路，脉冲 变压器直接驱动IGBT电路，定时器555组成的IGBT驱动电路和

19、IGBT专用驱 动模块图3-5 IGBT门极驱动电路（a）阻尼滤波门极驱动电路（b ）光耦合器门极驱动电路（c）脉冲变压器直接驱动IGBT电路（d） 555组成的驱动电路电压驱动型器件的驱动电路一IGBT驱动IGBT的驱动多采用专用的混合集成驱动器。常用的有三菱公司的M579系 列（如 M57962L 和 M57959L）和富士公司的 EXB 系列（如 EXB840、EXB841、 EXB850和EXB851）。同一系列的不同型号其引脚和接线基本相同，只是适用被 驱动器件的容量和开关频率以及输入电流幅值等参数有所不同。图 9给出了 M57962L的原理和接线图。这些混合集成驱动器内部都具有退饱

20、和检测和保护 环节，当发生过电流时能快速响应但慢速关断IGBT，并向外部电路给出故障信 号。M57962L输出的正驱动电压均为+15V，左右，负驱动电压为-10V。图3-6 M57962L型IGBT驱动器的原理和接线图4反馈二极管的选择电力二极管可以在交流-直流交换电路中作为整流元件，也可以在电感元件 上根据电能需要适当释放的电路中作为续流元件，还可以在逆变电路中作为反向 充电和能量传输，在各类变流器中作为隔离、钳位、保护和高频整流。应用时， 应根据不同场合的不同需要，选择不同类型的电力二极管。电力二极管的基本特性（1）电力二极管的伏安特性电力二极管的伏安特性曲线如图4-1所示。当外加电压大于

21、门槛电压时 正向电流开始迅速增加，二极管开始导通。正向导通时其管压降仅1V左右，且 不随电流的大小而变化。当二极管承受反向电压时，只有很小的反向漏电流/流 过，器件反向截止。但当反向电压增大至旧时PN结内产生雪崩击穿，反向电 流急剧增大，可导致二极管击穿损坏。图4-1电力二极管伏安特性曲线（2）电力二极管的开关特性电力二极管工作状态转换时的特性称为开关特性，包括两个部分：关断特性 和开通特性。1）关断特性关断特性指的是电力二极管由正向偏置的通态转换为反向偏置的断态的特性，关断过程中电压、电流的波形如图 所示。当原来处于正向导通的电力二 极管外加电压在时刻突然从正向变为反向时，正向电流开始下降，

22、至时刻 二极管电流将为零，此时PN结两侧存有大量的少子，器件并没有恢复反向阻断 能力，直到时刻PN结内储存的少子被抽尽时，反向电流达到最大值1。在 时刻后二极管开始恢复反向阻断，反向恢复电流迅速减小。外电路中电感产生的 高感应电动势使器件承受很高的反向电压U。当电流降到基本为零的时刻（反向电流降为10%1），二极管两端的反向电压才降到外加反向电压，电 力二极管完全恢复反向阻断能力。2）开通特性开通特性是指电力二极管由零偏置转换为正向偏置的通态特性。开通过程中 的电压、电流波形如图7所示。开通过程中二极管两端也会出现峰值电压U（几伏至几十伏）。经过一段时间才接近稳态值（约2伏）。上述时间被称为正

23、向 恢复时间。通常正向恢复时间比反向恢复时间短。图4-2电力二极管的开关特性（a）关断特性（b）开通特性电力二极管的参数计算及其选择(1) 正向平均电流/(额定电流)。在该电流下管子的正向压降造成管子 有损 耗，结温升高不超过最高允许结温。该值是按电流的发热效应定义的，因此，1616在计算时按有效值相等条件来选取二极管的电流定额，并留有2倍的裕量。计算公式如下，其中1为流过管子的额定电流有效值，即IT ,、一(2)(4-1)(2) 反向重复峰值电压U (额定电压)。指管子反向所施加最高峰值电压。通常是反向击穿电压的2/3。计算时按二极管可能承受的最高反向峰值电压 的23倍来选取二极管的定额，即

24、U = (2-3) U(4-2)取相应标准系列值。(3) 正向通态压降U。指二极管在指定温度下，流过某一指定的稳态正向 电流时对应的正向压降。有时参数表中也给出在指定温度下流过某一瞬态正向大 电流时器件的最大瞬时正向压降。(4) 反向恢复时间。从二极管正向电流过零到反向电流下降到其峰值10% 时的时间间隔。它与反向电流上升率、结温、开关前的最大正向电流等因素有关。(5)最高允许结温气指在PN结不损坏的前提下能承受的最高温度。通 常在 125C175C.(6)正向浪涌电流1。由于电路异常情况引起的，并使结温超过额定结 温的不重复性最大正向过载电流。本电路中，(4-3)二50 A100(4-4)U

