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1、实验：利用原子力显微镜测量半导体薄膜表 面的粗糙度实验目的1、学习和了解原子力显微镜的原理和结构；2、学习掌握原子力显微镜的操作和调试过程，并以之来观察半导体样品的表面形貌；3、学习用计算机软件处理原始数据图象。实验仪器本原CSCM4000型扫描探针显微镜，原子力探针等实验原理一、原子力显微镜原子力显微镜(Atomic Force Microscopy, AFM)是由IBM公司的Binnig与 史丹佛大学的Quate于一九八五年所发明的，其目的是为了使非导体也可以采用 扫描探针显微镜(SPM)进行观测。原子原子囹1，原子与原子之司的交互作用力因为像此之间的距离 的不同而有所不同，其之间的能里表
2、示也会不同。吸引力原子力显微镜(AFM)与扫描隧道显微镜(STM)最大的差别在于并非利用电 子隧道效应，而是利用原子之间的范德华力(Van Der Waals Force)作用来呈 现样品的表面特性。假设两个原子中，一个是在悬臂(cantilever)的探针尖端， 另一个是在样本的表面，它们之间的作用力会随距离的改变而变化，其作用力与 距离的关系如“图1”所示，当原子与原子很接近时，彼此电子云斥力的作用大于原子核与电子云之间的吸引力作用，所以整个合力表现为斥力的作用，反之若 两原子分开有一定距离时，其电子云斥力的作用小于彼此原子核与电子云之间的 吸引力作用，故整个合力表现为引力的作用。若以能量
3、的角度来看，这种原子与 原子之间的距离与彼此之间能量的大小也可从Lennard - Jones的公式中到另一 种印证。b为原子的直径为原子之间的距离从公式中知道，当r降低到某一程度时其能量为+E，也代表了在空间中两个原子 是相当接近且能量为正值，若假设r增加到某一程度时，其能量就会为-E同时 也说明了空间中两个原子之间距离相当远的且能量为负值。不管从空间上去看两 个原子之间的距离与其所导致的吸引力和斥力或是从当中能量的关系来看，原子 力显微镜就是利用原子之间那奇妙的关系来把原子样子给呈现出来，让微观的世 界不再神秘。在原子力显微镜的系统中，是利用微小探针与待测物之间交互作用力，来呈 现待测物的
4、表面之物理特性。所以在原子力显微镜中也利用斥力与吸引力的方式 发展出两种操作模式：(1) 利用原子斥力的变化而产生表面轮廓为接触式原子力显微镜 (contact AFM)，探针与试片的距离约数个A。(2) 利用原子吸引力的变化而产生表面轮廓为非接触式原子力显微镜 (non-contact AFM)，探针与试片的距离约数十到数百A。二、原子力显微镜的硬件架构：在原子力显微镜(Atomic Force Microscopy， AFM)的系统中，可分成三个 部分：力检测部分、位置检测部分、反馈系统。激光监测激光器探针悬岩样品逼近螺杆压电陶瓷管探针悬臂SLM控制嚣步进电机囹2、原子为显微镜(AFM)系
5、统结构2.1力检测部分：在原子力显微镜（AFM）的系统中，所要检测的力是原子与原子之间的范德 华力。所以在本系统中是使用微小悬臂（cantilever）来检测原子之间力的变化 量。这微小悬臂有一定的规格，例如：长度、宽度、弹性系数以及针尖的形状， 而这些规格的选择是依照样品的特性，以及操作模式的不同，而选择不同类型的 探针。以下是一种典型的AFM悬臂和针尖：A SEM images of the silicon cantilever.2.2位置检测部分：在原子力显微镜（AFM）的系统中，当针尖与样品之间有了交互作用之后， 会使得悬臂cantilever摆动，所以当激光照射在cantilever
