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1、第五章 放大电路的频率响应,5.1频率响应概述,5.2晶体管的高频等效模型,5.4单管放大电路的频率响应,5.5多级放大电路的频率响应,5.3场效应管的高频等效模型,5.6集成运放的频率响应和频率补偿,本章重点和考点：,2、单管共射放大电路混合模型等效电路图、频率响应的表达式及波特图绘制。,1、晶体管、场效应管的混合模型。,本章讨论的问题：,1.为什么要讨论频率响应？如何制定一个RC网络的频率响应？如何画出频率响应曲线？,2.晶体管与场效应管的h参数等效模型在高频下还适应吗？为什么？,3.什么是放大电路的通频带？哪些因素影响通频带？如何确定放大电路的通频带？,4.如果放大电路的频率响应，应该怎
2、么办？,5.对于放大电路，通频带愈宽愈好吗？,6.为什么集成运放的通频带很窄？有办法展宽吗？,5.1频率响应概述,5.1.1研究放大电路频率响应的必要性,由于放大电路中存在电抗性元件及晶体管极间电容，所以电路的放大倍数为频率的函数，这种关系称为频率响应或频率特性。,小信号等效模型只适用于低频信号的分析。本章将引入高频等效模型，并阐明放大电路的上限频率、下限频率和通频带的求解方法，以及频率响应的描述方法。,第五章,一、高通电路,令：,5.1.2频率响应的基本概念,fL称为下限截止频率,第五章,则有：,放大电路的对数频率特性称为波特图。,第五章,对数幅频特性：,实际幅频特性曲线：,(a)幅频特性,
3、当 f fL(高频)，当 f fL(低频)，,高通特性：,且频率愈低，的值愈小，低频信号不能通过。,最大误差为 3 dB，发生在 f=fL处,第五章,对数相频特性,(a)相频特性,误差,在低频段，高通电路产生 0 90 的超前相移。,第五章,二、RC 低通电路的波特图,图 5.1.2RC 低通电路图,令：,则：,fH称为上限截止频率,第五章,图 5.1.3(b)低通电路的波特图,对数幅频特性：,对数相频特性：,在高频段，低通电路产生0 90的滞后相移。,第五章,小结,（1）电路的截止频率决定于电容所在回路的时间常数，即决定了fL和fH。,（2）当信号频率等于fL或fH放大电路的增益下降3dB，
4、且产生+450或-450相移。,（3）近似分析中，可以用折线化的近似波特图表示放大电路的频率特性。,第五章,5.2.1晶体管的混合 模 型,一、完整的混合 模型,图 5.2.1晶体管结构示意图及混合 模型,5.2晶体管的高频等效模型,(a)晶体管的结构示意图,第五章,二、简化的混合 模型,通常情况下，rce远大于c-e间所接的负载电阻，而rb/c也远大于C的容抗，因而可认为rce和rb/c开路。,图5.2.2 混合 模型的简化(a)简化的混合 模型,第五章,C跨接在输入与输出回路之间，电路分析变得相当复杂。常将C等效在输入回路和输出回路，称为单向化。单向化靠等效变换实现。,图5.2.2简化混合
5、 模型的简化(b)单向化后的混合 模型,图5.2.2简化混合 模型的简化(C)忽略C的混合 模型,因为C，且一般情况下。的容抗远大于集电极总负载电阻R，中的电流可忽略不计，得简化模型图（C）。,第五章,密勒定理：,用两个电容来等效 C。分别接在 b、e 和 c、e 两端。,其中：,电容值分别为：,等效电容的求法,图5.2.2简化混合 模型的简化(b)单向化后的混合 模型,图5.2.2简化混合 模型的简化(C)忽略C的混合 模型,第五章,三、混合 模型的主要参数,将混合 模型和简化的h参数等效模型相比较，它们的电阻参数完全相同。,C可从手册中查得Cob，Cob与C近似相等。,C数据可从手册中给定
6、的特征频率fT和放大电路 的Q点求解。,第五章,电流放大系数的定义：,第五章,第五章,对数幅频特性,fT,20lg 0,对数相频特性,0.1f,第五章,1.共射截止频率 f,值下降到 0.707 0(即)时的频率。,当 f=f 时，,值下降到中频时的 70%左右。或对数幅频特性下降了 3 dB。,几个频率的分析,第五章,2.特征频率 f T,值降为 1 时的频率。,f fT 时，三极管失去放大作用；,f=fT 时，由式,得：,第五章,3.共基截止频率 f,值下降为低频 0 时 的 0.707 时的频率。,第五章,f 与 f、fT 之间关系：,因为,可得,第五章,说明：,所以：,1.f 比 f
7、高很多，等于 f 的(1+0)倍；,2.f fT f,3.低频小功率管 f 值约为几十至几百千赫，高频小功率管的 fT 约为几十至几百兆赫。,第五章,5.3场效应管的高频等效模型,场效应管各极之间存在极间电容，其高频等效模型如下,一般情况下 rgs和 rds比外接电阻大得多，可认为是开路,Cgd可进行等效变化，使电路单向化,第五章,Cgd等效变化,g-s之间的等效电容为,d-s之间的等效电容为,由于输出回路的时间常数比输入回路的小得多，故分析频率特性时可忽略的影响。,图5.3.1场效应管的高频等效模型(b)简化模型,第五章,5.4单管放大电路的频率响应,5.4.1单管共射放大电路的频率响应,中
