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1、1,第一章 半导体器件基础,教学时数：8学时重点与难点：1、PN结的原理和二极管的等效电路。2、半导体内部载流子运动规律。3、晶体二极管、晶体三极管、结型场效应管、绝缘栅型场应管的工作原理和特性曲线。,2,1.1 半导体基础知识,1.1 半导体基础知识1.1.1 本征半导体根据物体导电能力(电阻率)的不同，来划分导体、绝缘体和半导体。导体：容易导电的物体。2.绝缘体：几乎不导电的物体。,3,3.半导体,半导体是导电性能介于导体和绝缘体之间的物体。在一定条件下可导电。半导体的电阻率为10-3109 cm。典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。,半导体特点：1)在外界能源的作用下，导电
2、性能显著变 化。光敏元件、热敏元件属于此类。2)在纯净半导体内掺入杂质，导电性能显 著增加。二极管、三极管属于此类。,4,本征半导体,1.本征半导体化学成分纯净的半导体。制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到99.9999999%，常称为“九个9”。它在物理结构上呈单晶体形态。电子技术中用的最多的是硅和锗。,硅和锗都是4价元素，它们的外层电子都是4个。其简化原子结构模型如下图：,外层电子受原子核的束缚力最小，成为价电子。物质的性质是由价电子决定的。,5,2.本征半导体的共价键结构,本征晶体中各原子之间靠得很近，使原分属于各原子的四个价电子同时受到相邻原子的吸引，分别与周围的四个原子的价电子形成
3、共价键。共价键中的价电子为这些原子所共有，并为它们所束缚，在空间形成排列有序的晶体。如下图所示：,6,共价键性质,共价键上的两个电子是由相邻原子各用一个电子组成的，这两个电子被成为束缚电子。束缚电子同时受两个原子的约束，如果没有足够的能量，不易脱离轨道。因此，在绝对温度T=0K（-273 C）时，由于共价键中的电子被束缚着，本征半导体中没有自由电子，不导电。只有在激发下，本征半导体才能导电。,7,3.电子与空穴,当导体处于热力学温度0K时，导体中没有自由电子。当温度升高或受到光的照射时，价电子能量增高，有的价电子可以挣脱原子核的束缚，而参与导电，成为自由电子。,这一现象称为本征激发，也称热激发
4、。,8,电子与空穴,自由电子产生的同时，在其原来的共价键中就出现了一个空位，原子的电中性被破坏，呈现出正电性，其正电量与电子的负电量相等，人们常称呈现正电性的这个空位为空穴。,9,电子与空穴的复合,可见因热激发而出现的自由电子和空穴是同时成对出现的，称为电子空穴对。游离的部分自由电子也可能回到空穴中去，称为复合，如图所示。本征激发和复合在一定温度下会达到动态平衡。,本征激发和复合的过程（动画）,10,空穴的移动,由于共价键中出现了空穴，在外加能源的激发下，邻近的价电子有可能挣脱束缚补到这个空位上，而这个电子原来的位置又出现了空穴，其它电子又有可能转移到该位置上。这样一来在共价键中就出现了电荷迁
5、移电流。,空穴在晶体中的移动（动画）,电流的方向与电子移动的方向相反，与空穴移动的方向相同。本征半导体中，产生电流的根本原因是由于共价键中出现了空穴。由于空穴数量有限，所以其电阻率很大。,11,1.1.3 杂质半导体,在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是三价或五价元素。掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。,(1)N型半导体(2)P型半导体,12,1.N型半导体,在本征半导体中掺入五价杂质元素，例如磷可形成 N型半导体,也称电子型半导体。因五价杂质原子中只有四个价电子能与周围四个半导体原子中的价电子形成共价键，而多余的一个价电子因无共价键束缚而