6、的末端时，其反射 光的位置也会因为cantilever摆动而有所改变，这就造成偏移量的产生。在整 个系统中是依靠激光光斑位置检测器将偏移量记录下并转换成电的信号，以供 SPM控制器作信号处理。B ,Ah.2.3反馈系统：在原子力显微镜（AFM）的系统中，将信号经由激光检测器取入之后，在反 馈系统中会将此信号当作反馈信号，作为内部的调整信号，并驱使通常由压电陶 瓷管制作的扫描器做适当的移动，以保持样品与针尖保持合适的作用力。原子力显微镜（AFM）便是结合以上三个部分来将样品的表面特性呈现出来 的：在原子力显微镜(AFM)的系统中，使用微小悬臂(cantilever)来感测针 尖与样品之间的交互作
7、用，这作用力会使cantilever摆动，再利用激光将光照 射在cantilever的末端，当摆动形成时，会使反射光的位置改变而造成偏移量， 此时激光检测器会记录此偏移量，也会把此时的信号给反馈系统，以利于系统做 适当的调整，最后再将样品的表面特性以影像的方式给呈现出来。激光检测原子力显微镜原子力显微镜的基本原理是：将一个对微弱力极敏感的微悬臂一端固定，另 一端有一微小的针尖，针尖与样品表面轻轻接触，由于针尖尖端原子与样品表面 原子间存在极微弱的排斥力，通过在扫描时控制这种力的恒定，带有针尖的微悬 臂将对应于针尖与样品表面原子间作用力的等位面而在垂直于样品的表面方向 起伏运动。利用光学检测法或
8、隧道电流检测法，可测得微悬臂对应于扫描各点的 位置变化，从而可以获得样品表面形貌的信息。下面，我们以激光检测原子力显 微镜(Atomic Force Microscope Employing Laser Beam Deflection for Force Detection, Laser-AFM)扫描探针显微镜家族中最常用的一种为例，来详细 说明其工作原理。如图3所示，二极管激光器(Laser Diode)发出的激光束经过光学系统聚焦 在微悬臂(Cantilever)背面，并从微悬臂背面反射到由光电二极管构成的光斑 位置检测器(Detector)。在样品扫描时，由于样品表面的原子与微悬臂探针尖
9、 端的原子间的相互作用力，微悬臂将随样品表面形貌而弯曲起伏，反射光束也将 随之偏移，因而，通过光电二极管检测光斑位置的变化，就能获得被测样品表面 形貌的信息。在系统检测成像全过程中，探针和被测样品间的距离始终保持在纳 米(10-米)量级，距离太大不能获得样品表面的信息，距离太小会损伤探针和 被测样品，反馈回路(Feedback)的作用就是在工作过程中，由探针得到探针-样 品相互作用的强度，来改变加在样品扫描器垂直方向的电压，从而使样品伸缩， 调节探针和被测样品间的距离，反过来控制探针-样品相互作用的强度，实现反 馈控制。因此，反馈控制是本系统的核心工作机制。本系统采用数字反馈控制回 路，用户在
10、控制软件的参数工具栏通过以参考电流、积分增益和比例增益几个参 数的设置来对该反馈回路的特性进行控制。3.原子力显微镜/AFM的工作模式原子力显微镜/AFM的工作模式是以针尖与样品之间的作用力的形式来分类 的。主要有以下几种：3.1接触模式将一个对微弱力极敏感的微悬臂的一端固定，另一端有一微小的针尖，针 尖与样品表面轻轻接触。由于针尖尖端原子与样品表面原子间存在极微弱的排斥 力(10e-810e-6N),由于样品表面起伏不平而使探针带动微悬臂弯曲变化，而微 悬臂的弯曲又使得光路发生变化，使得反射到激光位置检测器上的激光光点上下 移动，检测器将光点位移信号转换成电信号并经过放大处理，由表面形貌引起
11、的 微悬臂形变量大小是通过计算激光束在检测器四个象限中的强度差值(A+B)- (C+D)得到的。将这个代表微悬臂弯曲的形变信号反馈全电子控制器驱动的压 电扫描器，调节垂直方向的电压，使扫描器在垂直方向上伸长或缩短，从而调整 针尖与样品之间的距离，使微悬臂弯曲的形变量在水平方向扫描过程中维持一 定，也就是使探针一样品间的作用力保持一定。在此反馈机制下，记录在垂直方 向上扫描器的位移，探针在样品的表面扫描得到完整图像之形貌变化，这就是接 触模式。扫描嫁钟显微镜（SPM）与其他显微道技术的各项性能指标比辕分辩率工作坏境样品坏境扫描探针显微镜（SFM）原子级li）实环境、大气、溶菠、 真空点分常(0.
