传感器与信号检测技术课件共8章第2章光敏传感器.ppt

《传感器与信号检测技术课件共8章第2章光敏传感器.ppt》由会员分享，可在线阅读，更多相关《传感器与信号检测技术课件共8章第2章光敏传感器.ppt（181页珍藏版）》请在三一办公上搜索。

1、第2章 光敏传感器,2.0 基本概念 2.1 外光电效应及器件 2.2 内光电效应及器件 2.3 光生伏特效应及器件 2.4红外热释电传感器2.5固态图像传感器CCD 2.6光纤传感器 2.7光电耦合器件,2.0 基本概念,1.光谱可见光波长 0.38m0.78m 光速C=f.紫外线 0.01m0.38m 具有荧光作用（荧光灯），生理作用（医用紫光灯）光学玻璃 透射弱 石英玻璃 透射强红外线 0.78m1000m 具有热辐射作用（人体保健）近红外3m（人体辐射9.4m远红外内衣）2.色谱在可见光范围内，由于波长的不同。而对视觉产生的颜色差异。（人眼的光谱）0.380.4350.490.580.

2、600.650.78 紫 蓝 绿 黄 橙 红,电视、电子表、光纤、激光器等产品都有应用 军事上：夜视仪，热像仪，多光谱遥感等。,电磁波谱图,3.光的单位光强度：光源产生光的强弱。频率为5401012（0.555m）的单色光在给定方向上产生的辐射功率为1/680 W/Sr（球面度）定为光强度单位。称坎德拉cd光通量：具有1cd均匀光源在一个球面内产生的光的辐射量，定为光通量单位 称流明lm光照度：物体表面被光照亮的程度。1lm的光通量在1的平面上产生的照度，单位为勒克斯lx,4.光的特性几何光学 研 究 光路，透镜物理光学 研 究 光的本质，光的波动，粒子说把光看作具有一定质量、能量、动量的粒子

3、（又称光子）又可看作按光速运动的粒子流。C=f.光电效应：光照射到物体上后，光子轰击物体表面，物体吸收了光子能量，而产生电的效应。光电效应分类：外光电效应：在光的作用下，使电子溢出物体表面。如光电管、光电倍增管内光电效应：在光的作用下，使物体的电阻率发生变化。如光敏电阻光生伏特效应：在光的作用下，物体上产生具有一定方向的电动势。如人造卫星上光电池、光敏二极管、三极管。,5.发光器件1）、钨丝白炽灯光谱连续（可见光、大量红外线及少量紫外线）对光敏器件要求不高，都可使其收到光信号（某种）工作电压比额定电压低10%：光通量减少30%，寿命增3倍工作电压比额定电压高10%：光通量增大40%，寿命降1/

4、3倍光电实验6V12W（连续可调）DB双向触发二极管32V导通 可调光台灯电路 2）、气体放电灯依靠水银蒸汽的气体放电产生紫外线，再利用特殊荧光粉，把紫外线转换成可见光启辉电压500V工作电压100V,3）、发光二极管（LED）由半导体组成的，PN结构成，封装于透明外壳中，所用材料不同，颜色也不同（镓、砷等）红、绿、兰三基色，红绿较见，蓝色发明较晚，市面还有白色LED红色LED开启电压1.7V“刚刚亮，即为开启”绿色LED开启电压2.2V红外LED开启电压1.5V反向击穿电压5V 注：不能反接，会损坏件电阻30010K 工作电流IF=10mA（经典）最大电流 IFm=40 mA 25mA 4）

5、、激光器1960年激光问世，广泛用于工业、军事、医学、“非电量电测”等常用激光器有固体、液体、气体、半导体激光器,固体激光器：功率大，体积小（达几十兆瓦），常用的有经宝石激光器，掺钕的钇铝石榴石激光器（简写YAG）“钇铝石榴石”液体激光器：工作物质是液体，激光波长连续可调，分有机液体和无机液体激光器，重要的有有机染料激光器气体激光器：单色性好，光源稳定，结构复杂，体积大，须高压电源半导体激光器：用于VCD CDROM等视听产品，寿命长，电压低，工作须恒流源，欧美称为LD（Laser Diode）激光二极管，自80年代初首次用于激光音响后，迅速发展，目前全球LD厂商100家左右，规模大一些的有2

6、0家，产品300多种，1/3在近红外与红外光谱区域，分成短波长LD（635950nm）用于非电信系统，长波长LD（9501550nm）几乎都用于光通信。日本保持LD技术生产上的优势，其中低功率LD厂家几乎全在日本，用于视盘系统LD日本当主导。索尼、日本电气、东芝、松下，我国LD研制与国外同时起步，但目前差距很大，只能在部分产品自己生产，且仍处在国外第一代产品水平上，品种少，产量低，成本高，可靠性差，未形成规模生产。原因，生产和研究设备落后。应用：测距、测速、通信（光纤）瞳孔角膜识别、指纹锁（长春宏达）,2.1 外光电效应及器件,2.2.1 外光电效应 在光照射下,电子逸出物体表面向外发射的现象