6、很容易形成自由电子。,在N型半导体中自由电子是多数载流子,它主要由杂质原子提供；另外，硅晶体由于热激发会产生少量的电子空穴对，所以空穴是少数载流子。,13,N型半导体结构,提供自由电子的五价杂质原子因失去一个电子而带单位正电荷而成为正离子，因此五价杂质原子也称为施主杂质。N型半导体的结构示意图如下图所示。,所以，N型半导体中的导电粒子有两种：自由电子多数载流子（由两部分组成）空穴少数载流子,14,2.P型半导体,在本征半导体中掺入三价杂质元素，如硼、镓、铟等形成了P型半导体，也称为空穴型半导体。因三价杂质原子在与硅原子形成共价键时，缺少一个价电子而在共价键中留下一个空穴。当相邻共价键上的电子因
7、受激发获得能量时，就可能填补这个空穴，而产生新的空穴。空穴是其主要载流子。,15,P型半导体结构,在P型半导体中，硼原子很容易由于俘获一个电子而成为一个带单位负电荷的负离子，三价杂质 因而也称为受主杂质。而硅原子的共价键由于失去一个电子而形成空穴。所以P型半导体的结构示意图如图所示。,P型半导体中：空穴是多数载流子，主要由掺杂形成；电子是少数载流子，由热激发形成。,16,本节中的有关概念,本征半导体、杂质半导体,自由电子、空穴,N型半导体、P型半导体,多数载流子、少数载流子,施主杂质、受主杂质,17,2.2 PN结及其特性,PN结的形成,PN结的单向导电性,PN结的电容效应,18,PN结的形成
8、,当扩散和漂移运动达到平衡后，空间电荷区的宽度和内电场电位就相对稳定下来。此时，有多少个多子扩散到对方，就有多少个少子从对方飘移过来，二者产生的电流大小相等，方向相反。因此，在相对平衡时，流过PN结的电流为0。,19,PN结的形成,对于P型半导体和N型半导体结合面，离子薄层形成的空间电荷区称为PN结。在空间电荷区，由于缺少多子，所以也称耗尽层。由于耗尽层的存在，PN结的电阻很大。,PN结的形成过程（动画）,PN结的形成过程中的两种运动：多数载流子扩散 少数载流子飘移,20,PN结的单向导电性,PN结具有单向导电性，若外加电压使电流从P区流到N区，PN结呈低阻性，所以电流大；反之是高阻性，电流小
9、。如果外加电压使PN结中：P区的电位高于N区的电位，称为加正向电压，简称正偏；P区的电位低于N区的电位，称为加反向电压，简称反偏。,21,(1)PN结加正向电压时的导电情况,外加的正向电压有一部分降落在PN结区，方向与PN结内电场方向相反，削弱了内电场。于是,内电场对多子扩散运动的阻碍减弱，扩散电流加大。扩散电流远大于漂移电流，可忽略漂移电流的影响，PN结呈现低阻性。,低电阻 大的正向扩散电流,22,(2)PN结加反向电压时的导电情况,外加的反向电压方向与PN结内电场方向相同，加强了内电场。内电场对多子扩散运动的阻碍增强，扩散电流大大减小。此时PN结区的少子在内电场的作用下形成的漂移电流大于扩
10、散电流，可忽略扩散电流，PN结呈现高阻性。,PN结的伏安特性,在一定的温度条件下，由本征激发决定的少子浓度是一定的，故少子形成的漂移电流是恒定的，基本上与所加反向电压的大小无关，这个电流也称为反向饱和电流。,高电阻 很小的反向漂移电流,23,（3）PN结的伏安特性,PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流；PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。,24,3.PN结方程,根据理论分析，PN结两端的电压V与流过PN结的电流I之间的关系为：,其中：IS为PN结的反向饱和电流；UT称为温度电压当量，在温度为300K(27C)时，UT
11、约为26mV；,所以上式常写为：,25,PN结方程,PN结正偏时，如果V VT 几倍以上，上式可改写为：即I随V按指数规律变化。,PN结反偏时，如果V VT几倍以上，上式可改写为：其中负号表示为反向。,26,4.PN结的击穿特性,如图所示，当加在PN结上的反向电压增加到一定数值时，反向电流突然急剧增大，PN结产生电击穿这就是PN结的击穿特性。发生击穿时的反偏电压称为PN结的反向击穿电压VBR。,PN结被击穿后，PN结上的压降高，电流大，功率大。当PN结上的功耗使PN结发热，并超过它的耗散功率时，PN结将发生热击穿。这时PN结的电流和温度之间出现恶性循环，最终将导致PN结烧毁。,27,5.PN结
