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1、1.电子行业中有哪几种ICT?,A.TR 系列（比如TR-518),B.HP3070,C.JET300,D.TERADYNE,E.Smart系列，等等,2.ICT 简单介绍,.ICT的概念ICT量测原理程式的编写编写测试资料的一些注意事项程式的Debug不良报表的阅读ICT误判分析硬体检测,ICT的概念,1.何谓ICT？ICT即在线测试仪（In Circuit Tester）,是一大堆高级 电表的组合。电表能测到，ICT就能测到，电表测不 到，ICT可能也测不到。2.ICT能测些什么？Open/Short,R,L,C及PN结（含二极管，三极管，Zener，IC）3.ICT与电表有何差异？ICT
2、可对旁路元件进行隔离（Guarding），而电表 不可以。所以电表测不到，ICT可能测得到。4.ICT与ATE有何差异？ICT只做静态测试，而ATE可做动态测试。即ICT对 被测机板不通电（不加Vcc/GND），而ATE则通电。,ICT量测原理,1.量测R：单个R(mode0,1):利用Vx=IsRx（欧姆定律），则 Rx=Vx/Is.信号源Is取恒流（0.1uA5mA）,量回Vx即可算 出Rx值.R/C(mode2):信号源Vs取恒压（0.2V），量回 Ix，则Rx=Vs/Ix=0.2V/Ix，算出 Rx值.,R/L(mode3,4,5):信号源取交流电压源Vs，籍 相位法辅助.|Y|Cos
3、=YRx=1/Rx,并|Y|=Ix/Vs 故：Rx=1/|Y|Cos,2.量测C/L：单个C/L（Mode0,1,2,3）：信号源取恒定 交流压源Vs Vs/Ix=Zc=1/2fCx,求得：Cx=Ix/2fVs Vs/Ix=ZL=2fLx,求得：Lx=Vs/2fIx,C/R或L/R：籍相位法辅助|Y|Sin=|Ycx|,即CxSin=Cx 求得：Cx=CxSin(Cx=Ix/2fVs)|Y|Sin=|Ycx|,即Sin/Cx=1/Cx 求得：Lx=Lx/Sin(Lx=Vs/2fIx),3.量测PN结：（D、Q、IC）信号源0-10V/3mA or 30mA可程式电压源,量PN结导通电压 4.量
4、测Open/Short：即以阻抗判定：先对待测板上所有Pin点 进行学习,R55判为Open.,5.Guarding(隔离)的实现：当Rx有旁路（R1）时，Ix=Is-I1Is,故：Vx/IsRx 此时取A点电位Va,送至C点，令 Vc=Va,则：I1=(Va-Vc)/R1=0,Is=Ix 从而：Vx/Is=Rx,程式的编写,1.在T测试下，设定P“测试参数”2.在E编辑下，编写程式：步骤 零件名称 实际值 位置 高点 低点 隔点1 2 3 4 5 删略 量测值 标准值 上限%下限%延迟 信号 类别 重测 中停 补偿值 偏差%。1 R3 47K A1 21 101 0 0 0 0 0 0 47
5、K 10 10 0 0 0 00 00 2 C22 100n D2 7 52 0 0 00 00 100n 30 30 0 0 0 00 00,3 L1 22u B2 1 87 0 0 0 0 0 0 22u 30 30 0 0 0 0 0 0 0 4 D5 0.7V C1 16 19 0 0 0 0 0 0 0.7V 20 20 0 0 0 0 0 0 0.,1.进入L学习,做Short Group学习.若有IC，还 需做IC Clamping Diode学习。2.在主画面在下测试，检验程式及开始Debug。,编写测试资料的一些注意事项,1、原则一：Stand_V与Actual _V相同（限
6、于R,L,C）,万不得已时才考虑修改。2、原则二：量测值精确而真实，越接近Actual_V（主要指R,L,C及齐纳电压等）越好，即Dev%越小越好（大好数应在+/-3%以内）3、原则三：量测值越稳定越好，按F8看测量值小数点前后的跳动情况，或按F9，F10看统计分布图。4、原则四：省时，即省去多余延时或通过改用其它模式，设置隔离点等以达到省时目的，其前提是须保证测量值精确而真实，稳定。5、在测试资料档侦错前，必需先进行短路点学习，因为使用自动寻找隔离等以达到省时目的，其前提是须保证测量精确而真实，稳定。,6、特大电容在Open/Short学习时，可能会学成Short，而大电感则反之。7、隔离点