8、频段：各种电抗影响忽略，Au 与 f 无关；,低频段：隔直电容压降增大，Au 降低。与电路中电阻构成 RC 高通电路；,高频段：三极管极间电容并联在电路中，Au 降低。而且，构成 RC 低通电路。,第五章,一、中频电压放大倍数,耦合电容 可认为交流短路；极间电容可视为交流断路。,1.中频段等效电路,图 5.4.2中频段等效电路,由图可得,第五章,2.中频电压放大倍数,已知，则,结论：中频电压放大倍数的表达式，与利用简化 h 参数等效电路的分析结果一致。,第五章,二、低频电压放大倍数,考虑隔直电容的作用，其等效电路：,图 5.4.3低频等效电路,C1 与输入电阻构成一个 RC 高通电路,式中 R
9、i=Rb/rbe,(动画avi5-2.avi),第五章,输出电压,低频电压放大倍数,第五章,低频时间常数为：,下限(-3 dB)频率为：,则,对数幅频特性,对数相频特性,因电抗元件引起的相移为附加相移。低频段最大附加相移为+90度,第五章,三、高频电压放大倍数,考虑并联在极间电容的影响，其等效电路：,图 5.4.4高频等效电路,(动画avi5-3.avi),第五章,图 5.4.4高频等效电路的简化(a),由于输出回路时间常数远小于输入回路时间常数，故可忽略输出回路的结电容。,用戴维南定理简化图 5.4.4(b),第五章,C 与 R 构成 RC 低通电路。,第五章,高频时间常数：,上限(-3 d
10、B)频率为：,的对数幅频特性和相频特性,高频段最大附加相移为-90度,第五章,四、波特图,绘制波特图步骤：,1.根据电路参数计算、fL 和 fH；,2.由三段直线构成幅频特性。,中频段：对数幅值=20lg,低频段：f=fL开始减小，作斜率为 20 dB/十倍频直线；,高频段：f=fH 开始增加，作斜率为 20 dB/十倍频直线。,3.由五段直线构成相频特性。,第五章,幅频特性,相频特性,第五章,5.4.2单管共源放大电路的频率响应,图5.4.7单管共源放大电路及其等效电路,在中频段开路，C短路，中频电压放大倍数为,第五章,在高频段，C短路，考虑的影响，上限频率为：,在低频段，开路，考虑C的影响
11、，下限频率为：,电压放大倍数,第五章,5.4.3放大电路频率响应的改善和增益带宽积,1.为了改善放大电路频率响应，应降低下限频率，放大电路可采用直接耦合方式，使得fL 0,2.为了改善单管放大电路的高频特性，应增大上限频率fH。,问题：fH的提高与Ausm的增大 是相互矛盾。,第五章,3.增益带宽积,中频电压放大倍数与通频带的乘积。,Ri=Rb/rbe,假设 Rb Rs，Rb rbe；(1+gmRc)Cbc Cbe,第五章,说明：,式不很严格，但从中可以看出一个大概的趋势，即选定放大三极管后，rbb 和 Cbc 的值即被确定，增益带宽积就基本上确定，此时，若将放大倍数提高若干倍，则通频带也将几
12、乎变窄同样的倍数。,如愈得到一个通频带既宽，电压放大倍数又高的放大电路，首要的问题是选用 rbb 和 Cbc 均小的高频三极管。,*场效应管共源放大电路的增益带宽积（自阅）,第五章,复习：,1.晶体管、场效应管的混合 模型,2.单管共射放大电路的频率响应,表达式：,波特图的绘制：三段直线构成幅频特性五段直线构成相频特性,第五章,5.5多级放大电路的频率响应,5.5.1多级放大电路频率特性的定性分析,多级放大电路的电压放大倍数：,对数幅频特性为：,在多级放大电路中含有多个放大管，因而在高频等效电路中有多个低通电路。在阻容耦合放大电路中，如有多个耦合电容或旁路电容，则在低频等效电路中就含有多个高通
13、电路。,第五章,多级放大电路的总相位移为：,两级放大电路的波特图,幅频特性,一 级,二 级,第五章,相频特性,一 级,二 级,多级放大电路的通频带，总是比组成它的每一级的通频带为窄。,第五章,5.5.2多级放大电路的上限频率和下限频率的估算,在实际的多级放大电路中，当各放大级的时间常数相差悬殊时，可取其主要作用的那一级作为估算的依据即：若某级的下限频率远高于其它各级的下限频率，则可认为整个电路的下限频率就是该级的下限频率。同理若某级的上限频率远低于其它各级的上限频率，则可认为整个电路的上限频率就是该级的上限频率。,第五章,例5.5.1已知某电路的各级均为共射放大电路，其对数幅频特性如图所示。求下限频率、上限频率和电压放大倍数。,（2）高频段只有一个拐点，斜率为-60dB/十倍频程，电路中应有三个电容，为三级放大电路。,解：（1）低频段只有一个拐点，说明影响低频特性的只有一个电容，故电路的下限频率为10Hz。,fH0.52fH1=(0.522105)Hz=106KHz,（3）电压放大倍数,第五章,
