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1、硅太阳电池制备工艺,制备工艺流程,硅片清洗与去损去除表面损失和沾污硅片制绒形成表面陷光结构碱制绒与酸制绒,硅片清洗与制绒,绒面减少反射的机理,碱制绒,各向异性腐蚀高质量的碱制绒均匀的金字塔高覆盖率-100%最佳金字塔(111)晶面间形成尖锐交角平均反射率在9%左右,酸制绒是各向同性腐蚀使用HNO3和HF的混合液单晶和多晶硅都适用需要表面有缺陷和损伤可以与H2O,H3PO4,H2SO4等混合使用,As-cutAlkaliAcidic,酸制绒,一般使用CF4等离子体轰击表面优点低温，环境影响小易单面制绒硅片应力小缺点成本当 500 nm时，QE降低,RIE(反应离子刻蚀)制绒,扩散方法沉积磷源在硅
2、片表面高温加热磷扩散到硅基体中扩散过程需要折衷考虑的因素蓝光响应（死层）串联电阻金属接触电阻温度杂质和应力等吸杂,磷扩散,边缘刻蚀去除边缘PN结，防止上下短路,边缘刻蚀,P型硅,N型硅,N型硅,去磷硅玻璃,去磷硅玻璃用HF酸把上下表面的磷硅玻璃去除串联电阻有时与刻蚀边结同时进行,减反射膜,沉积深蓝色减反膜SiNx:H膜。折射率玻璃1.5 硅3.4 介质2.2钝化作用,最常用,少子寿命较低的情况下，寿命提高对电池效率的影响比较明显,少子寿命较高时，表面复合对效率影响更加重要,为什么要钝化,随着电池片的减薄，绝大多数硅片体寿命已经大于硅片厚度，提高少子寿命对电池性能的提高已经比较有限；同时，随着硅片厚度减薄，表面复合所占比重越来越大，表面钝化显得更加重要。,低温快速热处理后，Si-SiNx界面态密度减少,热处理前后Si-SiNx界面态密度随表面势的变化,减反射膜的钝化作用,PPECVD生长SiNx可钝化表面，低温快速热处理可进一步提高钝化效果,快速热处理提高SiNx薄膜钝化的机理,热处理前后SiNx的傅里叶红外谱,背电极的印刷,在太阳电池背面丝网印刷印上引出电极浆料：银浆或银铝浆,在太阳电池背面丝网印刷铝浆通过烧结和p型硅形成良好的接触形成铝背场高低结电场吸杂,背电场的印刷,在太阳电池正面丝网印刷银浆，形成负电极正面电极有主栅线和副栅线组成,前电极的印刷,The End,