7、的选择，通过按F7或ALT+F7，或者加适当延时等修改后再按F7或ALT+F7由系统自动完成，绝大多数可达到效果，经验表明，隔离点太多，测量值可能不稳定，一般选择0-2个隔离点可以满足要求，并且隔离点的选择一般仅隔离一面，如果按F7或ALT+F7后，系统选择的隔离点太多，则要重新作自动隔离，以找到一种隔离点较少且测量效果最好的方案。8、一般而言，以电流源当信号源测试的R是以相接元件较少的一端作为高点，而以电压源信号测试的C,L,R/C,R/L则以相接元件较少的一端作为低点，按ALT+F7可作自动选择隔离点而不互换高低点。9、尽量使用重测功能，而少用平均值功能，以缩短测试时间。（本厂暂无平均值功
8、能）10、对于不稳定的步骤，考虑设RPT为5/D。,11、有加重测功能的步骤，其测试值是分布在上限边缘或是在下限边缘的则不必去修改。因为测试值若是在良品范围之外，系统会自动进行重测（边疆的重测亦会起到延时的效果）。而延迟时间加得太长，会影响到测试时间。12、关于“-1”的使用场合：+/-Lm%可设为“-1”，以忽略其限制，经验表明，以下几种情况不提倡使用“-1”。1）小电阻（如1.0-20HM），-Lm%勿取-1（0电阻除 外），要确保能测出边锡短路；因过小的电阻一般在Open/Short测试时，无法检出连锡。2）DIODE反向压降测试，+Lm%勿取-1，因探针接触不佳开路时，电压降更大；3）
9、电容极性测试，-Lm%勿取-1，因探针接触不佳开关路 时，电流会更小。虽然因探针接触不佳开路时，DIODE的正向测试或电容 容值会FAIL，但RETRY时仅就不良步骤进行再测试。,13、对于无法准确测试的情形，比如：大电阻并联大电容，过小的小电容等，可考虑修改Stand_V/-Lm%而保留测试，无论如何，不要采取删略（Skip）的下策，虽然有时这颗元件既便漏件也不可测，但并不表示错成其它任何元件都不可测。14、据时间常数t=RC，且系统对大电阻提供的电流源会比小电阻小，故在整个网络中，大电阴须延时的机会会比小电阻多，过大电阻，按F7学习后，如得到的测量值不甚接近实际值或者不稳定，则可设DIY为
10、10或以上，再按F7学习，如果延时须要太久，可考虑采用HIGH SPEED MODE R/C。15、在线路图和零件表上没有列出感值的电感，可以按下F8键，以所量到的电感值当做标准值。对于感值在mH级以上的电感（包括变压器，继电器等线图），均补增R模式测试，且延时必须为10以上，亦考虑设RPT为5或D，使其呈现为较小电阻（此为防范选错针号，以及更确保测出内部开路的必要步骤）。,16、选择低频（MODE1）测试小电感时，同小电阻类似，量测值受探针接触电阻影响较大，可将上限适当放宽至30以上。17、关于电容极性测试，一般可按如下方法试之：设ACT_V为510V，（初设9V，试之不佳，在考虑将其改为5
11、V等）MODE为6（20mA（一般电流越大越好）STD_V为（此设定以可完全准确测出插反为准，可更大些）HI-PIN为电容阳极 LO-PIN为电容阴极-LM%可设至60-90。18、作为旁路的小电容，一般上限允许较大误差，确保最低值满足要求即可。精度要求非常高的电容另虑。,19、对于100pF以下的小电容，如果不稳定，上限可宽40-80。20、对于3nF以下的小电容，按F7学习失败，可尝试在offset设定200，500，2000等等，再按F7学习，最好先去除offset，再按如前所述试之。21、大电容有时会遭误判，可以将该大电容的高低点互换试之。对于40uF以上的电容按F7学习采用MODE4
12、测试，如果测量值不接近实际值，可将MODE换为8再试。因大电流充电，其充电曲线较陡。22、所有二极体均采用正、反向双步骤测试，以更确保测出插反或错件，乃至元件不良。具体方法：按CTRL+ENTER插入一步骤后，分别将Stand_V设置为9.9V，MODE为1，PRT为5/D。如并联大电容，则要足够延时，再按F8的Meas_V，然后以Meac_V修改Stand_V，设+/-Lm%为20-30（不提倡使用-1）。,程式的Debug,编写好的程式在实测时，因测试信号的选 择，或被测元件线路影响，有些Step会Fail（即量测值超出%限），必须经过Debug。,R：在E编辑下，ALT-X查串联元件，A