25、 = U=100V(2)x取3A。(4-5)(4-6)U = (23) U =200 300V,取 200V。所以选择31DF2型电力二极管。5保护电路的设计在电力电子电路中，除了电力电子器件参数选择合适、驱动电路设计良好外, 采用合适的过电压保护、过电流保护、du/dt保护和di/dt保护也是必要的。这里 主要讲述IGBT的保护。过电压保护电力电子装置中可能发生的过电压分为外因过电压和内因过电压两类。外因 过电压主要来自雷击和系统中的操作过程等外部原因，包括：1）操作过电压：由分闸、合闸等开关操作引起的过电压。2）雷击过电压：由雷击引起的过电压。内因过电压主要来自电力电子装置内部器件的开关过

26、程，包括：1）换相过电压：由于晶闸管或者与全控型器件反并联的续流二极管在换相 结束后不能立刻恢复阻断能力，因而有较大的反向电流流过，使残存的载流子恢 复，因而其恢复了阻断能力时，反向电流急剧减小，这样的电流突变会因线路电 感而在晶闸管阴阳极之间或续流二极管反并联的全控型器件两端产生过电压。2）关断过电压：全控型器件在较高频率下工作，当器件关断时，因正向电 流的迅速降低而由线路电感在器件两端感应出的过电压。Sdc图5-1过电压抑制措施及配置位置图5-1所示出了各种保护措施及其配置位置，各电力电子装置可见具体情况 只采用其中的几种。其中RC3和RCD为抑制内因过电压的措施。在抑制外因过 电压的措施

27、中，采用RC过电压抑制电路是最为常见的，其典型联结方式见图5-1。 RC过电压抑制电路可接于供电变压器的两侧（通常供电网一侧称网侧，电力电子电路一侧称为阀侧），或电力电子电路的直流侧。对于大容量电力电子装置， 可采用图5-3所示的反向阻断式RC电路。有关保护电路的参数计算可参照相关 的工程手册。采用雪崩二极管、金属氧化物压敏电阻、硒堆和转折二极管（BOD） 等非线性元器件来限制或吸收过电压也是较常用的措施。Ca Ra十十a）b）图5-2 RC过电压抑制电路联结方式a）单相 b）三相图5-3反向阻断式过电压抑制用RC电路过电流保护电力电子电路运行不正常或者发生故障时，可能会发生过电流。过电流分过

28、 载和短路两种情况。图5-4给出了各种过电流保护措施及其配置位置，其中采用 快速熔断器、直流快速断路器和过电流继电器是较为常见的措施。一般电力电子装置均采用几种过电流保护措施，以提高保护的可靠性和合理性。在选择各种保 护措施时应注意相互协调。通常，电子电路作为第一保护措施，快速熔断器仅作 为短路时的部分区段的保护，直流快速断路器整定在电子电路动作之后实现保 护，过电流继电器整定在过载时动作。图5-4过电流保护措施及配置位置采用快速熔断器是电力电子装置中最有效、应用最广的一种过电流保护措 施。在选择快速熔断器时应考虑：（1）电压等级应根据熔断后快熔实际承受的电压来确定。（2）电流容量应按其在主电

29、路的接入方式和主电路联结形式确定。快熔一 般与电力半导体器件串联连接，在小容量装置中也可串接于阀侧交流母线或直流 母线中。（3）快熔的*值应小于被保护器件的允许1值。（4）为保证熔体在正常过载情况下不熔化，应考虑其时间-电流特性。IGBT保护电路的选择 电容的选择一般按布线电感磁场能量全部转化为电场能能量估算。即11LI = C (U - U )2(5-1)LI(5-2)(U- U)这里取/为电路电压1=3A ；为电感值L= L =;U为保证保护可靠,可取稍低于IGBT耐压值为宜，这里取200V进行计算；取U= 50V ；则 C 2拦=取C=，耐压300V。 缓冲电阻的计算要求IGBT关断信号

30、到来之前，将缓冲电容器所积蓄的电荷放完，以关断信 号之前放电90%为条件，其计算公式如下；1R -6fC，有 R = 5kQ。 缓冲电路二极管D 因为用于高频电路中，故应选用快速恢复二极管， 以保证IGBT导通时很快关断。皿电流额定可按IGBT通过电流的试选，然后调试决定。图5-5 IGBT保护电路缓冲电路缓冲电路又称吸收电路。其作用是抑制电力电子器件的内因过电压、du/dt 或者过电流和di/dt,减小器件的开关损耗。缓冲电路可分为关断缓冲电路和开通 缓冲电路。关断缓冲电路又称为du/dt抑制电路，用于吸收器件的关断过电压和 换相过电压，抑制du/dt，减小关断损耗。开通缓冲电路又称为di/

