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1、2023/9/27,1,3 有导体存在时电磁波的传播,2023/9/27,2,真空和绝缘介质中电磁波-在真空和理想绝缘介质内部，没有能量损耗，电磁波可以无衰减地传播,导体中的电磁波-导体内有自由电子，在电磁波电场作用下，自由电子运动形成传导电流，由电流产生的焦耳热使电磁波能量不断损耗因此，在导体内部的电磁波是一种衰减波在传播过程中，电磁能量转化为热量,2023/9/27,3,导体内电磁波的传播过程是交变电磁场与自由电子运动互相制约的过程，这种相互作用决定导体内电磁波的存在形式先研究导体内自由电荷分布的特点，然后在有传导电流分布的情形下解麦克斯韦方程组，分析导体内的电磁波以及在导体表面上电磁波的
2、反射和折射问题,2023/9/27,4,在静电情形我们知道导体内部不带电，自由电荷只能分布于导体表面上在迅变场中是否仍然保持这特性呢？,1导体内的自由电荷分布,2023/9/27,5,在电场E作用下，导体内引起传导电流J由欧姆定律，,式中为电导率，联立得,设导体内部某区域内有自由电荷分布，其密度为这电荷分布激发电场E，,2023/9/27,6,上式表示当导体内某处有电荷密度出现时，就有电流从该处向外流出从物理上看这是很明显的因为假如某区域内有电荷积聚的话，电荷之间相互排斥，必然引起向外发散的电流由于电荷外流，每一体元内的电荷密度减小 的变化率由电荷守恒定律确定,解此方程得,2023/9/27,
3、7,式中0 为t=0时的电荷密度由上式，电荷密度随时间指数衰减，衰减的特征时间（值减小到 0e的时间）为,因此，只要电磁波的频率满足-1=/,或,2023/9/27,8,就可以认为(t)0上式可以看作良导体条件对于一般金属导体，的数量级为 10-17 s只要电磁波频率不太高，一般金属导体都可以看作良导体良导体内部没有自由电荷分布，电荷只能分布于导体表面上,2023/9/27,9,导体内部产=0，JE，麦氏方程组为,2导体内的电磁波,2023/9/27,10,对一定频率的电磁波，可令 DE，BH，则有,2023/9/27,11,复电容率,传导电流,位移电流,2023/9/27,12,右边两项分别
4、代表位移电流和传导电流.传导电流与电场同相，它的耗散功率密度为12Re(J*E)位移电流与电场有90相位差，它不消耗功率相应地，在复电容率中，实数部分代表位移电流的贡献，它不引起电磁波功率的耗散，而虚数部分是传导电流的贡献，它引起能量耗散,复电容率的物理意义,2023/9/27,13,在一定频率下，对应于绝缘介质内的亥姆霍兹方程，在导体内部有方程,方程的解当满足条件E=0时代表导体中可能存在的电磁波解出E后，磁场H可由麦氏方程求得,2023/9/27,14,上述方程组第二式可写为,与绝缘介质中的相应方程形式上完全一致因此只要把绝缘介质中电磁波解所含的换作，即得导体内的电磁波解,2023/9/2
5、7,15,亥姆霍兹方程形式上也有平面波解,但k为复矢量，即它的分量一般为复数,导体中电磁波的表示式为,2023/9/27,16,波矢量k的实部 描述波的传播的相位关系虚部 描述波幅的衰减，称为衰减常数 称为相位常数,比较式中的实部和虚部得,2023/9/27,17,例如当电磁波从空间入射到导体表面情形，以 k(0)表示空间中的波矢，k表示导体内的波矢设入射面为xz面，z轴为指向导体内部的法线,空间中波矢k(0)为实数，x=0，x=kx，即矢量 垂直于金属表面，但矢量则有x分量,由边值关系式有,矢量 和 的方向不常一致,2023/9/27,18,利用x=0，x=kx解出 z和 z，因而确定矢量
6、和,2023/9/27,19,由于有衰减因子，电磁波只能透入导体表面薄层内因此，有导体存在时的电磁波传播问题一般是作为边值问题考虑的,3趋肤效应和穿透深度,2023/9/27,20,电磁波主要是在导体以外的空间或介质中传播，在导体表面上，电磁波与导体中的自由电荷相互作用，引起导体表层上的电流这电流的存在使电磁波向空间反射，一部分电磁能量透人导体内，形成导体表面薄层内的电磁波，最后通过传导电流把这部分能量耗散为焦耳热,2023/9/27,21,为简单起见，我们只考虑垂直入射情形设导体表面为xy平面，z轴指向导体内部在这情形下，x x 0，和 都沿z轴方向,2023/9/27,22,解出,2023
7、/9/27,23,对于良导体情形，这些公式还可以简化k2的虚部与实部之比为，在良导体情形此值1，因而k2的实部可以忽略,2023/9/27,24,波幅降至原值1/e的传播距离称为穿透深度,穿透深度与电导率及频率的平方根成反比例如对铜来说，5 107S m-1，当频率为 50Hz时，0.9cm；当频率为 100MHz时，0.7 10-3cm由此可见，对于高频电磁波，电磁场以及和它相作用的高频电流仅集中于表面很薄一层内，这种现象称为趋肤效应.,2023/9/27,25,求出磁场与电场的关系,良导体,磁场相位比电场相位滞后45,n为指向导体内部的法线,2023/9/27,26,磁场远比电场重要，金属
8、内电磁波的能量主要是磁场能量,金属导体,真空或绝缘介质,2023/9/27,27,和绝缘介质情形一样，应用边值关系可以分析导体表面上电磁波的反射和折射问题在一般入射角下，由于导体内电磁波的特点使计算比较复杂垂直入射情形计算较为简单，而且已经可以显示出导体反射的特点因此这里只讨论垂直入射情形,4导体表面上的反射,2023/9/27,28,设电磁波由真空入射于导体表面，在界面上产生反射波和透入导体内的折射波垂直入射情形，电磁场边值关系为,2023/9/27,29,反射系数,2023/9/27,30,例1 证明在良导体内，非垂直入射情形有,2023/9/27,31,设空间中入射波矢为k(0)，由边值
9、关系得,良导体内波数平方为,解,2023/9/27,32,因而,2023/9/27,33,略去x2得,在任意入射角情形下，垂直于表面,亦接近法线方向,穿透深度仍为,2023/9/27,34,例2 计算高频下良导体的表面电阻,2023/9/27,35,由于趋肤效应，高频下仅在导体表面薄层内有电流通过取z轴沿指向导体内部的法线方向导体内体电流密度为,解,2023/9/27,36,这电流分布于表面附近厚度-1的薄层内我们可以把这薄层内的电流看作面电流分布面电流的线密度f定义为通过单位横截线的电流，即等于在薄层内把J对z积分由于深人到导体内部(z)时,J的数值已很小，所以也可以把这积分写为由z=0到z=积分,2023/9/27,37,其中E0为表面上的电场值,导体内平均损耗功率密度为,2023/9/27,38,导体表面单位面积平均损耗功率为,f0为面电流密度的峰值,2023/9/27,39,导体在高频下的电阻相当于厚度为的薄层的直流电阻,把1/代入得,