12、 3勺.5iun)裱射电情（TEM）晶格分锵(0. rO.Eiun)高壹空扫描电镜（SEM）610iun高真空场离子显微镜（FIM）原子级超高真空温度时样品检刻深度破坏程度室温或低温无lOOumg接近sem,但实际上为样室温小品厚度所限，一船小于lOOniTi.室温小10mm （11。倍时）1pm (10000倍时;13080E有原子厚度三、半导体薄膜1、ZnO的晶格结构氧化锌（ZnO）是11-丑族化合物，属于六角晶系6mm点群，空间群为C 4 =P63mc，具有纤锌矿结构（即Zn六角柱与O六角柱沿c-轴方向平移；xC的 长度套构起来的），这种结构适合于高质量的定向外延薄膜的生长，因此是一种
13、兼有半导性、压电性、热电性、光导电性和荧光性等多功能的薄膜材料。它在常 温下的禁带宽度是3.37eV，是典型的直接带隙宽禁带n型半导体，熔点为1975C， 密度为5.67g/cm3，品格常数为a=0.32498nm，c=0.52066nm，Z=2。在其晶体结 构中，Zn原子按六方紧密堆积排列，每个Zn原子周围有四个O原子，构成Zn-o 6-4 负离子配位四面体，在c轴方向Zn-O四面体之间是以顶角相连接，四面体的三 次对称轴（匚3）与晶体中的（L6）平行，四面体的一个面与c轴垂直，与之相对 应的一个顶角，指向负极面方向，构成极性晶体的特征。2、ZnO薄膜的制备一般薄膜的生长分为两个阶段：初始生
14、长（成核和结合）以及有效生长阶段。 在初始生长过程中，基片的化学和物理性能以及基片与到达粒子之间的相互作用 起着重要作用。在覆盖于基片的初始层形成之后，膜就开始有效生长，此过程中 只出现薄膜材料粒子之间的相互作用，而到达基片/薄膜表面的粒子的能量、在 碰撞时间内能量的吸收、被吸附原子与基片/薄膜表面之间的化学和物理相互作 用以及温度这些重要的参数在很大程度上决定了薄膜的表面形态（薄膜的整个形 状以及晶粒的几何形状或薄膜内部的非晶态结构）和结品结构（品粒取向）。ZnO薄膜的不同用途对薄膜的结品取向、表面平整度、导电性、压电性、光 学性能以及气敏性能等有不同的要求，而薄膜的这些特性是由制备过程的工
15、艺参 数（如衬底的材料种类与表面特性、加热温度、反应压力和不同的掺杂等）决定 的。目前，已开发了多种ZnO薄膜的制备技术，来控制和改善材料的性能。这 些技术各有特点，有关研究体现了完善薄膜性能、降低反应温度、提高控制精度、 缩小制备成本和适应集成化趋势。目前，纳米ZnO薄膜的制备可以采用多种方法：溅射法、分子束外延（MBE） 法、原子层外延（ALE ）法、喷射热分解（spray pyrolysis ）法、金属有机物气相 外延（MOCVD）法、反应RF磁控溅射法、溶胶-凝胶（sol-gel）法、脉冲激光 沉积（PLD）法、电化学与化学互补法、单源化学气相沉积法、直流气体放电活 化反应蒸发沉积法等。而对纳米ZnO薄膜的性能研究一般集中在结构、电学、 光学、气敏特性以及发光、传感器方面的应用。实验内容1、准备和安装样品、针尖2、半导体表面的原子力图像扫描3、图像处理思考题举例简述半导体薄膜的性质和用途