31、dt抑制电路，用于抑制器件开通时的电路过冲和di/dt,减小器件的开通损耗。可将关断缓冲电 路和开通缓冲电路结合在一起，称其为复合缓冲电路。还可以用另外的分类方法： 缓冲电路中储能元件的能量如果消耗在其吸收电阻上，则称其为损耗能式缓冲电 路；如果缓冲电路能将其储能元件的能量回馈给负载或电源，则称其为馈能式缓 冲电路，或称为无损吸收电路。图5-6 di/dt抑制电路和充放电型RCD缓冲电路及波形20206 MATLAB 仿真Matlab被誉为三大数学软件之一，它在数学类科技应用软件中在数值方面首 屈一指。Matlab可以进行矩阵、绘制函数和数据、实现算法、创建用户界面、连 接其他编程语言的程序等

32、，主要应用于工程计算、控制设计、信号处理与通讯、 图像处理、信号检测、金融建模设计与分析等领域，受到各个研究领域的推崇和 关注。本文也采用MATLAB软件对研究结果经行仿真，以验证结果是否正确。建立仿真模型建立仿真模型的步骤： 建立主电路的仿真模型 构造控制部分 完成波形观测及分析部分最终完成仿真模型如图5-1所示：图6-1单相桥式无源逆变电路仿真模型仿真结果分析将仿真时间设为，选择ode113的仿真算法，将绝对误差设为1e-5，运 行后可得仿真结果。2121如图6-2所示自上而下分别为逆变器输出的交流电压、电流和直流侧电流波 形。交流电压为100V的方波电压，周期与驱动信号同为1kHz。由于

33、负载为纯 电阻负载，则直流电流无波动。5C-I 2 - |,:I:II:I :E 1 I i i i I I i i i I0 Q0D1 QOIE Q0D3 QOM Q0D5 QODE QDO7 Q0D8 QD09 QD1Timeoffsel: 0图6-2单相桥式无源逆变电路仿真波形根据傅里叶模块，逆变器输出的交流基波电压幅值为，与式（2-2）中理论 值相符。交流电压的THD为。可见，单相桥式无源逆变器输出电压 的基波幅值大于直流电压，其电压利用率较高，但同时谐波含量较大，难以满足 多负载的要求。22227元器件清单元器件选择的正确与否直接影响整个电路的好坏，所以必须严格根据对主电路、触发电路

34、以及保护电路有关参数的计算，可得到电力电子器件清单如表表 所示：表7-1序号元器件型号备注1IGBT2MB150N-60功耗为250W的绝缘栅型双极性晶体管2电容器CJ48容量取用300V高压纸介电容器3二极管31DF2额定电流为3A的电力二极管4熔断器RLS-10额定电流为3A的快速熔断器2323小结这次电力电子技术设计，让我们有机会将课堂上所学的理论知识 运用到实际中。并通过对知识的综合运用，进行必要的分析、比较。从而进一步验证了所学的理论知识。同时，这次课程设计，还让我知道了最重要的是心 态，在刚开始会觉得困难，但是只要充满信心，就肯定会完成的。通过电力电子技术课程设计，我加深了对课本专

35、业知识的理解，平常都是理 论知识的学习，在此次课程设计过程中，我更进一步地熟悉了单相交流调压电路 的原理和触发电路的设计。当然，在这个过程中我也遇到了困难，查阅资料，相互通过讨论。我准确地找出了我们的错误 并纠正了错误，这更是我们的收获，不但使我们进一步提高了我们的实践能力， 也让我们在以后的工作学习有了更大的信心。通过这次课程设计使我懂得了只有 理论知识是远远不够的，只有把所学的理论知识与实践相结合，从实践中得出结 论，从而提高了自己的实际动手能力和独立思考的能力。在设计中遇到了不少困 难，但也让我学到了一些课本上没有的知识，进一步的提高了我的能力。让我收获最大的是我发现了自己对以前的知识理

36、解的不够深刻，掌握得不够 牢固，通过这次，我把以前所学的知识重新温故，巩固了所学知识，让我受益菲 浅。最后在这里感谢南老师、黄老师和以下同学：乐文兵、陈保、商毅、张骞、 杨石波。谢谢你们的指导和帮助。参考文献1王兆安，黄俊.电力电子技术（第四版）.北京：机械工业出版社，2001王文郁.电力电子技术应用电路.北京：机械工业出版社，20013 李宏.电力电子设备用器件与集成电路应用指南.北京：机械工业出版社，20014 石玉、栗书贤、王文郁.电力电子技术题例与电路设计指导.北京：机械工业 出版社，19995 赵同贺等.新型开关电源典型电路设计与应用.北京：机械工业出版社，20106 林飞，杜欣.电力电子应用技术的MATLAB仿真.北京：中国电力出版社，20092525