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1、硅衬底材料制备工艺,CZ(直拉）法生长单晶硅片制备（切割研磨抛光）晶体缺陷抛光片主要技术指标,硅是用来制造芯片的主要半导体材料，也是半导体产业中最重要的材料。对于可用于制造半导体器件的硅而言，使用一种特殊纯度级以满足严格的材料和物理要求。在硅片上制作的芯片的最终质量与开始制作时所采用的硅片的质量有直接关系。如果原始硅片上有缺陷，那么最终芯片上也肯定会存在缺陷。用来做芯片的高纯硅被称为半导体级硅（semiconductor-grade silicon），或者SGS，有时也被称做电子级硅。,半导体级硅,不仅半导体级硅的超高纯度对制造半导体器件非常关键，而且它也要有近乎完美的晶体结构。只有这样才能避
2、免对器件特性非常有害的电学和机械缺陷。单晶是一种固体材料，在许多的原子长程范围内原子都在三维空间中保持有序且重复的结构。,晶体结构,非晶材料是指非晶固体材料，它们没有重复的结构，并且在原子级结构上体现的是杂乱的结构。非晶硅对生产半导体器件所需的硅片来讲是没有任何用处的，这是因为器件的许多电学和机械性质都与它的原子级结构有关。这就要求重复性的结构使得芯片与芯片之间的性能有重复性。,晶体结构非晶材料,晶体结构多晶材料,如果晶胞不是有规律地排列，那么这种材料就叫多晶材料。如果从提纯工艺中得到的半导体级硅是多晶结构，就叫做多晶硅（polycrystal）。,如果晶胞在三维方向上整齐地重复排列，那这样的
3、结构就叫单晶（monocrystal）、英文的另一种表达方式是single crystal。,晶体结构单晶材料,在晶体材料中，对于长程有序的原子模式最基本的实体就是晶胞。晶胞在三维结构中是最简单的由原子组成的重复单元，它给出了晶体的结构。在一个晶体结构中，晶胞紧密地排列，因此存在共有原子。共有原子非常重要，因为晶胞是通过它们来组成一个紧密连接在一起的晶格结构的。在金刚石面心立方晶胞中每个角上的原子被8个晶胞所共有，每个面上的原子被2个晶胞所共有。因此每个面心立方晶胞包含4个完整原子。,晶 胞,面心立方晶胞,对于硅晶体来说，晶胞和金刚石晶体结构的面心立方结构晶胞不同，除了面心立方所具有的那些共有
4、原子之外，还包括完全位于立方结构中的4个原子。对于硅晶胞来说，总共有8个完整原子，其中4个共有原子和4个非共有原子。,硅晶胞：面心立方金刚石结构,晶向非常重要，因为它决定了在硅片中晶体结构的物理排列是怎样的。不同晶向的硅片的化学、电学和机械性质都不一样，这会影响工艺条件和最终的器件性能。如果晶体是单晶结构，那么所有的晶胞就都会沿着这个坐标轴重复地排列。,晶向,晶胞的坐标轴方向,硅晶体平面上的方向由一套称做密勒指数的参数所描。在密勒系统的符号里，小括号（）用来表示特殊的平面，而尖括号表示对应的方向。,Orientation Plane,Wafer Etch Pits,Orientation Pl
5、ane,Wafer Etch Pits,从沙子到晶圆（抛光片）,原料SiO2,多晶硅,单晶,抛光片,蒸馏与还原,晶体生长,切割研磨抛光,起始材料,SiC+SiO2 Si(固)+SiO(气)+CO(气)形成 冶金级硅MGS(98%)Si+3HCl SiHCl3(气)+H2 将SiHCl3(室温下为液体，沸点32）分馏提纯SiHCl3H2 Si+3HCl（多晶硅沉积）产生电子级硅EGS(纯度十亿分之一），它是多晶硅材料,2000,300,1100,Silicon Purification I,Silicon Purification II,Electronic Grade Silicon,晶体生长