12、的电容效应,PN结除了具有单向导电性外，还有一定的电容效应。按产生电容的原因可分为：势垒电容CB，扩散电容CD。,28,(1)势垒电容CB,势垒电容是由空间电荷区的离子薄层形成的。当外加电压使PN结上压降发生变化时，离子薄层的厚度也相应地随之改变，这相当PN结中存储的电荷量也随之变化，犹如电容的充放电。势垒电容的示意图如下图。,势垒电容示意图,29,(2)扩散电容CD,扩散电容是由多子扩散后，在PN结的另一侧面积累而形成的。因PN结正偏时，由N区扩散到P区的电子，与外电源提供的空穴相复合，形成正向电流。刚扩散过来的电子就堆积在 P 区内紧靠PN结的附近，形成一定的多子浓度梯度分布曲线。,扩散电
13、容示意图,反之，由P区扩散到N区的空穴，在N区内也形成类似的浓度梯度分布曲线。扩散电容的示意图如图所示。,30,扩散电容CD,当外加正向电压不同时，扩散电流即外电路电流的大小也就不同。所以PN结两侧堆积的多子的浓度梯度分布也不同，这就相当电容的充放电过程。势垒电容和扩散电容均是非线性电容。,扩散电容示意图,PN结在反偏时主要考虑势垒电容。,PN结在正偏时主要考虑扩散电容。,31,1.2.1 半导体二极管的结构类型,在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。二极管按结构分有点接触型、面接触型和平面型三大类。它们的结构示意图如下图所示。,(1)点接触型二极管,PN结面积小，结电容小，用于检波和变
14、频等高频电路。,点接触型二极管的结构示意图,32,二极管的结构,平面型,(3)平面型二极管,往往用于集成电路制造工艺中。PN 结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。,(2)面接触型二极管,PN结面积大，用于工频大电流整流电路。,面接触型,33,1.2.2 半导体二极管的伏安特性曲线,半导体二极管的伏安特性曲线如图所示。处于第一象限的是正向伏安特性曲线，处于第三象限的是反向伏安特性曲线。,34,二极管的伏安特性曲线,根据理论推导，二极管的伏安特性曲线可用下式表示,式中IS 为反向饱和电流，V 为二极管两端的电压降，VT=kT/q 称为温度的电压当量，k为玻耳兹曼常数，q 为电子电荷量，T 为
15、热力学温度。对于室温（相当T=300 K），则有VT=26 mV。,35,硅二极管的开启电压Von=0.5 V左右，锗二极管的开启电压Von=0.1 V左右。,当0VVon时，正向电流为零，Von称为死区电压或开启电压。,当V0即处于正向特性区域。正向区又分为两段：,当VVon时，开始出现正向电流，并按指数规律增长。,(1)正向特性,36,当V0时，即处于反向特性区域。反向区也分两个区域：,当VBRV0时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也称反向饱和电流IS。,当VVBR时，反向电流急剧增加，VBR称为反向击穿电压。,(2)反向特性,37,反向特性,在反向区，硅二极
16、管和锗二极管的特性有所不同。硅二极管的反向击穿特性比较硬、比较陡，反向饱和电流也很小；锗二极管的反向击穿特性比较软，过渡比较圆滑，反向饱和电流较大。,从击穿的机理上看，硅二极管若|VBR|7V时,主要是雪崩击穿；若|VBR|4V时,则主要是齐纳击穿。当在4V7V之间两种击穿都有，有可能获得零温度系数点。,38,2.3.4 半导体二极管的温度特性,温度对二极管的性能有较大的影响，温度升高时，反向电流将呈指数规律增加，如硅二极管温度每增加8，反向电流将约增加一倍；锗二极管温度每增加12，反向电流大约增加一倍。近似认为二极管管温度每增加10，反向电流大约增加一倍,另外，温度升高时，二极管的正向压降将
17、减小，每增加1，正向压降大约减小2mV，即具有负的温度系数。这些可以从所示二极管的伏安特性曲线上看出。,39,1.2.3 半导体二极管的参数,半导体二极管的参数包括最大整流电流IF、反向击穿电压UBR、最大反向工作电压UR、反向电流IR、最高工作频率fmax和结电容Cj等。几个主要的参数介绍如下：,(1)最大整流电流IF,二极管长期连续工作时，允许通过二极管的最大整流电流的平均值。,(2)反向击穿电压UBR和最大反向工作电压UR,40,半导体二极管的参数,(3)反向电流IR:在室温下，在规定的反向电压下，一般是最大反向工作电压下的反向电流值。硅二极管的反向电流一般在纳安(nA;10-9A)级；