7、称为外光电效应,亦称光电发射效应。它是在1887年由德国科学家赫兹发现的。基于这种效应的光电器件有光电管、光电倍培管等。2.2.2 光电管 光电管是一种具有悠久历史的光传感器。光电管是一个装有光电阴极和阳极的真空玻璃管,有很多种,如图2.2所示。图中左边的一种,光电阴极是在玻璃管内壁涂上阴极涂料构成的;右边的一种,光电阴极是在玻璃管内装入涂有阴极涂料的柱面形极板构成的。,图2.2 光电管示意图,原理:当入射光照在阴极上时，阴极发射出电子，阳极收集电子在整个电路中形成光电流I，RL两端就有输出电压。当光通量一定时,阳极电压与阳(阴)极电流的关系,叫光电管的伏安特性曲线,如图2.3所示。当入射光比

8、较弱时,由于光电子较少,只用较低的阳极电压就能收集到所有的光电子,而且输出电流很快就可以达到饱和;当入射光比较强时,使输出电流达到饱和,则需要较高的阳极电压。光电管的工作点应选在光电流与阳极电压无关的饱和区域内。由于这部分动态阻抗(dU/dI)非常大,以致可以看作恒定电流源,能通过大的负载阻抗取出输出电压。光电管的灵敏度较低,有一种充气光电管,在管内充以少量的惰性气体,如氩或氖(或充氦,也有充混合气体的)。,图2.3 光电管的伏安特性曲线,当光电阴极被光照射发射电子时,光电子在趋向阳极的途中撞击惰性气体的原子,使其电离(汤姆生放电),从而使阳极电流急速增加(电子倍增作用),提高了光电管的灵敏度

9、。充气光电管的电压-电流特性不具有真空光电管的那种饱和特性,而是达到充气离子化电压附近时,阳极电流急速上升,如图2.4所示。急速上升部分的特性就是气体放大特性,放大系数为510。充气光电管的优点是灵敏度高,但其灵敏度随电压显著变化的稳定性、频率特性等都比真空光电管差。所以在测试中一般选用真空光电管。,图2.4 充气光电管的电压-电流特性,真空光电管的时间响应特性很好,从光子变换为光电子只需10-12s的时间,因此可以忽略不计。占时间比较多的是光电子从阴极到阳极的时间t。在外加电压为U,平板电极间隔为d时,t值的粗略估算为,式中,e和m分别是电子的电荷与质量,E0是对应电子的初速度所携带的能量。

10、设U=100V,d=1cm,则t接近1ns。尽管一般的光电管有各种各样的结构,但响应时间可大致估算为该值的几倍。从上式中可以看出,t与d/U成正比,所以如果d是数毫米,U在1000V以上时,那么响应时间可以估算为0.20.3ns。,2.2.3 光电倍增管 用光电管对微弱光进行检测时,光电管产生的光电流很小,由于放大部分所产生的噪声比决定光电管本身检测能力的光电流散粒效应噪声大得多,检测极其困难。若要解决对微弱光的检测,就要用光电倍增管。光电倍增管是利用二次电子释放效应,将光电流在管内部进行放大。所谓二次电子释放效应是指高速电子撞击固体表面,再发射出二次电子的现象。图2.5为光电倍增管示意图。它

11、由光电阴极、若干倍增极和阳极三部分组成。,图2.5 光电倍增管示意图,倍增极的形状和位置设计得正好能使前一级倍增极发射的电子继续轰击后一级倍增极。从阴极开始及在每个倍增极间依次加上加速电压。设每级的倍增率为,经过N个倍增极后,光电倍增管的光电流倍增率将为N。称为二次电子发射比。不仅与物质的种类和表面状态有关,而且随着一次电子能量以及光的入射角的不同有很大的差异。表2.1列出了几种物质的max值。,管内电流放大增益为,其中,f是光电面与第一倍增极间的光电子收集效率,g是倍增极间的电子传递效率。一般认为,f为90%左右,g接近100%。倍增极间的外加电压Ud与总增益G的关系可近似用下式表示,k是常

12、数。图3.16表示倍增器电极间电压与总放大倍数的关系(931A型光电倍增管),这是有代表性的例子。N就是上面所说的倍增极数。因此可以得到,图2.6 倍增器电极间电压与总放大倍数的关系,图2.7给出几种常见的光电倍增管结构。(a)是很早就得到应用的侧窗聚焦型,光电面是不透明的,从光的入射侧取出电子。(b)是直接定向线性聚焦型,(c)是直接定向百叶窗型,(d)是直接定向栅格型。(b)(d)都是直接定向型,光电面是透明的。这几种类型的电极构造各有特点。在(a)、(b)中电极的配置起到光学透镜的作用,叫作聚焦型,由于电子飞行的时间短,时间滞后也小,所以响应速度快。(c)是百叶窗型,(d)是栅格型,电子

