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1、内存供电,主板中常见的内存插槽有DDR1，DDR2和DDR3.不同的内存所需要的工作电压也不同，一般DDR1内存需要2.5V，DDR2需要1.8V，DDR3需要1.5V。一般在内存槽旁边设计了专门的供电电路为内存供电。主供电 VTT电压 DDR：2.5V 1.25V DDR2：1.8V 0.9V DDR3:1.5V 0.75V,负载供电,内存负载供电：即内存总线终结电压VTT-DDR，采用的一般为独立芯片，如RT9202，RT9199，W83310.内存在读写高速信号的过程中，由于总线阻抗匹配，布线等因素，会影响高频信号的完整性，从而在读，写数据时出现错误，为了防止出现这种错误，需要能够吸收或
2、者提供很大的电流，精确的跟随主供电的一半（VCC-DDR/2)稳压精度高，响应快的终端电源VTT，以降低总线上负载变化所引起的瞬态波形失真。,内存供电电路的组成,内存供电电路主要有三端稳压管，场效应管（上下管），电感，电容，电源管理芯片，上拉排阻或电阻，上拉芯片等。,DDR2内存供电,引脚定义,1.BOOT：启动脚，UGATE的动力来源，自举升压端。2.UGATE：上管驱动。3.GND：地脚。4.LGATE：下管驱动。5.VCC：供电端，LGATE的动力来源。6.FB：电压反馈端，与内部0.8V基准电压比较。7.OCSET：过流设定，高电平开启。一般OCSET会连接到一个开关作用的三极管的C极
3、或场管的D极。如果7脚被三极管拉低了，芯片将会停止工作。8.PHASE：相位脚，上管导通的回路。检测上管的导通压降，防止过流。,采用12V和5V供电的RT9202的工作原理,1：5V给5脚供电，5V给上管供电，12V经过R4给1脚供电，5V经过R1给7脚供电。2：2脚UGATE驱动上管导通。3：上管给电感L2和电容C3充电。4：当L2和C3成的储能电路电压经过R2和R3分压反馈给FB电压超过0.8V时，RT9202关闭上管打开下管。5：下管导通构成储能电路的放电回路，当电路经过分压后反馈给FB的电压低于0.8V时，RT9202控制关闭下管打开上管，继续供电。6：2-5循环。注1：当Q1的G极得
4、到高电平SHND信号后，7脚被拉低，整个芯片停止工作。注2：PHASE的作用防止上下管同时打开引起短路。注3：R2，R3阻值变化会导致输出电压变高或变低，但PWM波形正常。,仅使用5V供电的RT9202的工作原理,1：5V给5脚供电，5V给上管供电，5V经过D1给1脚供电，5V经过R1给7脚供电。2：2脚UGATE驱动上管导通。3：上管给电感L2和电容C3充电，并返回给C2右端。4：C2右端的电压增加，因其特性，左端电压（BOOT）脚也会跟随增加，直到完全导通。5：当L2和电容C3组成的储能电路电压经过R2和R3分压反馈给FB脚电压超过0.8V时，RT9202控制关闭上管，打开下管。6：下管导
5、通构成储能电路的放电回路，当电路经过分压后反馈给FB的电压低于0.8V时，RT9202关闭下管打开上管，继续充电。7:2-6循环注1：当Q1的G极得到高电平SHND信号后，7脚被拉低，整个芯片停止工作。注2：PHASE的作用防止上下管同时打开引起短路。注3：R2，R3阻值变化会导致输出电压变高或变低，但PWM波形正常。,内存电路维修流程,8脚PWM芯片工作条件,1：1脚和5脚5V以上电压。2：7脚电压：RT9202是3V以上，RT9214是0.4V以上。3.上下管G极都有控制电压，输出电压还是不正常或无电压输出，一般是反馈FB连接的电阻损坏导致。4.芯片可以控制输出的电压不低于0.8V。5：PWM电路中的元件任何一个有故障以及过压，过流，欠压都会导致整个电路停止工作，所以不需要测上下管的控制电压。输出电压=0.8/Rgnd（Rgnd+Rout)RT9218是RT9214+一个运算放大器捆绑在一起的。有任意一个过流过压，欠压都会引起保护，两个电压都没了。,区分上下管：1.下管S极接地。2.上管S极和下管D极相连。3.上管D极和电源相通。4.上下管G极都连接到芯片。,