18、锗二极管在微安(A)级。,(4)正向压降UF：在规定的正向电流下，二极管的正向电压降。小电流硅二极管的正向压降在中等电流水平下，约0.60.8V；锗二极管约0.20.3V。,(5)动态电阻rd：反映了二极管正向特性曲线斜率的倒数。显然，rd与工作电流的大小有关，即 rd=VF/IF,41,2.3.6 二极管电路及其分析方法,简单的二极管电路如图所示，由二极管、电阻和电压源组成，其分析方法一般有两种：图解法、模型法（等效电路法）。,42,1.图解法,图示电路可分为A、B两部分。,A部分的电压与电流关系：VD=V-IR,B部分的电压与电流关系就是二极管的伏安特性。,在二极管的伏安特性上画出VD=V
19、-IR，如图所示：,最后得出二极管两端的电压VD和流过二极管的电流I，如图所示。,43,2.模型分析法,(1)二极管的大信号模型：根据二极管伏安特性，可把它分成导通和截止两种状态。,44,大信号模型,所以二极管导通时，其上的电压和流过它的电流可表示为：,一般硅二极管正向导通压降为0.6V0.8V 锗二极管正向导通压降为0.1V0.3V以0.7或0.2计算将引入10%的误差。但如果V足够大，则VD实际引入的误差并不大。,如果V 0.7V(0.3V):,45,理想模型,46,1.2.4 二极管及二极管特性的折线近似,一、理想二极管,特性,符号及等效模型,正偏导通，uD=0；反偏截止，iD=0 U(
20、BR)=,二、二极管的恒压降模型,UD(on),uD=UD(on),0.7 V(Si),0.2 V(Ge),三、二极管的折线近似模型,UD(on),斜率1/rD,rD,UD(on),47,小信号模型,(2)二极管的小信号模型：从二极管伏安特性上看出，二极管导通后，其电压变化量与电流变化量之比近似于常数：此时的二极管相当于一个动态电阻，其阻值是正向特性曲线在工作点上的斜率的倒数，如图所示。,48,2.3.7 二极管基本应用,vo,vi,49,二极管基本应用,|vi|0.7V时，D1、D2截止，所以vo=vi,|vi|0.7V时，D1、D2中有一个导通，所以vo=0.7V,vo,vi,50,二极管
21、基本应用,2.利用单向导电性构成整流和开关电路,不管输入信号处于正或负半周，负载上得到的都是正向电压。,vi,vo,51,2.4 稳压二极管,稳压二极管是应用在反向击穿区的特殊硅二极管。稳压二极管的伏安特性曲线与硅二极管的伏安特性曲线完全一样，稳压二极管伏安特性曲线的反向区、符号和典型应用电路如图所示。,符号,应用电路,伏安特性,52,2.4.1 稳压二极管参数,从稳压二极管的伏安特性曲线上可以确定稳压二极管的参数。,(1)稳定电压VZ 在规定的稳压管反向工作电流IZ下，所 对应的反向工作电压。,(2)动态电阻rZ 其概念与一般二极管的动态电阻相同，只不过稳压二极管的动态电阻是从它的反向特性上
22、求取的。rZ愈小，反映稳压管的击穿特性愈陡。rZ=VZ/IZ,(3)稳定电压温度系数VZ。温度的变化将使VZ改变，在稳压管中当VZ 7 V时，VZ具有正温度系数，反向击穿是雪崩击穿。当VZ4 V时，VZ具有负温度系数，反向击穿是齐纳击穿。当4 VVZ 7 V时，稳压管可以获得接近零的温度系数。这样的稳压二极管可以作为标准稳压管使用。,53,稳压二极管参数,(4)最大耗散功率 PZM 稳压管的最大功率损耗取决于PN结的面积和散热等条件。反向工作时PN结的功率损耗为 PZ=VZ IZ，由 PZM和VZ可以决定IZmax。,(5)最大稳定工作电流 IZmax 和最小稳定工作电流IZmin 稳压管的最