13、飞行时间都比较长,但不必要细致地调整倍增器电极间的电压分配就能获得较大的增益。图2.8为几种光电倍增管的外形。,图2.7 几种常见光电倍增管的结构,图2.8 几种光电倍增管的外形,倍增极的电压是由分压电阻链R1、R2、RN+1获得,如图2.9所示。由流经负载电阻RL的放大电流输出电压。总的外加电压通常在300700V范围内。如果光电倍增管用来连续监控很稳定的光源,电容C1、C2等可以省去。使用中往往将电源正极接地,使阳极可以直接接到放大器的输入端,而不使用隔离电容。这样系统将能响应变化很慢的光强。如果将稳定的光源加以调制,则可用电容器耦合。,图2.9 光电倍增管倍增极的分压电阻链,在脉冲应用时

14、,最好把电源负极接地,这样有利于降低噪声。这时输出可通过电容和下一级放大器耦合。电容器C1、C2等常用来稳定最后几个倍增极在脉冲期间的电压,这些电容器有助于稳定增益和防止饱和,它们通过电源去耦电容C对脉冲电压接地。,表2.2 一种光电倍增管的特性（25C时）,光电器件工作的物理基础是光电效应。在光线作用下,物体的电导性能改变的现象称为内光电效应（光电导效应）,如光敏电阻等就属于这类光电器件。2.3.1 光敏电阻 1.光敏电阻的结构原理 光敏电阻的工作原理是基于光电导效应:在无光照时,光敏电阻具有很高的阻值;在有光照时,当光子的能量大于材料禁带宽度,价带中的电子吸收光子能量后跃迁到导带,激发出可

15、以导电的电子-空穴对,使电阻降低;光线愈强,激发出的电子-空穴对越多,电阻值越低;光照停止后,自由电子与空穴复合,导电性能下降,电阻恢复原值。制作光敏电阻的材料常用硫化镉（CdS）、硒化镉（CdSe）、硫化铅（PbS）、硒化铅（PbSe）和锑化铟（InSb）等。,2.2 内光电效应及器件,光敏电阻的结构如图2.10所示。由于光电导效应只限于光照表面的薄层,一般都把半导体材料制成薄膜,并赋予适当的电阻值,电极构造通常做成梳形,如图2.11所示。这样,光敏电阻电极之间的距离短,载流子通过电极的时间Tc少,而材料的载流子寿命c又比较长,于是就有很高的内部增益G,从而可获得很高的灵敏度。为了避免外来干

16、扰,外壳的入射孔用能透过所需光谱光线的透明保护窗(如玻璃),有时用专门的滤光片作保护窗。光敏电阻管芯怕潮湿,为了避免受潮,光电半导体严密封装在壳体中或在其表面涂防潮树脂涂料。,光敏电阻具有灵敏度高,光谱响应范围宽,体积小,重量轻,机械强度高,耐冲击,抗过载能力强,耗散功率大,以及寿命长等特点。,图2.10 光敏电阻结构图,图2.11 光敏电阻的电极构造,2.光敏电阻的基本特性和主要参数 1)暗电阻和暗电流 室温条件下,光敏电阻在全暗后经过一定时间测得的电阻值,称为暗电阻。此时在给定工作电压下流过光敏电阻的电流称为暗电流。光敏电阻在某一光照下的阻值,称为该光照下的亮电阻,此时流过的电流称为亮电流

17、。亮电流与暗电流之差称为光电流。,2)光照特性 光敏电阻的光电流与光强之间的关系,称为光敏电阻的光照特性。不同类型的光敏电阻,光照特性不同。但多数光敏电阻的光照特性类似于图2.12中的曲线形状。,图2.12 光敏电阻的光照特性,3)光谱特性 光敏电阻对不同波长的光,光谱灵敏度不同,而且不同种类光敏电阻峰值波长也不同。光敏电阻的光谱灵敏度和峰值波长与所采用材料、掺杂浓度有关。图2.13为硫化镉、硫化铅、硫化铊光敏电阻的光谱特性曲线。由图可见,硫化镉光敏电阻的光谱响应峰值在可见光区域,接近人的视觉特性;而硫化铅在红外区域。在选用光敏电阻时,应和光源的光谱特性相匹配,以取得好的效果。,图2.13 光

18、敏电阻的光谱灵敏度,4)伏安特性 在一定照度下,光敏电阻两端所加的电压与光电流之间的关系,称为伏安特性。硫化镉光敏电阻的伏安特性曲线如图2.14所示。由曲线可知,在给定的偏压下,光照度越大,光电流也越大;在一定的光照度下,电压越大,光电流越大,且没有饱和现象。但是不能无限制地提高电压,任何光敏电阻都有最大额定功率,最高工作电压和最大额定电流。超过最大工作电压和最大额定电流,都可能导致光敏电阻永久性损坏。光敏电阻的最高工作电压是由耗散功率决定的,而光敏电阻的耗散功率又与面积大小以及散热条件等因素有关。,图2.14 光敏电阻的伏安特性,5)稳定性 初制成的光敏电阻,光电性能不稳定,需进行人工老化处

