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1、1.BJT的高频小信号模型,混合型高频小信号模型,1,单级共射极放大电路的频率响应高频响应,2,单级共射极放大电路的频率响应高频响应,3,2.低频响应,低频等效电路,4,2.低频响应,低频等效电路,Rb=（Rb1|Rb2）远大于Ri,，CeCb2,5,则,2.低频响应,低频响应,6,2.低频响应,低频响应,相频响应 180arctan(fL1/f)180 arctan(fL1/f),幅频响应,7,2.低频响应,低频响应,包含fL2的幅频响应,*4.7.4 单级共集电极和共基极放大电路的高频响应(自学）,8,1.多级放大电路的增益,前级的开路电压是下级的信号源电压,前级的输出阻抗是下级的信号源阻
2、抗,下级的输入阻抗是前级的负载,4.7.5 多级放大电路的频率响应,9,2.多级放大电路的频率响应,（以两级为例）,4.7.5 多级放大电路的频率响应,10,一、选择题、填空题和判断题,习题课,1、电路如左图所示，晶体管VBE=0.7 V，=50，则晶体管工作在（）。(a)放大区(b)饱和区(c)截止区,2、已知稳压管的稳压值UZ6V，稳定电流的最小值IZmin5mA。下图所示电路中UO1为（），UO2为（）。,6V,5V,11,3、分别判断下图所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。,解：,（a）可能,（b）可能,（c）不能,（d）不能，T的发射结会因电流过大而损坏。,（e）可能,12,
3、4、判断下列说法是否正确，凡对的在括号内打“”，否则打“”。（1）放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；（）（2）由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化；（）（3）只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。（）（4）现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数应为10000。(),(5)阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立，()它只能放大交流信号。()(6)直接耦合多级放大电路各级的Q点相互影响，()它只能放大直流信号。()(7)只有直接耦合放大电路中晶体管的参数才随温度而变化。(),1
4、3,一、试分析下图所示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。,（c）不能。因为输入信号作用于基极与地之间，不能驮载在静态电压之上，必然失真。,解：（a）不能。因为输入信号被VBB短路。,（b）可能。,基本放大电路,14,二、判断所示各两级放大电路中，T1和T2管分别组成哪种基本接法的放大电路。设图中所有电容对于交流信号均可视为短路。,（a）共射，共基,（b）共射，共射,（c）共射，共射,（d）共集，共基,（f）共基，共集,15,三、若电容Ce开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？,输入电阻增大，电压增益减小，频带变宽,16,四、放大电路如
5、图1所示，已知晶体管的，要求：(1)试求放大电路的电压放大倍数，输入电阻，输出电阻；(2)设输出电压的波形出现如图2的失真情况，试问改变偏流电阻 的大小能否消除失真？为什么？若负载电阻和输入信号均不变，怎样才能消除上述失真。,解：（1）,AU=-(RC/RL)/rbe=-44,Ri=RB/rbe1k,Ro=RC=3.3k,（2）不能。因为现在同时出现饱和失真和截止失真。改变RB，只能使饱和失真或截止失真更厉害。,增大电源的值或选用小的管子,17,五、设下图所示各电路的静态工作点均合适，分别画出它们的交流等效电路，并写出Au、Ri和Ro的表达式。,解：,电压增益：,输入电阻：输出电阻：,18,1
6、9,20,Ri=？,ri2=18/62/3=2.74 k,RE=15/ri2=2.12 k,Ri=750/(rbe1+(1+50)*RE)=98 k,放大电路的增益？,R0=4.3/(rbe3+220/6.2)/51=145,21,放大电路的频率响应,一、选择正确答案填入空内。,1、对于单管共射放大电路，当f fL时，与 相位关系是。A.45 B.90 C.135 当f fH时，与 的相位关系是。A.45 B.135 C.225,C,C,2、某共射放大电路的波特图如右图所示，其增益的表达式：,22,5 场效应管放大电路,5.1 金属-氧化物-半导体场效应管（Metal-Oxide-Semico
7、nductor Field Effect Transistor,MOSFET,MOS）,*5.3 结型场效应管(Junction Field Effect Transistor,JFET）,*5.4 砷化镓金属-半导体场效应管,*5.5 各种放大器件电路性能比较,5.2 MOSFET放大电路,23,5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管,5.1.1 N沟道增强型MOSFET,5.1.5 MOSFET的主要参数,5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET,5.1.3 P沟道MOSFET,5.1.4 沟道长度调制效应,24,P沟道,耗尽型,P沟道,P沟道,（耗尽型）,场效应管的分类：,25,5.1.1 N沟道增强型MOSFET,1.结构（N沟道）,L：沟道长度,W：沟道宽度,tox：绝缘层厚度,通常 W L,26,5.1.1 N沟道增强型MOSFET,剖面图,1.结构（N沟道）,符号,漏极d:Drain,栅极g:Gate,源极s:source,27,5.1.1 N沟道增强型MOSFET,2.工作原理,（1）栅源电压vGS对沟道的控制作用,VT 称为开启电压,28,
