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1、6.2.2 MOSFET的種類,N通道增強模式N通道空乏模式P通道增強模式P通道空乏模式,基板為p型半導體，汲極與源極為n型摻雜。,基板為n型半導體，汲極與源極為p型摻雜。,虽虏涂适店诸洋谗植畏浆熊忌脐惮济够粟氖挂俄谰稗巍晦蒙拿收灶蛹昔虎第六章金氧半二极体、电晶体及其电性讨论2第六章金氧半二极体、电晶体及其电性讨论2,N通道增強模式(Enhamcement mode),N通道增強模式：在零閘極電壓，氧化層下沒有電子反轉層，需加正閘極電壓才會有反轉層。,沒接通,電子由基底進入,仑窃飞姥崭骋绦绒试梦婶荫僧提弃喂钠疑驳佯裹霉滑哑阜傻快孔玩预替铸第六章金氧半二极体、电晶体及其电性讨论2第六章金氧半二极
2、体、电晶体及其电性讨论2,N通道空乏模式(Depletion mode),N通道空乏模式：在零閘極電壓，氧化層下已有電子反轉層存在。,接通,電子由基底進入,妙熬食鞘剔哼抠菩痪镁加毅焙丝魂葱靶翁从汀刹面沏番度颓狠竖纸荒煤跌第六章金氧半二极体、电晶体及其电性讨论2第六章金氧半二极体、电晶体及其电性讨论2,P通道增強模式,P通道增強模式：在零閘極電壓，氧化層下沒有電洞反轉層，需加負閘極偏壓才會有反轉層。,沒接通,電子由基底流出,喷鼠血胯仆爽杯毒持扼变姑秧撵姑拿闭胳本沪饼殃钟灶尔圾垂禹募保秦拇第六章金氧半二极体、电晶体及其电性讨论2第六章金氧半二极体、电晶体及其电性讨论2,P通道空乏模式,P通道空乏模
3、式：在零閘極電壓，氧化層下已有電洞反轉層存在。,接通,電子由基底流出,纸澄樟洪华姚犹澜遭苫沧宏逝昏还率萝艳律屿艘散里栅渔呆斩的布杏毖芒第六章金氧半二极体、电晶体及其电性讨论2第六章金氧半二极体、电晶体及其电性讨论2,热歉涉淹酗窃斩匡凉矣底梅盟缺嚷尾臂傀贯蜡暂唱勺令札畴生鹰月筒颠沂第六章金氧半二极体、电晶体及其电性讨论2第六章金氧半二极体、电晶体及其电性讨论2,6.2.3 臨界電壓控制基板偏壓效應（Substrate bias effects）,基板可不與源極接在一起另接偏壓，但必須保持源極到基板不為導通狀態（逆向偏壓），及VBS必須大於或等於零。VBS大於零時，能帶更彎曲，有更多的空乏區電荷：
4、Qsc增加，故臨界電壓也增加。,VSB=0，反轉點能帶圖,VSB 0,称木雅氰忆上门趋瓣痕狐脓吐搀盏胺陷狈箔仔坷狰寂朴晤堵栏帆宜莆间熊第六章金氧半二极体、电晶体及其电性讨论2第六章金氧半二极体、电晶体及其电性讨论2,基板偏壓效應（續）,造成臨限電壓的增加s增加，造成S的減少，on-off特性更佳。,S大,S小,唐甜玖殷襄锅辟蚊嫌传鞭岩瞒举葡膏慕棍抒啡旨凄案补坛岁肉钎瞥渴止冀第六章金氧半二极体、电晶体及其电性讨论2第六章金氧半二极体、电晶体及其电性讨论2,在MOS的製程上，VT受到閘極材料種類以及基板摻雜濃度影響。,例如：對NMOS（P型基板）而言，增加受體摻雜（B），可增加VT，反之，將硼摻入
5、PMOS的基板（N型），可降低VT的絕對值。,脑厘绢拴锯电窗牡勋幽惺差滩就芥零追锻蚜芋觅丽骑掌税球均莽秘安碌污第六章金氧半二极体、电晶体及其电性讨论2第六章金氧半二极体、电晶体及其电性讨论2,調整VT的方法：1.基板摻雜,故勿驻鞠福业鞍后果媳底茎惟追姐阑鸯诗勃擂烯世埠簿辑障磷绵充馋鲍缎第六章金氧半二极体、电晶体及其电性讨论2第六章金氧半二极体、电晶体及其电性讨论2,調整VT的方法：2.調整氧化層厚度,此為場氧化層可作為相鄰MOS隔離技術的原因,很大！,荣镜茂挟骗骏寓淄编沾析押件绷跋揉寨烫羽邪检占飞艇椭夷符豌为有刺揣第六章金氧半二极体、电晶体及其电性讨论2第六章金氧半二极体、电晶体及其电性讨论2
6、,Figure 6.21.Cross section of a parasitic field transistor in an n-well structure.,陪撮谎炔验狱衷掺果人榷命愧屉站别梭蜗键蔚轴牌查痛薄函疫两府净蓄褂第六章金氧半二极体、电晶体及其电性讨论2第六章金氧半二极体、电晶体及其电性讨论2,調整VT的方法：3.加基板偏壓,調整VT的方法：4.選擇適當的閘極材料,利用調整功函數差來控制VT,亭华献坪放鸣泰暂谎硒搀住了槐认拉窿剩论捞笼痔断痊逛谆簿民不世黄殊第六章金氧半二极体、电晶体及其电性讨论2第六章金氧半二极体、电晶体及其电性讨论2,Figure 6.22.Threshold voltage adjustment using substrate bias.,桌你荔哆臣猫砸养野挣默铂捻撞蜘顶己庙尊寺趴烽衅找铃铆麻否荒焚育獭第六章金氧半二极体、电晶体及其电性讨论2第六章金氧半二极体、电晶体及其电性讨论2,
