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1、2023/7/2,模拟电子技术基础课程教学辅助系统是助教型多媒体课件，供教师上课使用。,本课件2000年由高等教育出版社出版，2001年获国家教学成果二等奖。考虑版权问题，在尚未征得出版社同意之前，目前在网上只给出了封面、编辑界面示意图，以及一小部分课程内容。供评审专家和教师审阅。用鼠标点击左下方或右下方的播放按键，即可播放。按盘上的“”键，前进；按“”键后退；按“Esc”键，再用鼠标点击屏幕右上角的“”，可退出。在播动画时，如提示有病毒，可按“确定”键播放。,2023/7/2,半导体三极管有两大类型，一是双极型半导体三极管 二是场效应半导体三极管,2.1 双极型半导体三极管,2.2 场效应半
2、导体三极管,02 半导体三极管,双极型半导体三极管是由两种载流子参与导电的半导体器件，它由两个 PN 结组合而成，是一种CCCS器件。,场效应型半导体三极管仅由一种载流子参与导电，是一种VCCS器件。,2023/7/2,2.1.1 双极型半导体三极管的结构2.1.2 双极型半导体三极管电流的分配 与控制2.1.3 双极型半导体三极管的电流关系2.1.4 双极型半导体三极管的特性曲线2.1.5 半导体三极管的参数2.1.6 半导体三极管的型号,2.1 双极型半导体三极管,2.1 双极型半导体三极管的工作原理,半导体三极管在英文中称为晶体管(Transister)，半导体三极管有两大类型，一是双极
3、型半导体三极管(BJT)，二是场效应半导体三极管(FET)。,双极型半导体三极管是由两种载流子参与导电的半导体器件，它由两个 PN 结组合而成，是一种电流控制电流源器件（CCCS）。,场效应型半导体三极管仅由一种载流子参与导电，是一种电压控制电流源器件（VCCS）。,2.1.1 双极型半导体三极管的结构,NPN型,PNP型,这是基极b,这是发射极e,这是集电极c,这是发射结Je,这是集电结Jc,三极管的符号短粗线代表基极,发射极的箭头方向,代表发射极电流的实际方向。,双极型三极管的符号在图的下方给出，发射极的箭头代表发射极电流的实际方向。从外表上看两个N区,(或两个P区)是对称的，实际上发射区
4、的掺杂浓度大，集电区掺杂浓度低，且集电结面积大。基区要制造得很薄，其厚度一般在几个微米至几十个微米。,2.1.2 双极型半导体三极管的电流分配关系,双极型三极管在制造时，要求发射区的掺杂浓度大，基区掺杂浓度低并要制造得很薄，集电区掺杂浓度低，且集电结面积较大。从结构上看双极型三极管是对称的，但发射极和集电极不能互换。,双极型半导体三极管在工作时一定要加上适当的直流偏置电压。若在放大工作状态：发射结加正向电压，集电结加反向电压。现以 NPN型三极管的放大状态为例，来说明三极管内部载流子的运动关系，见下图。,IEN,ICN,IEP,ICEO,IE,IC,IB,IBN,注意图中画的是载流子的运动方向
5、，空穴流与电流方向相同；电子流与电流方向相反。为此可确定三个电极的电流,IE=IEN+IEP且IEN IEP,IC=ICN+ICBO ICN=IEN-IBN,IB=IEP+IBN-ICBO,由此可写出三极管三个电极的电流,发射极电流：IE=IEN IEP 且有IENIEP 集电极电流：IC=ICN+ICBO ICN=IEN-IBN 且有IEN IBN，ICNIBN 基极电流：IB=IEP+IBNICBO 所以，发射极电流又可以写成 IE=IEP+IEN=IEP+ICN+IBN=(ICN+ICBO)+(IBN+IEPICBO)=IC+IB,从以上分析可知，对于NPN型三极管，集电极电流和基极电流
6、是流入三极管，发射极电流是流出三极管，流进的电流等于流出的电流。由以上分析可知，发射区掺杂浓度高，基区掺杂浓度低且很薄，是保证三极管能够实现电流放大的关键。,若两个PN结对接，相当基区很厚，所以没有电流放大作用，基区从厚变薄，两个PN结演变为三极管，这是量变引起质变的又一个实例。,动画2-1,问题1：除了从三极管的电流分配关系可以 证明 IE=IC+IB。还可以通过什么方 法加以说明？,问题2：为什么当温度升高时，三极管将失 去放大作用？从物理概念上加以说 明。,2.1.3 双极型半导体三极管的电流关系,2.1.3.1 三种组态,双极型三极管有三个电极，其中两个可以作为输入,两个可以作为输出，