19、理,即人为地加温、光照和加负载,经过一至二星期的老化,使其光电性能趋向稳定。人工老化后,光电性能就基本上不变了。常用材料光敏电阻的典型参数如表2.3所示，以供参考。,表2.3 光敏电阻的典型参数,3.基本电路分析计算 基本电路的分析计算,通常是从等效电路和伏安特性曲线进行分析。光敏电阻在受到的光照变化时其电阻值将作相应变化。为了引出信号常将其和负载电阻串联,从光敏电阻的两端或负载电阻的两端引出信号。其在电路中的作用,可借助图2.19所示的基本电路来进行分析。一个实际的光敏电阻开关电路如图2.20所示。,图2.19 光敏电阻的基本电路,图2.20 一个实际的光敏电阻开关电路,在光线作用下,能使物

20、体产生一定方向的电动势的现象称为光生伏特效应,即阻挡层光电效应,如光电池、光敏晶体管等就属于这类光电器件。2.3.1 光电池 光电池的工作原理是基于光生伏特效应的。是一种直接将光能转换为电能的光电器件。光电池在有光线作用下实质就是电源,电路中有了这种器件就不需要外加电源。光电池的种类很多,有硒光电池、氧化亚铜光电池、锗光电池、硅光电池、砷化镓光电池等。其中硅光电池的光电转换效率高,寿命长,价格便宜,适合红外波长工作,是最受重视的光电池。,2.3 光生伏特效应器件,1.光电池工作原理 硅光电池是在N型硅片中掺入P型杂质形成一个大面积的PN结,如图2.45所示。光电池的结构类似于光电二极管,区别在

21、于硅光电池用的衬底材料的电阻率低,约为0.10.01cm,而硅光电二极管衬底材料的电阻率约为1000cm。上电极为栅状受光电极,下电极为衬底铝电极。栅状电极能减少电极与光敏面的接触电阻,增加透光面积。其上还蒸镀抗反射膜,既减少反射损失,又对光电池起保护作用。当光照射到PN结上时,如果在两电极间串接负载电阻,则电路中便产生了电流,如图2.46所示。,图2.45 硅光电池结构示意图,图2.46 硅光电池电原理图,2.光电池的基本特性 1)光谱特性 光电池的光谱特性如图2.47所示。从图中可知,不同材料的光电池,峰值波长不同。,图2.47 光电池的光谱特性,2)光照特性 硅光电池的光照特性,如图2.

22、48所示。由图可见,硅光电池的短路电流与光照有较好的线性关系,而开路(负载电阻RL趋于无限大时)电压与照度的关系是非线性的（呈对数关系）,而且在光照度2000lx时就趋向饱和了。,图2.48 硅光电池的光照特性,因此,光电池作为测量元件使用时,应利用短路电流与照度有较好线性关系的特点,可当作电流源使用,而不宜当作电压源使用。所谓短路电流是指外接负载电阻远小于光电池内阻时的电流。从实验可知,负载越小,光电流与照度之间的线性关系越好,而且线性范围越宽。负载在100以下,线性还是比较好的,负载电阻太大,则线性变坏,如图2.49所示。,图2.49 硅光电池光照特性与负载的关系,3)频率特性 光电池的频

23、率特性是指相对输出电流与光的调制频率之间的关系。所谓相对输出电流是指高频输出电流与低频最大输出电流之比。图2.50是光电池的频率特性曲线。在光电池作为测量、计算、接收器件时,常用调制光作为输入。由图可知硅光电池具有较高的频率响应（曲线2）,而硒光电池则较差（曲线1）。因此,在高速计数的光电转换中一般采用硅光电池。,图2.50 光电池的频率特性曲线,4)温度特性 光电池的温度特性是指开路电压Uoc和短路电流Isc随温度变化的关系。图2.51为硅光电池在照度为1000lx下的温度特性曲线。由图可知,开路电压随温度上升下降很快,但短路电流随温度的变化较慢。温度特性影响应用光电池的仪器设备的温度漂移,

24、以及测量精度或控制精度等重要指标。当其用作测量器件时,最好能保持温度恒定或采取温度补偿措施。,图2.51 硅光电池的温度特性曲线,5)伏安特性 所谓伏安特性,是在光照一定的情况下,光电池的电流和电压之间的关系曲线。图2.52画出了按图2.46所示电路测量的、硅光电池在受光面积为1cm2的伏安特性曲线。图中还画出了0.5、1、3k的负载线。负载线（如0.5k）与某一照度(如900lx)下的伏安特性曲线相交于一点(如A),该点(A)在I和U轴上的投影即为在该照度（900lx)和该负载（0.5k）时的输出电流和电压。,图2.52 硅光电池的伏安特性曲线,6)稳定性 当光电池密封良好、电极引线可靠、应

25、用合理时,光电池的性能是相当稳定的,使用寿命也很长。硅光电池的性能比硒光电池更稳定。光电池的性能和寿命除了与光电池的材料及制造工艺有关外,在很大程度上还与使用环境条件有密切关系。如在高温和强光照射下,会使光电池的性能变坏,而且降低使用寿命,这在使用中要加以注意。表2.7给出了几种硅光电池的性能参数,以供参考。,表2.7 几种硅光电池的性能参数,3.电路分析和计算 1)作电流源使用 光电池短路电流与照度有较好的线性关系,作为测量元件使用时,常当作电流源使用。光电池的受光面积,一般要比光电二极管和光电三极管大得多,因此它的光电流比后两者大,受光面积越大光电流也越大,适于需要输出大电流的场合。,前面