23、大稳定工作电流取决于最大耗散功率，即PZmax=VZIZmax。而Izmin对应VZmin。若IZIZmin则不能稳压。,54,2.4.2 稳压管应用,稳压管正常工作的两个条件：a.必须工作在反向击穿状态（利用其正向特性除外）；b.流过管子的电流必须介于稳定电流和最大电流之间。,典型应用如图所示：当输入电压vi和负载电阻RL在一定范围内变化时，流过稳压管的电流发生变化，而稳压管两端的电压Vz变化很小，即输出电压vo基本稳定。,问题：不加R可以吗？稳压条件是什么？,电阻R的作用一是起限流作用，以保护稳压管；其次是当输入电压或负载电流变化时，通过该电阻上电压降的变化，以调节稳压管的工作电流，从而起
24、到稳压作用。,55,稳压管应用,如果输入电压Vi（Vi VZ）确定，稳压管处于稳压状态。,负载电阻RL太大，IL减小，IZ增大，只要IZ IZmin，稳压管仍能正常工作。,56,1.3双极型半导体三极管,1.3.1 晶体三极管,1.3.2 晶体三极管的特性曲线,1.3.3 晶体三极管的主要参数,57,(Semiconductor Transistor),1.3.1 晶体三极管,一、结构、符号和分类,发射极 E,基极 B,集电极 C,发射结,集电结,基区,发射区,集电区,emitter,base,collector,NPN 型,PNP 型,分类：按材料分：硅管、锗管按结构分：NPN、PNP按使用
25、频率分：低频管、高频管按功率分：小功率管 1 W,58,二、电流放大原理,1.三极管放大的条件,内部条件,发射区掺杂浓度高,基区薄且掺杂浓度低,集电结面积大,外部条件,发射结正偏集电结反偏,2.满足放大条件的三种电路,共发射极,共集电极,共基极,实现电路,59,3.三极管内部载流子的传输过程,1)发射区向基区注入多子电子，形成发射极电流 IE。,I CN,多数向 BC 结方向扩散形成 ICN。,IE,少数与空穴复合，形成 IBN。,I BN,基区空穴来源,基极电源提供(IB),集电区少子漂移(ICBO),I CBO,IB,IBN IB+ICBO,即：,IB=IBN ICBO,3)集电区收集扩散
26、过来的载流子形成集电极电流 IC,IC,I C=ICN+ICBO,2)电子到达基区后,三极管内载流子运动,60,4.三极管的电流分配关系,当管子制成后，发射区载流子浓度、基区宽度、集电结面积等确定，故电流的比例关系确定，即：,IB=I BN ICBO,IC=ICN+ICBO,IE=IC+IB,穿透电流,61,1.3.2 晶体三极管的特性曲线,一、输入特性,输入回路,输出回路,与二极管特性相似,特性基本重合(电流分配关系确定),特性右移(因集电结开始吸引电子),导通电压 UBE(on),硅管：(0.6 0.8)V,锗管：(0.2 0.3)V,取 0.7 V,取 0.2 V,62,二、输出特性,截
27、止区：IB 0 IC=ICEO 0条件：两个结反偏,2.放大区：,3.饱和区：,uCE u BE,uCB=uCE u BE 0,条件：两个结正偏,特点：IC IB,临界饱和时：uCE=uBE,深度饱和时：,0.3 V(硅管),UCE(SAT)=,0.1 V(锗管),放大区,截止区,饱和区,条件：发射结正偏 集电结反偏特点：水平、等间隔,ICEO,输 出 特 性,63,三、温度对特性曲线的影响,1.温度升高，输入特性曲线向左移。,温度每升高 1C，UBE(2 2.5)mV。,温度每升高 10C，ICBO 约增大 1 倍。,2.温度升高，输出特性曲线向上移。,T1,T2,温度每升高 1C，(0.5
28、 1)%。,输出特性曲线间距增大。,O,64,1.3.3 晶体三极管的主要参数,一、电流放大系数,1.共发射极电流放大系数,直流电流放大系数,交流电流放大系数,一般为几十 几百,2.共基极电流放大系数,1 一般在 0.98 以上。,Q,二、极间反向饱和电流,CB 极间反向饱和电流 ICBO，,CE 极间反向饱和电流 ICEO。,65,三、极限参数,1.ICM 集电极最大允许电流，超过时 值明显降低。,U(BR)CBO 发射极开路时 C、B 极间反向击穿电压。,2.PCM 集电极最大允许功率损耗,PC=iC uCE。,3.U(BR)CEO 基极开路时 C、E 极间反向击穿电压。,U(BR)EBO