7、这样必然有一个电极是公共电极。三种接法也称三种组态，如共发射极接法，也称共发射极组态，简称共射组态，见下图。,共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示；共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示；共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示。,2.1.3.2 三极管的电流放大系数,1.共基极直流电流放大系数,电流放大系数，一般来说是指输出电流与输入电流的比。由于组态不同，三极管的输入电极和输出电极不同，所以对共基组态，输出电流是集电极电流IC，输入电流是发射极电流IE，二电流之比的关系可定义为：,称为共基极直流电流放大系数。它表示最后达到集电极的电子电流ICN与总发射极电流IE的比值。ICN
8、与IE相比，因ICN中没有IEP和IBN，所以 的值小于1，但接近1。由此可得：,IC=ICN+ICBO=IE+ICBO=(IC+IB)+ICBO,2.共发射极直流电流放大系数,对共射组态的电流放大系数，输出电流是集电极电流IC，输入电流是基极电流IB，二电流之比可定义：,称为共发射极接法直流电流放大系数。于是,因 1,所以 1。,2023/7/2,2.1.3双极型半导体三极管的电流关系,(1)三种组态 双极型三极管有三个电极，其中两个可以作为输入,两个可以作为输出，这样必然有一个电极是公共电极。三种接法也称三种组态，见图02.03。,共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示;,共基极接法
9、，基极作为公共电极，用CB表示。,共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示；,图 02.03 三极管的三种组态,(2)三极管的电流放大系数,对于集电极电流IC和发射极电流IE之间的关系可以用系数来说明，定义:,称为共基极直流电流放大系数。它表示最后达到集电极的电子电流ICN与总发射极电流IE的比值。ICN与IE相比，因ICN中没有IEP和IBN，所以 的值小于1,但接近1。由此可得:,IC=ICN+ICBO=IE+ICBO=(IC+IB)+ICBO,因 1,所以 1,定义:=IC/IB=(ICN+ICBO)/IB称为共发射极接法直流电流放大系数。于是,2023/7/2,2.1.4 双极型半
10、导体三极管的特性曲线,这里，B表示输入电极，C表示输出电极，E表示公共电极。所以这两条曲线是共发射极接法的特性曲线。iB是输入电流，vBE是输入电压，加在B、E两电极之间。iC是输出电流，vCE是输出电压，从C、E 两电极取出。,输入特性曲线 iB=f(vBE)vCE=const 输出特性曲线 iC=f(vCE)iB=const,本节介绍共发射极接法三极管的特性曲线，即,共发射极接法的供电电路和电压-电流关系如图02.04所示。,图02.04 共发射极接法的电压-电流关系,简单地看，输入特性曲线类似于发射结的伏安特性曲线，现讨论iB和vBE之间的函数关系。因为有集电结电压的影响，它与一个单独的
11、PN结的伏安特性曲线不同。为了排除vCE的影响，在讨论输入特性曲线时，应使vCE=const(常数)。,(1)输入特性曲线,vCE的影响，可以用三极管的内部反馈作用解释，即vCE对iB的影响。,共发射极接法的输入特性曲线见图02.05。其中vCE=0V的那一条相当于发射结的正向特性曲线。当vCE1V时，vCB=vCE-vBE0，集电结已进入反偏状态，开始收集电子，且基区复合减少，IC/IB 增大，特性曲线将向右稍微移动一些。但vCE再增加时，曲线右移很不明显。曲线的右移是三极管内部反馈所致，右移不明显说明内部反馈很小。输入特性曲线的分区：死区 非线性区 线性区 图02.05 共射接法输入特性曲
12、线,(2)输出特性曲线,共发射极接法的输出特性曲线如图02.06所示，它是以iB为参变量的一族特性曲线。现以其中任何一条加以说明，当vCE=0 V时，因集电极无收集作用，iC=0。当vCE稍增大时，发射结虽处于正向电压之下，但集电结反偏电压很小，如 vCE 1 V vBE=0.7 V vCB=vCE-vBE=0.7 V集电区收集电子的能力很弱，iC主要由vCE决定。图02.06 共发射极接法输出特性曲线,当vCE增加到使集电结反偏电压较大时，如 vCE 1 V vBE 0.7 V运动到集电结的电子基本上都可以被集电区收集，此后vCE再增加，电流也没有明显的增加，特性曲线进入与vCE轴基本平行的
