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1、1.2半导体二极管的特性及主要参数,一、二极管的结构与符号,二、二极管的伏安特性,三、二极管的主要参数,四、二极管电路的分析方法,第一章半导体二极管,一、半导体二极管的结构,构成：,PN 结+引线+管壳=二极管,符号：,VD,分类：,按材料分,硅二极管,锗二极管,按结构分,点接触型,面接触型,平面型,第一章半导体二极管,二、二极管的伏安特性,正向特性,Uth,死区电压,iV=0,Uth=0.5 V,0.1 V,(硅管),(锗管),U Uth,iV 急剧上升,0 U Uth,Uth=(0.6 0.8)V,硅管 0.7 V,(0.1 0.3)V,锗管 0.2 V,反向特性,IR,U BR,反向击穿
2、,UBR U 0,iV=IR,0.1 A(硅),几十 A(锗),U UBR,反向电流急剧增大,(反向击穿),第一章半导体二极管,反向击穿类型：,电击穿,热击穿,特别注意：,温度对二极管的特性有显著影响。当温度升高时，正向特性曲线向左移，反向特性曲线向下移。,变化规律是：在室温附近，温度每升高1，正向压降约减小22.5mV，温度每升高10，反向电流约增大一倍。,PN 结未损坏，断电即恢复。,PN 结烧毁。,第一章半导体二极管,温度对二极管特性的影响,T 升高时，,UV(th)以(2 2.5)mV/C 下降,第一章半导体二极管,硅管的伏安特性,锗管的伏安特性,第一章半导体二极管,三、二极管的主要参
3、数,1.IF 最大整流电流(最大正向平均电流),2.URM 最高反向工作电压，为 UBR/2,3.IR 反向饱和电流(越小单向导电性越好),4.fM 最高工作频率(超过时单向导电性变差),第一章半导体二极管,影响工作频率的原因,PN 结的电容效应,结论：1.低频时，因结电容很小，对 PN 结影响很小。高频时，因容抗减小，使结电容分流，导致单向 导电性变差。2.结面积小时结电容小，工作频率高。,第一章半导体二极管,四、二极管电路的分析方法,1、理想模型,特性,符号及等效模型,2、恒压降模型,Uth,uv=Uth,0.7 V(Si),0.2 V(Ge),3、二极管的折线近似模型,Uth,斜率1/rD,rv,Uth,第一章半导体二极管,4、小信号模型,如果二极管在它的伏安特性的某一小范围内工作，例如静态工作点Q（此时有,。,如果二极管在它的伏安特性的某一小范围内工作，例如静态工作点Q 附近工作，则可把伏安特性看成一条直线，其斜率的倒数就是所求的小信号模型的微变电阻。,等效电路模型,伏安特性,第一章半导体二极管,