26、图2.52已给出了硅光电池的输出伏安特性曲线。由图可见,对于0.5k的负载线,照度每变化100lx时,相应的负载线上的线段基本上相等,输出电流和电压随照度变化有较好的线性。而对于3k的负载线,照度每变化100lx时,相应的负载线上的线段不等,输出电流和电压与照度的关系就会出现非线性。,在光电检测中,在一定的负载下工作,希望输出电流和电压与照度成线性关系。要确定这样的负载线,只要将工作中最大照度(图中为900lx)的伏安特性曲线上的转弯点A与原点O连成直线,就是所需的负载线。在检测中,如要求光电池性能稳定,有好的线性关系,则负载电阻应取得小一些,电阻越小性能越好,即负载线应在OA线的左面。这时输

27、出的电压虽有所减少,但光电流基本不变。反之,如果光电池的负载电阻已定,例如0.5k,则线性关系成立的最大的照度(在图中为900lx)可从伏安特性曲线确定,照度超过此值,则电流和电压与照度成非线性关系。,图中伏安特性曲线是在受光面积为1cm2的情况下得到的。如果受光面积不是1cm2,则光电流的大小应作相应改变。另外,由于不同光源频谱不同,当光源的种类不同(例如太阳光、白炽灯、萤光灯等)时,即使照度相同,光电池的输出也不相同,输出与照度成比例的范围(或最大照度)亦有区别。,图2.53 光电池接非线性负载的情况,光电池有时接非线性负载,例如接至晶体管基极,如图2.53(a)所示的情况。当硅光电池与锗

28、管相接时,锗管的基极工作电压在0.20.3V之间,而硅光电池的开路电压可达0.5V左右(有负载时电压小于0.5V),因此,可把光电池直接接至锗管的基极使它工作。利用图2.53(b)的图解分析可知,当照度自100lx变至800lx时,锗管中的基极电流IB(图中光电池伏安曲线与锗管输入特性曲线AB的交点)和集电极电流IC=IB与照度E几乎成线性变化。,对于硅管,其基极的工作电压为0.60.7V,一个光电池不能直接控制它的工作。这时可用两个光电池串联;也可用如图2.54所示的电路。图中(a)和(b)分别用可变电阻RW和二极管D产生所需的附加电压,假设为0.3V至0.5V。这样光电池本身只需0.2V至

29、0.4V的光电动势就可以控制晶体管的工作了。,图2.54(a)中采用了可变电阻RW,其优点是光电池所需的附 加电压可任意调节;(b)中采用了二极管D,其特点是对晶体管的工作点随温度的变化有补偿作用,但二极管的正向压降为确定的数值,不能任意调节。其工作情况,亦可用图2.53(b)的类似方法进行图解分析。光电计数器、光电继电器等开关电路经常采用图2.54所示的线路。,图2.54 用可变电阻RW、二极管D产生所需的附加电压,2)作电压源使用 硅光电池的开路（负载电阻RL趋于无限大时）电压与照度的关系是非线性的,因此,作为测量元件使用时,一般不宜当作电压源使用。而且硅光电池的开路电压最大也只有0.6V

30、左右,因此如果希望得到大的电压输出,不如采用光电二极管和光电三极管,因为它们在外加反向电压下工作,可得到几伏甚至十几伏的电压输出。但如果照度跳跃式变化,如从零跳变至某值,对电压的线性关系无要求,光电池可有0.5V左右(开路电压)的电压变化,亦可适合于开关电路或继电器工作状态。,若要增加光电池的输出电压,类似于光电二极管可加反向电压,如图2.55(a)所示,有时为了改善线性亦可加反向电压。为加以说明,光电池的伏安特性曲线画于图2.55(b)。图中画出了光电池加反向电压时的负载线AB和不加反向电压时的负载线AB。在相同负载电阻RL情况下,这两条负载线互相平行。显然,工作于AB段要比工作于AB段为好

31、,在同样的照度变化下(自0变至3),不论电压或电流变化的大小都成线性关系。但光电池加反向电压后的暗电流和噪声有所增大,因而要选用反向暗电流小的光电池,并注意光电池不能因加反向电压而击穿。,图2.55 加反向电压的光电池(a)电路；(b)伏安特性曲线,图2-59 路灯自动控制器电路,2.3.2 光电二极管和光电三极管 光电二极管是利用PN结单向导电性的结型光电器件,结构与一般二极管类似。PN结安装在管的顶部,便于接受光照。外壳上面有一透镜制成的窗口以使光线集中在敏感面上。为了获得尽可能大的光生电流,PN结的面积比一般二极管要大。为了光电转换效率高,PN结的深度较一般二极管浅。光电二极管电路原理如