6、是把半导体级硅的多晶硅转换成一块大的单晶硅。生长后的单晶硅被称为硅单晶锭。现在生产用于硅片制备的单晶硅锭最普遍的技术是Czochralski（CZ）法，是按照发明者的名字来命名的。CZ法生长单晶硅是把熔化了的半导体级硅液体变为有正确晶向并且被掺杂成n型或p型的固体硅。一块具有所需要晶向的单晶硅作为籽晶来生长硅锭，生长的单晶硅锭就像籽晶的复制品。为了用CZ法得到单晶硅，在熔化了的硅和单晶硅籽晶的接触面的条件要精确控制。这些条件保证薄层硅能够精确复制籽晶结构，并最后生长成一个大的硅锭。这些是通过CZ拉单晶炉的设备得到的。,拉晶：CZ(直拉）法生长单晶,石墨基座,晶体,RF线圈,熔融硅（1415）,
7、石英坩埚,籽晶,坩埚里的硅被拉单晶炉加热，使用电阻加热或射频（RF）加热线圈。电阻加热用于制备大直径的硅锭。当硅被加热时，它变成液体，叫做熔体。籽晶放在熔体表面并在旋转过程中缓慢地拉起，它的旋转方向与坩埚的旋转方向相反。随着籽晶在直拉过程中离开熔体，熔体上的液体会因表面张力而提高。籽晶上的界面散发热量并向下朝着熔体的方向凝固。随着籽晶旋转着从熔体里拉出，与籽晶有同样晶向的单晶就生长出来了。,CZ Crystal Pulling,区熔法生长单晶硅锭是把掺杂好的多晶硅棒铸在一个模型里。一个籽晶固定到一端然后放进生长炉中。用射频线圈加热籽晶与硅棒的接触区域。加热多晶硅棒是区熔法最主要的部分，因为在熔
8、融晶棒的单晶界面再次凝固之前只有30分钟的时间。晶体生长中的加热过程沿着晶棒的轴向移动。典型的区熔法硅片直径要比直拉法小。由于不用坩埚，区熔法生长的硅纯度高且含氧量低。,FZ(区熔)法生长单晶,Floating Zone Method,CZ法与FZ法比较,CZ法：成本低、可做大尺寸晶锭、材料可重复使用 更受欢迎FZ法：纯度高、成本高、小尺寸晶锭 主要用在功率器件,硅是硬而脆的材料，晶体生长后的硅锭对半导体制造来说用处很小。圆柱形的单晶硅锭（又叫单晶锭）要经过一系列的处理过程，最后形成硅片，才能达到半导体制造的严格要求。这些硅片制备步骤包括机械加工、化学处理、表面抛光和质量测量。硅片制备的基本流
9、程如图所示。,硅片制备,硅片制备的基本工艺步骤,整型处理：硅单晶锭在拉单晶炉中生长完成后，整型处理是接下来的第一步工艺。整型处理包括在切片之前对单晶硅锭做的所有准备步骤。去掉两端：第一步是把硅单晶锭的两端去掉。当两端被去掉后，可用四探针来检查电阻以确定整个硅单晶锭达到合适的杂质均匀度。径向研磨：径向研磨来产生精确的材料直径。由于在晶体生长中直径和圆度的控制不可能很精确，所以硅单晶锭都要长得稍大一点以进行径向研磨。对半导体制造中流水线的硅片自动传送来讲，精确的直径控制是非常关键的。,整型处理 硅片定位边或定位槽 半导体业界传统上在硅单晶锭上做一个定位边来标明晶体结构和硅片的晶向。主定位边标明了晶
10、体结构的晶向。还有一个次定位边标明硅片的晶向和导电类型。,硅片标识定位边,硅片定位边在200 mm及以上的硅片已被定位槽所取代。具有定位槽的硅片在硅片上的一小片区域有激光刻上的关于硅片的信息。对300 mm硅片来讲，激光刻印于硅片背面靠近边缘的没有利用到的区域。对于300 mm硅片，没有利用到的区域是在固定质量区域面积之外，固定质量区域（FQA）是指硅片上容纳芯片的面积。现在没有利用的区域一般是3 mm。,切片 一旦整型处理完成后，硅锭就准备进行切片。对200 mm以下硅片来讲，切片是用带有金刚石切割边缘的内圆切割机来完成的。使用内圆切割机是因为边缘切割时能更稳定，使之产生平整的切面。,内圆切
11、割机,对300mm的硅片来讲，由于大直径的原因，内圆切割机不再符合要求。300mm的硅锭目前都是用线锯来切片的。线锯在切片过程中减少了对硅片表面的机械损伤。硅片的厚度在切片过程中得到了精确的控制。300mm硅片目前的厚度是77525微米。更厚的硅片能够承受在导体制造高温工艺中的热能以及机械震动。,磨片和倒角（防止产生缺陷）切片完成后，要进行双面的机械磨片以去除切片时留下的损伤，达到硅片两面高度的平行及平坦。磨片是用垫片和带有磨料的浆料利用压力旋转来完成。硅片边缘抛光修整（又叫倒角）可使硅片边缘获得平滑的半径周线。在硅片边缘的裂痕和小裂缝会在硅片上产生机械应力并会产生位错。平滑的边缘半径对于将这
