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1、基于0.35微米CMOS工艺的带隙基准源设计,Based on 0.35um BCD Process BandGap reference design,第一章 概述,1.BCD工艺简介BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）功率集成电路器件，通过MOS管的最高电压可达40V，最低为5V。,2.带隙基准源简介及其应用模拟集成电路广泛地包含带隙基准电压源，由于带隙基准电压源的输出电压与电源电压、工艺参数和温度的关系很小，所以带隙基准电压源一直是集成电路中的一个重要的基本模块，例如可应用于LDO或者电荷泵等。,图1.2 基本的带隙基准源,第二章 BandGap电路设计,1.核心电路（含启动电路）
2、,图2.1 核心电路（含启动电路）,1,2,3,启动电路,2.运放电路,图2.2 运放电路,三级运放通过运放，使整个核心电路的偏置电压独立于电源电压，从而提高电源抑制比。,3.启动电路,图2.3 启动电路,保证运放正常工作，并提供偏置,图2.4 整体电路,核心电路,启动电路,三级运放,此电路共计49个MOS管，5个三极管，8个电阻和1个电容,第三章 仿真结果,1.输出电压,图3.1 输出电压仿真图,2.电源抑制比（PSRR）,图3.2 电源抑制比仿真图,3.温度系数（TC）,图3.3 温度系数仿真图,4.功耗,图3.4 功耗仿真图,5.蒙特卡罗分析,温度系数,输出电压,电源抑制比,功耗,蒙特卡罗分析结果,参考文献：,1.高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源_吴志明2.模拟CMOS集成电路设计_毕查德拉扎维,