32、图2.33所示。光电二极管可工作在两种工作状态。大多数情况下工作在反向偏压状态。,图2.33 光电二极管结构原理图,光电三极管与光电二极管相似,不过内部有两个PN结,类似一般三极管也有PNP型和NPN型。和一般三极管不同的是它的发射极一边尺寸很小,以扩大光照面积,如图2.34（a）所示。它可以等效看作一个光电二极管和一只晶体三极管的结合,如图2.34（b）所示。当基极开路时,基极集电极处于反偏,有光照时形成的光电流ICO作为基极电流被晶体管放大,其放大原理与一般晶体三极管相同,这样ICO被放大倍,一般放大倍数为几十,因此光电三极管的灵敏度比光电二极管的灵敏度高几十倍。,图2.34 光电三极管结

33、构原理图,1.光电管的基本特性 1)光谱特性 图2.35为光电二极管的光谱特性曲线,光电三极管的光谱特性曲线与光电二极管的相似。由图可见,当入射光的波长增加时,相对灵敏度要下降,这是因为光子的能量h太小,不足以激发出电子-空穴对。当入射光波长太短时相对灵敏度也下降,这是因为光子在半导体表面附近激发的电子空穴在半导体表面附近便被吸收,不能达到PN结。,由图可知,材料不同,响应的峰值波长也不同。因此,应根据光谱特性来确定光源和光电器件的最佳匹配。一般来讲，锗管的暗电流较大,因此性能较差,故在可见光或探测赤热状态物体时,一般都用硅管。但对红外光进行探测时,则锗管较为适宜。,图2.35 光电管的光谱特

34、性曲线,2)光照特性 光照特性反映集电极输出电流IC和照度EC之间的关系,如图2.36所示。三极管的光照特性曲线线性不太好,在大电流时有饱和现象。光电二极管在反向偏压的作用下,光照特性曲线有良好的线性。,图2.36 光电三极管的光照特性曲线,3)伏安特性 图2.37为光电管的伏安特性。由图可见,光电管的伏安特性与一般晶体三极管类似,差别在于参变量不同:晶体三极管的参变量为基极电流,而光电管的参变量是入射的光照度。光电三极管的光电流比相同管型的二极管大好几十倍,而且在零偏压时,二极管有光电流输出(如(a)所示),而三极管没有(如(b)所示)。,图2.37 光电管的伏安特性（a）二极管；（b）三极

35、管,4)温度特性 温度对光电管暗电流和光电流的影响,如图2.38所示。从图可见,温度变化对光电流的影响很小,而对暗电流影响很大。暗电流随温度升高是由于热激发造成的。在高温低照度下工作时,由于温度升高而产生的电流变化是一个必须考虑的误差信号。当交流放大时,由于隔直电容的作用,暗电流被隔断,因此消除了温度升高及暗电流增加对输出的影响。,图2.38 温度对光电管暗电流和光电流的影响,5)频率响应(特性)和时间常数 光电管的频率响应是指,一定频率的调制光照射时,光电管输出的光电流(或负载上的电压)随频率的变化关系。光电管的频率响应与其物理结构、工作状态、负载以及入射光波长等因素有关。图2.39为硅光电

36、三极管的频率响应曲线。,图2.39 硅光电三极管的频率响应曲线,光电管的时间常数一般在10-1010-4 s之间,硅管时间常数较小,响应频率高。有些特殊用途的光电管,如硅PIN光电二极管其响应频率高达几百兆赫兹,暗电流小到1nA。表2.4给出了几种硅光电二极管的特性参数,表2.5给出了几种硅PIN光电二极管的特性参数,表2.6给出了几种硅（锗）光电三极管的特性参数,以供参考。,表2.4 几种硅光电二极管的特性参数,表2.5 几种硅PIN光电二极管的特性参数,表2.6 几种硅（锗）光电三极管的特性参数,图2-55 光电控制电路,+V,图2-56 光电控制电路,2.3.3 PIN型硅光电二极管 P

37、IN型硅光电二极管是一种高速光电二极管。设计思想是,为了得到高速响应,需要减小二极管的PN结的电容。为此,PIN光电二极管是在大量掺入杂质的P型和N型硅片层之间插入高阻抗的本征半导体材料层(I层),如图3.56所示。插入高阻抗的本征半导体材料层(I层)可提高二极管的响应速度和灵敏度。各层结合面的电容很小,对受光面积加以限制则能把电容进一步减小,各层结合面的电容是通常的PN结的1/1001/1000。,图3.56 PIN型硅光电二极管结构示意图,2.3.4 雪崩式光电二极管(APD)雪崩式光电二极管具有高速响应和放大功能。其结构如图3.57所示,是在PN结的P层一侧再设置一层掺杂浓度极高的P+(