13、区域(这与输入特性曲线随vCE增大而右移的原因是一致的)。图02.06 共发射极接法输出特性曲线,动画2-2,输出特性曲线可以分为三个区域:,饱和区iC受vCE显著控制的区域，该区域内vCE的 数值较小，一般vCE0.7 V(硅管)。此时 发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。,截止区iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。此时，发射结反偏，集电结反偏。,放大区iC平行于vCE轴的区域，曲线基本平行等距。此时，发射结正偏，集电结反偏，电压大于0.7 V左右(硅管)。,2.1.5 半导体三极管的参数,半导体三极管的参数分为三大类:直流参数 交流参数 极限参数,(1)直流参数 直流电流放大系数
14、 1.共发射极直流电流放大系数=（ICICEO）/IBIC/IB vCE=const,在放大区基本不变。在共发射极输出特性曲线上，通过垂直于X轴的直线(vCE=const)来求取IC/IB，如图02.07所示。在IC较小时和IC较大时，会有所减小，这一关系见图02.08。,图02.08 值与IC的关系,图 02.07 在输出特性曲线上决定,2.共基极直流电流放大系数=（ICICBO）/IEIC/IE 显然 与 之间有如下关系:=IC/IE=IB/1+IB=/1+,极间反向电流 1.集电极基极间反向饱和电流ICBO ICBO的下标CB代表集电极和基极，O是Open的字头，代表第三个电极E开路。它
15、相当于集电结的反向饱和电流。,2.集电极发射极间的反向饱和电流ICEO ICEO和ICBO有如下关系 ICEO=（1+）ICBO 相当基极开路时，集电极和发射极间的反向饱和电流，即输出特性曲线IB=0那条曲线所对应的Y坐标的数值。如图02.09所示。,图02.09 ICEO在输出特性曲线上的位置,(2)交流参数交流电流放大系数 1.共发射极交流电流放大系数=IC/IBvCE=const,在放大区 值基本不变，可在共射接法输出特性曲线上，通过垂直于X 轴的直线求取IC/IB。或在图02.08上通过求某一点的斜率得到。具体方法如图02.10所示。,图02.10 在输出特性曲线上求,2.共基极交流电
16、流放大系数=IC/IE VCB=const当ICBO和ICEO很小时，、，可以不加区分。,特征频率fT 三极管的值不仅与工作电流有关，而且与工作频率有关。由于结电容的影响，当信号频率增加时，三极管的将会下降。当下降到1时所对应的频率称为特征频率，用fT表示。,(3)极限参数 集电极最大允许电流ICM,如图02.08所示，当集电极电流增加时，就要下降，当值下降到线性放大区值的7030时，所对应的集电极电流称为集电极最大允许电流ICM。至于值下降多少，不同型号的三极管，不同的厂家的规定有所差别。可见，当ICICM时，并不表示三极管会损坏。图02.08 值与IC的关系,集电极最大允许功率损耗PCM,
17、集电极电流通过集电结时所产生的功耗，PCM=ICVCBICVCE，因发射结正偏，呈低阻，所以功耗主要集中在集电结上。在计算时往往用VCE取代VCB。,反向击穿电压,反向击穿电压表示三极管电极间承受反向电压的能力，其测试时的原理电路如图02.11所示。图02.11 三极管击穿电压的测试电路,1.V(BR)CBO发射极开路时的集电结击穿电压。下标BR代表击穿之意，是Breakdown的字头，CB代表集电极和基极，O代表第三个电极E开路。,2.V(BR)EBO集电极开路时发射结的击穿电压。,3.V(BR)CEO基极开路时集电极和发射极间的 击穿电压。对于V(BR)CER表示BE间接有电阻，V(BR)
18、CES表示BE间是短路的。几个击穿电压在大小上有如下关系 V(BR)CBOV(BR)CESV(BR)CERV(BR)CEOV(BR)EBO,由PCM、ICM和V(BR)CEO在输出特性曲线上可以确定过损耗区、过电流区和击穿区，见图02.12。图02.12 输出特性曲线上的过损耗区和击穿区,2023/7/2,2.1.6 半导体三极管的型号,国家标准对半导体三极管的命名如下:3 D G 110 B,第二位：A锗PNP管、B锗NPN管、C硅PNP管、D硅NPN管,第三位：X低频小功率管、D低频大功率管、G高频小功率管、A高频大功率管、K开关管,用字母表示材料,用字母表示器件的种类,用数字表示同种器件型号的序号,用字母表示同一型号中的不同规格,三极管,2023/7/2,表02.01 双极型三极管的参数,注：*为 f,