12、些影响降到最小。,刻蚀（去除沾污和损伤层）硅片整型使硅片表面和边缘损伤及沾污。硅片损伤的深度一般有几微米深。为了消除硅片表面的损伤，采用硅片刻蚀或化学刻蚀的技术。硅片经过湿法化学刻蚀工艺消除硅片表面损伤和沾污。在刻蚀工艺中，通常要腐蚀掉硅片表面约20微米的硅以保证所有的损伤都被去掉。,腐蚀液：HNO3+HF+醋酸,抛光（去除表面缺陷）制备硅片的最后一步是化学机械平坦化（CMP），它的目标是高平整度的光滑表面。硅片在抛光盘之间行星式的运动轨迹使硅片表面平坦且两面平行。最后硅片的两面都会像镜子一样。,NaOHSiO2,清洗（去除残留沾污）半导体硅片必须被清洗使得在发送给芯片制造厂之前达到超净的洁净
13、状态。清洗规范在过去几年中经历了相当大的发展，使硅片达到几乎没有颗粒和沾污的程度。,硅片评估 在包装硅片之前，会按照客户要求的规范来检查是否达到质量标准。,NH3OHH2O2，HClH2O2,H2SO4H2O2,包装 硅片供应商必须仔细地包装要发货给芯片制造厂的硅片。硅片叠放在有窄槽的塑料片架或“舟”里以支撑硅片。碳氟化合物树脂材料（如特氟纶）常被用于盒子材料使颗粒产生减到最少。另外，特氟纶被作成导体使其不会产生静电释放。装满硅片后，片架就会放在充满氮气的密封小盒里以免在运输过程中氧化和其他沾污。当硅片到达硅片制造厂时，它们被转移到其他标准化片架里使其在被这些制造设备的加工过程中传送和处理。一
14、种传送容器是能容纳25个硅片的容器，叫做前开口传送盒，它与硅片制造厂里的自动传送系统有连接。,晶体缺陷,晶体缺陷(crystal defect)就是在重复排列的晶胞结构中出现的任何中断。硅晶体缺陷对半导体的电学特性有破坏作用。随着器件尺寸的缩小以及有源栅区面积的增加，更多的晶体管集成在一块芯片上，缺陷出现在芯片敏感区域的可能性就会增加。这样的缺陷会对先进的IC器件的成品率有负面影响。硅中主要存在三种普遍的缺陷形式：1.点缺陷：原子层面的局部缺陷2.位错：错位的晶胞3.层错：晶体结构的缺陷,点缺陷,点缺陷存在于晶格的特定位置。最基本的一种缺陷是空位。这种缺陷是当一个原子从其格点位置移开时出现。另
15、一种点缺陷是间隙原子，它存在于晶体结构的空隙中，当一个原子离开其格点位置并且产生了一个空位时，就会产生间隙原子-空位对，或叫Frenkel缺陷。,在单晶中，晶胞形成重复性结构。如果晶胞错位，这种情况就叫做位错。位错可以在晶体生长和硅片制备过程中的任意阶段产生。然而，发生在晶体生长之后的位错通常由作用在硅片上的机械应力所造成，例如不均匀的受冷或受热以及超过硅片承受范围的应力。,位错,刃型位错,螺旋位错,层错 层错与晶体结构有关，经常发生在晶体生长过程中。滑移就是一种层错，它沿着一个或更多的平面发生滑移。另一种层错是孪生平面，就是在一个平面上，晶体沿着两个不同的方向生长。,滑移线,滑移线腐蚀坑,缺
16、陷的两重性,缺陷往往是复合中心，是PN结漏电和低击穿的原因，特别是缺陷和重金属的交互作用会加深这种作用（降低寿命）所以不希望在有源区有缺陷。在非有源区，缺陷能吸引杂质聚集，即有吸杂作用，是有好处的。,吸杂(Gettering),吸杂晶体中的杂质和缺陷扩散并被俘获在吸杂中心非本征吸杂：在远离有源区（如背面）引入应变或损伤区本征吸杂：利用硅片体内氧沉淀，点缺陷和残余杂质（如重金属）被俘获和限制在沉淀处，从而降低有源区的浓度。,抛光片主要技术指标,晶体参数-晶向(111)/(100)电学参数-掺杂类型掺杂剂 P/N-电阻率机械参数直径厚度 150mm/67515um-平整度/弯曲度翘曲度,抛光片主要技术指标,结构参数含氧量含碳量 28 3ppma 含碳量 0.3um 15pcs/wafer重金属杂质 寿命,