38、重掺杂)层而构成,是在PN结光电二极管上施加较大的反偏压,利用PN结处产生的雪崩效应而制成的电子倍增管。使用时,在元件两端加上近于击穿的反偏压。外来的光线通过薄的P+层,然后被P层吸收,产生载流子。由于P层存在着105V/cm的电场,电荷载流子能从电场获取足够的能量,将位于价带上的电子冲击离子化,就不断地产生(雪崩效应),使光电流在管内部得到倍增。,图 3.57,雪崩式光电二极管有倍增时的光电流Is与无倍增时的光电流Is0之比称为光电倍增因子M。有经验公式,式中,U为击穿电压,U为外加电压,为与材料、掺杂情况及入射波长有关的系数。对于硅=1.54;锗=2.53。光电倍增因子M可从数十到数百。,

39、采用硅和锗材料的雪崩式光电二极管的响应波长范围分别为0.41m和0.51.5m。这种元件的优点是它提供的高电流增益能极大地提高灵敏度,能有效地读取微弱光线,常用作0.8m范围的光纤通信的受光装置和光磁盘的受光元件。其不足之处是,线性较差,工作时要求很高的电压建立必要的极电场,而且其增益对偏置电压和温度十分敏感,因此要求非常稳定的工作环境。,2.3.5 半导体色敏传感器 半导体色敏传感器可用来直接测量从可见光到红外波段内单色辐射的波长。半导体色敏传感器的结构如图3.58(a)所示。它有两个深浅不同的PN结,形成反向连接的两个光电二极管PD1和PD2,故又称为双结光电二极管。当外部光照射到色敏器件

40、上时,P1层吸收光子产生电子空穴对,电子扩散到P1N结,形成电流I1。,在N层中吸收透过P1层的长波光,产生电子空穴对,其中一半向P1层一侧扩散,另一半向P2层一侧扩散,分别形成电流I2和I3。到达P2层的红外光区域的光在这里被吸收,产生电子,扩散到P2N结,形成电流I4。光电二极管PD1和PD2的短路电流Isc1和Isc2为,图3.58 半导体色敏传感器的结构和等效电路(a)结构;(b)等效电路,光电二极管的光谱特性与PN结的结深有关,在靠近表面的PN结的PD1对短波长的光比较灵敏,而远离表面的PN结的PD2对长波长比较灵敏。上面的一个PN结距离上表面约0.5m,对580nm波长具有峰值灵敏

41、度,距上表面深度为10m的另一PN结,对900nm波长具有峰值灵敏度。图3.59示出了两个光电二极管的光谱灵敏度特性曲线。为了测定入射光的波长,仅有这两个光电二极管的光谱灵敏度特性曲线还不够。,为此,将这两个光电二极管等效电路串联连接,先取出PD1的短路电流Isc1及PD2的短路电流Isc2,然后测出它们的电流比Isc2/Isc1,如图3.58(b)所示。该短路电流比与波长有一一对应的关系,如图3.60所示。因此,如果测出短路电流比,就可以求出对应的入射光的波长,即可分辨出不同的颜色。实际应用的比较电路如图3.61所示。c1和Ic2分别由各自的运算放大器放大,同时也进行对数压缩。将信号引入下一

42、级的比较电路,就可得到Isc2/Isc1之比值。这样得出的输出电压U0,也是与波长一一对应的,如图3.62所示。可检测出从4001000nm以上范围内的波长。,图3.59 光电二极管的光谱灵敏度特性,图3.60 短路电流比与波长的关系,图3.61 具体的比较电路,图3.62 输出电压与波长的关系,光电闸流晶体管 光电闸流晶体管是由入射光触发而导通的可控硅,简称光控晶闸管,通常又称光激可控硅。其结构如图3.63(a)所示。在硅片上作成NPNP四个薄层,阳极置于基片上,最上面的N区为阴极,紧接着阴极的P层为控制极,在表面上作一层SiO2保护膜,再密封在有透光窗口的管壳中,最后接出引线。其工作原理电

43、路及常用符号如图3.63(b)所示。当P1接电源正极,N2接电源负极时,J1结和J3结处于正向,J2结处于反向。,其等效电路类似于可控硅,四层结构可以看成P1N1P2和N2P2N1两个晶体管在内部连接在一起而构成,且每个晶体管的基极均与另一个晶体管的集电极相连。等效电路中的二极管D用来表示J2的PN结的反向漏电流。设两个三极管V1和V2的共基极(短路)电流放大系数(小于1)为1、2,则有如下的关系:,图3.63 光电闸流晶体管结构以及原理电路和常用符号(a)结构；(b)原理电路,则光控晶闸管的导通电流IA为,因,IP的大小取决于光照射,IG可为零。当满足1+2=1,在光照射时IP增加,IA将急

44、剧增大,晶闸管进入导通状态。,2.3.7 达林顿光电三极管 达林顿光电三极管是光电三极管与普通三极管内部采用达林顿接线方式集成在一起的组件,如图3.68所示。达林顿管为两个NPN三极管组成的复合电路,输入晶体管是光电三极管,输出是普通的NPN晶体管。达林顿管的增益很大,其电流放大系数近似为两个管子分离时电流放大系数的乘积。能更可靠地使输出为开关状态,也更容易驱动负载。例如,所获终端集电极电流可以驱动继电器等。达林顿管所需的入射光非常小,当输入为0.1mW/cm2时,可获得2mA的集电极电流。其缺点是响应速度低,当负载电阻为几千欧时,响应时间为毫秒量级。,图 3.68,2.4红外热释电光敏器件,

