电工技术电子技术-清华-20场效应管共源极放大电路.ppt

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1、2023/9/18,电工技术,海南风光,第20讲,第11章 基本放大电路,11.6 场效应管共源极放大电路,2023/9/18,电工技术,答疑,1.线形电阻的伏安特性曲线,U/I=RU/I=R,2.晶体管BE结微变等效电路,UBEQ/IBQ=R非线性,UBE/IB=rbe在Q点处近似线性,2023/9/18,电工技术,答疑,3.电流源及其特性曲线,I1=IS+Ir1=IS+U1/r,I2=IS+Ir2=IS+U2/r,I=I2-I1=(U2-U1)/r=U/r,r=U/I,如何求r?,2023/9/18,电工技术,答疑,4.晶体管CE间的微变等效电路,流控电流源,在线性放大区,rce很大,可忽

2、略,2023/9/18,电工技术,10.4 场效应晶体管,场效应管与晶体管不同,它是多子导电,输入阻抗高,温度稳定性好。,结型场效应管JFET,绝缘栅型场效应管MOS,场效应管有两种:,2023/9/18,电工技术,MOS绝缘栅场效应管(N沟道),(1)结构,P型基底,两个N区,SiO2绝缘层,金属铝,N导电沟道,2023/9/18,电工技术,N沟道增强型,(2)符号,N沟道耗尽型,栅极,漏极,源极,2023/9/18,电工技术,N沟道MOS管的特性曲线,2023/9/18,电工技术,NMOS场效应管转移特性,2023/9/18,电工技术,UGS=3V,UGS=4V,UGS=5V,开启电压UG

3、S(th)=1V,增强型NMOS场效应管输出特性曲线,2023/9/18,电工技术,增强型NMOS场效应管转移特性,2023/9/18,电工技术,耗尽型NMOS场效应管输出特性曲线,UGS=0V,UGS=+1V,UGS=+2V,夹断电压UP=-2V,2023/9/18,电工技术,耗尽型NMOS场效应管转移特性,2023/9/18,电工技术,跨导gm,=ID/UGS,=(3-2)/(1-0)=1/1=1mA/V,夹断区,可变电阻区,恒流区,2023/9/18,电工技术,场效应管的微变等效电路,输入回路:开路输出回路:交流压控恒流源,电流,2023/9/18,电工技术,11.6 场效应管放大电路,

4、11.6.1 电路的组成原则及分析方法,(1).静态:适当的静态工作点,使场效应管工作在恒流区,(2).动态:能为交流信号提供通路,组成原则,分析方法,2023/9/18,电工技术,11.6.2 场效应管共源极放大电路静态分析,无输入信号时(ui=0),估算:UDS和 ID。,R1=150kR2=50kRG=1MRD=10kRS=10kRL=10kgm=3mA/VUDD=20V,2023/9/18,电工技术,设:UGUGS,则:UGUS,而:IG=0,直流通道,2023/9/18,电工技术,11.6.3 动态分析,微变等效电路,2023/9/18,电工技术,动态分析:,电压放大倍数,负号表示输

5、出输入反相,2023/9/18,电工技术,电压放大倍数估算,R1=150kR2=50kRG=1MRS=10kRD=10kRL=10kgm=3mA/VUDD=20V,=-3(10/10)=-15,2023/9/18,电工技术,ro=RD=10K,输入电阻、输出电阻,=1+0.15/0.05=1.0375M,R1=150kR2=50kRG=1MRD=10kRS=10kRL=10kgm=3mA/VUDD=20V,ri=RG+R1/R2,2023/9/18,电工技术,11.6.4 源极输出器(共漏极放大电路),R1=150kR2=50kRG=1MRS=10kRL=10kgm=3mA/VUDD=20V,

6、2023/9/18,电工技术,静态工作点:,=,USUG,UDS=UDD-US=20-5=15V,2023/9/18,电工技术,微变等效电路:,2023/9/18,电工技术,微变等效电路:,2023/9/18,电工技术,求ri,ri=RG+R1/R2,2023/9/18,电工技术,求ro,加压求流法,2023/9/18,电工技术,ri=RG+R1/R2,R1=150kR2=50kRG=1MRS=10kRL=10kgm=3mA/VUDD=20V,=3(10/10)/1+3(10/10)=0.94,=10/(1+3 10)=0.323 k,代入数值计算,=1+0.15/0.05=1.0375 M,2023/9/18,电工技术,场效应管放大电路小结,(1)场效应管放大器输入电阻很大。(2)场效应管共源极放大器(漏极输出)输入输出反相,电压放大倍数大于1;输出电阻=RD。(3)场效应管源极跟随器输入输出同相,电压放大倍数小于1且约等于1;输出电阻小。,

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