13、LT-P查 并联元件。据此选好“信号”（Mode）和串联 最少元件的Hi-P/Lo-P，并ALT-F7选择 Guarding Pin。R/C：Mode2及Dly加大（参考：T=5RC）R/D（or IC、Q）：Mode1 R/R：Std-V取并联阻值 R/L：Mode3、4、5，根据Zl=2fL，故L一 定时，若f越高，则Zl越大，则对R影响 越小,C：在编缉下一般根据电容值大小，选择相应的 Mode。如小电容（pF级），可选高频信号（Mode2、3），大电容（nF级）可选低频信 号（Mode0、1），然后ALT-F7选择隔离。3uF以上大电容，可以Mode4、8直流测试。C/C：Std-V取
14、并联容值 C/R：Mode5、6、7，由Zc=1/2fC,故C一定 时，f越高，Zc越小，则R的影响越小。C/L：Mode5、6、7，并且f越高效果越好。,L：F8测试，选择Mode0、1、2中测试值最接近 Std-V，然后Offset修正至准确。L/R：Mode 5、6、7。,PN结：F7自动调整，一般PN正向0.7V（Si），反向（2V以上）。D/C：Mode1及加Delay。D/D（正向）：除正向导通测试，还须测 反向截止（2V以上）以 免D反插时误判。Zener：Nat-V选不低于Zener崩溃电压，若仍无法测出崩溃电压，可选 Mode1（30mA），另外10-48V zener管，可
15、以HV模式测试。,Q：be、bc之PN结电压两步测试可判断Q之类型（PNP or NPN），Hi-P一样（NPN），Lo-P一 样（PNP），并可Debug ce饱和电压(0.2V以 下)，注意Nat-V为be偏置电压,越大Q越易进入 饱和，但须做ce反向判断(须为截止0.2V以上)，否则应调小Nat-V。,不良报表的阅读,A B C D E,以H0代有上限值（标准值，L0代表下限值）：L1表示：量测值介于L0与L0-（H0-L0）10%之间L2表示：量测值介于L1与L0-（H0-L0）20%之间VL表示：量测值低于L2H1表示：量测值介于H0与H0+（H0-L0）10%之间H2表示：量测值介
16、于H1与H0+（H0-L0）20%之间VH表示：量测值高于H2,不良记录：*Open Fail*（48）（45 48）表示48点与短路组（45 48）断开，可能是探针未接触到PCB焊盘，或板 上有断路。*Short Fail*（20）（23）表示20点与23点短路（R5），可能是板上有锡渣造成Short，装错零件造 成Short，零件脚过长造成Short等。,*Component Fail*1R3 M-V：52.06K，Dev：+10.7%，Act-V=47K，Std-V=47K，Loc:A1，Hi-P=21 L0-P=101+LM：+10%-LM：-10%表示：R3偏差+10.7%，可能为零
17、件变值，或 接触不良。若偏差+999.9%或很大，可 能为缺件、错件超出标准值所在量程上 限，（47K在30K300K量程内）；若 偏差0.00%或很小，可能为短路，错件 超出其标准值所在量程下限。,ICT误判分析,ICT无法测试部分：记忆体IC（EPROM、SRAM、DRAM）并联大10倍以上大电容的小电容 并联小20倍以上小电阻的大电阻 单端点之线路断线 D/L，D无法量测 IC之功能测试,2.PCB之测点或过孔绿油未打开，或PCB吃锡不 好。3.压床压入量不足。探针压入量应以1/2-2/3为佳。4经过免洗制程的PCB板上松香致探针接触不良。5PCB板定位柱松动，造成探针触位偏离焊盘。6治具探针不良损坏。7.零件厂牌变化（可放宽+-%，IC可重新 Learning）。8.治具未Debug好（再进行Debug）。9.ICT本身故障。,硬体检测,11.开关板：诊断（D）-切换电路板（B）-系 统自我诊断（S）-切换电路板诊断（S）。若有B*C*表示SWB有Fail，请记录并 通知TRI。C*有可能为治具针点有 Short造成。,12.系统自我检测：诊断（D）-硬体诊断（S）-系统自我检测（S）有R、D项Fail可能为DC板故障。有C、L项Fail可能AC板Fail。有Power 项Fail可能Power板Fail。,