45、2.4.1 热释电效应及器件 热释电传感器利用热释电效应来检测受光面的温度升高值,得知光的辐射强度,工作在红外波段内。这种传感器在常温下工作稳定可靠,使用简单,时间响应能到微秒数量级,已得到普遍使用。其原理图如图3.64所示。,在垂直极化轴的方向上把具有热释电效应的晶体切成薄片,再研磨成厚度为550m的极薄片,在两面蒸镀上电极,类似于电容器的构造。晶体本身能很好地吸收从红外波段到毫米波段的电磁波,必要时也用黑化以后的晶体或在透明电极表面涂上黑色膜。图3.65为一个热释电传感器的结构示意图。图3.66表示热释电材料的自发极化P和温度T的关系。传感器工作在曲线P大（热释电系数q=dP/dT大）的部

46、分。为得到好的时间响应,希望热释电材料的介电常数和tan要小,比热CP和密度越小越好。,图3.64 热释电传感器原理图,图3.65 热释电传感器结构示意图,图3.66 温度和自发极化的关系,图3.67 热释电传感器的等效电路,当热释电材料由于热释电传感器受到频率为f的调制光照射时,自发极化P也以频率f作周期性变化。如果f1/（为中和平均时间）,就会输出频率为f的电信号。热释电传感器可以看作电流源,等效电路如图3.67所示。图中电流,其中,A为电极面积;Rd,Cd为绝缘电阻和电容;RL和CL为外接负载。传感器输出电压为,式中,Z为Rd,Cd,RL,CL的并联阻抗。热释电传感器绝缘电阻高达几十到几

47、百兆欧,容易引入外部噪声,在实际使用中,要求有输入阻抗高、噪声小的前置放大器。通常把前放的场效应晶体管和输入电阻装入管壳内。场效应管起到阻抗变换,同时起到抗干扰的作用。,2.5 CCD图像传感器,电荷耦合器件(ChargeCoupledDevices,简称CCD)是贝尔实验室的和于1970年发明的,由于它有光电转换、信息存储、延时和将电信号按顺序传送等功能,且集成度高、功耗低,因此随后得到飞速发展,是图像采集及数字化处理必不可少的关键器件,广泛应用于科学、教育、医学、商业、工业、军事和消费领域。,CCD图像传感器是按一定规律排列的MOS（金属氧化物半导体）电容器组成的阵列,其构造如图3.71所

48、示。在P型或N型硅衬底上生长一层很薄（约1200）的二氧化硅,再在二氧化硅薄层上依次序沉积金属或掺杂多晶硅电极（栅极）,形成规则的MOS电容器阵列，再加上两端的输入及输出二极管就构成了CCD芯片。,图3.71 CCD芯片的构造,图3.71中所示为64位CCD结构。每个光敏元（像素）对应有三个相邻的转移栅电极1、2、3,所有电极彼此间离得足够近,以保证使硅表面的耗尽区和电荷的势阱耦合及电荷转移。所有的1电极相连并施加时钟脉冲1,所有的2、3也是如此,并施加时钟脉冲2、3。这三个时钟脉冲在时序上相互交迭,如图3.72所示。,图3.72 三个时钟脉冲的时序,MOS电容器和一般电容器不同的是,其下极板

49、不是一般导体而是半导体。假定所用半导体是P型硅,其中多数载流子是空穴,少数载流子是电子。若在栅极上加正电压,衬底接地,则带正电的空穴被排斥离开Si-SiO2界面,带负电的电子被吸引到紧靠Si-SiO2界面。当电压高到一定值,形成对电子而言的所谓势阱,电子一旦进入就不能复出。电压愈高,产生的势阱愈深。可见MOS电容器具有存储电荷的功能。如果衬底是N型硅,则在电极上加负电压,可达到同样目的。,光照射到光敏元上,会产生电子-空穴对（光生电荷）,电子被吸引存储在势阱中。入射光强则光生电荷多,弱则光生电荷少,无光照的光敏元则无光生电荷。这样就在转移栅实行转移前,把光的强弱变成与其成比例的电荷的数量,实现

50、了光电转换。若停止光照,电荷在一定时间内也不会损失,可实现对光照的记忆。,转移栅实行转移的工作原理是,t1时刻1是高电平,于是在电极1下形成势阱,并将少数载流子(电子)吸引至聚集在Si-SiO2界面处,而电极2、3却因为加的是低电平,形象地称为垒起阱壁。图3.71所示的情况是,第62、64位光敏元受光,而第1、2、63位等单元未受光照。,t2时刻,1的高电平有所下降,2变为高电平,而3仍是低电平。这样在电极2下面势阱最深,且和电极1下面势阱交迭,因此储存在电极1下面势阱中的电荷逐渐扩散漂移到电极2下的势阱区。由于电极3上的高电平无变化,所以仍高筑势垒,势阱里的电荷不能往电极3下扩散和漂移。,t