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1、习题5.1，两种BJT晶体管的名字是什么？描述各自的基本结构图，标示出多数载流子和少数载流子，并画出其电路符号。,解：两种晶体管分别为NPN型和PNP型。,N区的多子为自由电子P区的多子为空穴,习题5.2在NPN型晶体三极管中，发射结加正偏，集电结加反偏。已知IS 4.51015A，=0.98，ICBO忽略不计。试求当VBE=0.65V、0.7V、0.75V时，IE、IC和IB的值，并分析比较。,以（1）为基准，（2）中VBE增加7.69%，IC增加了638.71%,以（1）为基准，（3）中VBE增加15.38%，IC增加了5358.46%,习题5.3 电路如图题5.1所示，设三极管=100，
2、求电路中IE、IB、IC和VE、VB、VC。,习题5.4对于图题5.2所示的电路，求标注的电压和电流值,习题5.5设计图题5.3所示放大器的偏置电路，使得电流IE=2mA，电源VCC=+15V。晶体管的额定值为100。VCEQ=5V,习题5.6 在图题5.4所示电路中，已知室温下硅管的=100，VBE(on)=0.7V，ICBO=1015A，试问：室温下的ICQ、VCEQ值，并分析其工作模式。,习题5.7对于图题5.5所示的电路，当VCC=10V，VEE=10V，I=1mA，=100，RB=100k，RC=7.5k时，求基极、集电极和发射极的直流电压。,习题5.8 分析图题5.6所示的电路并确
3、定电压增益，=100。,习题5.9 图题5.7所示的晶体管放大器由电流源I偏置，并有非常高的值。求集电极的直流电压VC。画出用简化混合模型来替代晶体管的交流等效电路，求电压增益vC/vi的值。,习题5.10在图题5.8所示电路中，已知晶体三极管的=200，VBE(on)=0.7V，ICBO 0。（1）试求IB、IC、VCE。（2）若电路中元件分别做如下变化，试指出晶体三极管的工作模式：RB2=2k；RB1=15k；RE=100。,(1)采用戴维南等效,（2）考虑到第二问只需要判断工作模式，不需要精确计算，且,则,因此产生的电流很小，VCE间压差很大，故应该在放大区的边缘,5.11,(1)将VD
4、Z反接后，VDZ处于正向导通状态，则,根据戴维南定理，可将偏置电路部分改为如下图所示，假设VT工作在放大区，其中,故假设成立，VT依然工作在放大区，ICQ变大,5.11,VDZ不管正向导通还是反向击穿，等效电阻Rd都比较小（欧姆级），,直流通路是分压式偏置,习题5.12 在图题5.10所示的共基放大电路中，三极管=100，求：（1）电压放大倍数Av；（2）输入电阻Ri、输出电阻Ro。,习题5.13 射极跟随器如图题5.11所示，已知三极管=1.5k，=49。（1）画出小信号等效电路；（2）计算Av、Ri、Ro。,解：交流小信号电路如图所示,习题5.14 考虑图题5.12所示的CB放大器，RL=
5、10k，RC=10k，VCC=10V，Rsig=100。为了使E极的输入电阻等于源电阻（即100），则I必须为多少？从源到负载的电压增益为多少？已知=100。,习题5.15 对于图题5.13所示电路，求输入电阻Rin和电压增益vo/vsig。假设信号源提供小信号vsig且=100。,解：直流通路,习题5.16考虑图题5.14所示的射极跟随器，I=1mA，=100，VA=100V，RB=100k，Rsig=20k，RL=1k。（1）求IE、VE和VB；（2）求Ri；（3）求电压增益vo/vsig和输出电阻Ro。,习题5.17 对于图题5.15所示的晶体管级联放大器，计算每一级的直流偏置电压VB及每一级的集电极电流IC。=100。,解：图中两级电路偏置一致，且为电容耦合，因此两级电路的静态工作点一样，求解一级即可。,习题5.18 共射-共集组合电路如图题5.16所示，设1=2=100。（1）确定两管的静态工作点；（2）求Av、Ri和Ro。,（2）,
