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1,摻 質 材 料,3,Electronic Materials,電子材料,2,圖3.1(a)完全鍵結的矽，(b)摻入硼成為p-Si，(c)摻入砷成為n-Si,3,圖3.2磊晶在CMOS的例子,4,圖3.3磊晶晶片,5,6,7,8,圖3.4三種形式的擴散源,9,(續)圖3.4三種形式的擴散源,10,圖3.5各種摻質在矽中的固態溶解度,11,12,圖3.6離子植入機的概略圖(德州大學之400 KeV機器),13,圖3.7三氟化硼解離後的譜圖,14,圖3.8(a)退火(anneal)後使矽晶再結晶,15,(續)圖3.8(b)退火後硼植入的濃度側繪圖,16,17,圖3.9通道效應,18,圖3.10(a)西貝克效應，(b)皮爾第效應,19,圖3.11質流控制器(a)概略結構圖，(b)測溫電路,20,圖3.12氣體儲櫃的外觀,21,22,圖3.13氣體連鎖系統,23,24,25,圖3.14電子簇射器,26,圖3.15斜角研磨,27,圖3.16電容電壓圖,28,圖3.17(a)傳統的MOS電容，(b)壕溝電容,