29、 集电极极开路时 E、B 极间反向击穿电压。,U(BR)CBO,U(BR)CEO,U(BR)EBO,(P34)已知:ICM=20 mA,PCM=100 mW，U(BR)CEO=20 V，当 UCE=10 V 时，IC mA当 UCE=1 V，则 IC mA当 IC=2 mA，则 UCE V,10,20,20,66,1.4单极型半导体三极管,引言,1.4.1 结型场效应管,1.4.3 场效应管的主要参数,1.4.2 MOS 场效应管,67,引 言,场效应管 FET(Field Effect Transistor),类型：,结型 JFET(Junction Field Effect Transis
30、tor),绝缘栅型 IGFET(Insulated Gate FET),特点：,1.单极性器件(一种载流子导电),3.工艺简单、易集成、功耗小、体积小、成本低,2.输入电阻高(107 1015，IGFET 可高达 1015),68,1.4.1 结型场效应管,1.结构与符号,N 沟道 JFET,P 沟道 JFET,69,2.工作原理,uGS 0，uDS 0,此时 uGD=UGS(off)；,沟道楔型,耗尽层刚相碰时称预夹断。,预夹断,当 uDS，预夹断点下移。,3.转移特性和输出特性,UGS(off),当 UGS(off)uGS 0 时,O,O,70,一、增强型 N 沟道 MOSFET(Ment
31、al Oxide Semi FET),1.4.2 MOS 场效应管,1.结构与符号,P 型衬底,(掺杂浓度低),用扩散的方法制作两个 N 区,在硅片表面生一层薄 SiO2 绝缘层,用金属铝引出源极 S 和漏极 D,在绝缘层上喷金属铝引出栅极 G,S 源极 Source,G 栅极 Gate,D 漏极 Drain,71,2.工作原理,1)uGS 对导电沟道的影响(uDS=0),a.当 UGS=0，DS 间为两个背对背的 PN 结；,b.当 0 UGS UGS(th)(开启电压)时，GB 间的垂直电 场吸引 P 区中电子形成离子区(耗尽层)；,c.当 uGS UGS(th)时，衬底中电子被吸引到表面
32、，形 成导电沟道。uGS 越大沟道越厚。,反型层(沟道),72,2)uDS 对 iD的影响(uGS UGS(th),DS 间的电位差使沟道呈楔形，uDS，靠近漏极端的沟道厚度变薄。,预夹断(UGD=UGS(th)：漏极附近反型层消失。,预夹断发生之前：uDS iD。,预夹断发生之后：uDS iD 不变。,73,3.转移特性曲线,UDS=10 V,UGS(th),当 uGS UGS(th)时：,uGS=2UGS(th)时的 iD 值,4.输出特性曲线,可变电阻区,uDS uGS UGS(th),uDS iD，直到预夹断,饱和(放大区),uDS，iD 不变,uDS 加在耗尽层上，沟道电阻不变,截止
33、区,uGS UGS(th)全夹断 iD=0,开启电压,截止区,饱和区,可变电阻区,放大区,恒流区,O,O,74,二、耗尽型 N 沟道 MOSFET,Sio2 绝缘层中掺入正离子在 uGS=0 时已形成沟道；在 DS 间加正电压时形成 iD，,uGS UGS(off)时，全夹断。,输出特性,转移特性,IDSS,UGS(off),夹断电压,饱和漏极电流,当 uGS UGS(off)时，,O,75,三、P 沟道 MOSFET,增强型,耗尽型,76,N 沟道增强型,P 沟道增强型,N 沟道耗尽型,P 沟道耗尽型,IDSS,N 沟道结型,P 沟道结型,FET 符号、特性的比较,77,1.6.3 场效应管的主要参数,开启电压 UGS(th)(增强型)夹断电压 UGS(off)(耗尽型),指 uDS=某值，使漏极电流 iD 为某一小电流时的 uGS 值。,UGS(th),2.饱和漏极电流 IDSS,耗尽型场效应管，当 uGS=0 时所对应的漏极电流。,3.直流输入电阻 RGS,指漏源间短路时，栅、源间加反向电压呈现的直流电阻。,JFET：RGS 107,MOSFET：RGS=109 1015,78,4.低频跨导 gm,反映了uGS 对 iD 的控制能力，单位 S(西门子)。一般为几毫西(mS),PDM=uDS iD，受温度限制。,5.漏源动态电阻 rds,6.最大漏极功耗 PDM,O,
