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1、实验一 存储器读写实验,一、实验目的1、复习相关汇编程序及其调试2、熟悉掌握对RAM的操作,二、预备知识1、SRAM6116引脚读写操作2、SRAM 3、常用调试命令,1.HM6116,它是2K*8位的高速静态CMOS随机存取存储器,其基本特征是:（1）高速度-存取时间为100ns/120ns/150ns/200ns(分别以6116-10、6116-12、6116-15、6116-20为标志)。（2）低功耗运行时间为150mW,空载时为mW。（3）与TTL兼容。,1.HM6116,（4）管脚收出与标准的2K*8b的芯片（例如，2716芯片兼容）。（5）完全静态无须时钟脉冲与定时选通脉冲。（6）
2、HM6116有11条地址线、8条数据线、1条电源线、1条接地线GND和3条控制线片选信号/CE、写允许信号/WE和输出允许信号/OE。,A10A0（address inputs）：地址线，可寻址2KB的存储空间。D7D0（data bus）：数据线，双向，三态。/OE（output enable）：读出允许信号，输入，低电平有效。/WE（write enable）：写允许信号，输入，低电平有效。/CE（chip enable）：片选信号，输入，低电平有效。VCC：5V工作电压。GND：信号地。,6116的操作方式,6116的操作方式由/WE、/OE、/CE 的共同作用决定 写入：当/WE和/C
3、E 为低电平时，数据输入缓冲器打开，数据由数据线D7D0写入被选中的存储单元。读出：/OE当 和/CE 为低电平，且/WE为高电平时，数据输出缓冲器选通，被选中单元的数据送到数据线D7D0上。保持：当/CE为高电平、/OE 和/WE为任意时，芯片未被选中，处于保持状态，数据线呈现高阻状态。,动态调试工具DEBUG 的常用命令,1.U命令(反汇编)2.G命令(执行)3.T命令(跟踪执行)4.D命令(显示内存)5.R命令(修改寄存器),三、实验内容,1、将字符A-Z逐个存入RAM中，然后再将这些内容读出来显示在实验箱的屏幕上。2、用一片6116作为内存扩展，向8000H：0H至8000H：100H
4、单元的偶地址单元送入0AAH（扩充）,1、将字符A-Z逐个存入RAM中，然后再将这些内容读出来显示在实验箱的屏幕上。,CODE SEGMENTASSUME CS:CODESTART:JMP START_DAT DB 26 DUP(?)CHAR DB ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ,RAMDUXIE.ASM,START_:MOV AX,CSADD AX,10HMOV DS,AXLEA BX,CHARMOV CX,26MOV SI,BXLEA BX,DATMOV DI,0,WRITE:LODSBMOV BYTE PTR BXDI,ALINC DILOOP WRITEMOV C
5、X,26LEA BX,DATMOV SI,BX,READ:LODSBCALL SHOWNOPNOPNOPLOOP READJMP$,BUSY PROC PUSH DX PUSH AXBUSY1:MOV DX,84H IN AL,DX AND AL,80H JNZ BUSY1 POP AX POP DX RETBUSY ENDP,SHOW PROC NEARPUSH DXPUSH AXCALL BUSYMOV DX,88HOUT DX,ALPOP AXPOP DXRETSHOW ENDPCODE ENDSEND START,实验现象：屏幕将显示26个大写的英文字母。思考题：按信息的存储方式，RA
6、M分为哪几类，6116属于哪一类？,2、用一片6116作为内存扩展，向8000H：0H至8000H：100H单元的偶地址单元送入0AAH（扩充）,实验线路连接：（1）本实验用到的主要模块：6116模块、地址及数据总线单元等；（2）数据线接系统数据总线输出单元任意一插座；（3）地址接地址总线输出单元的A0A7。,实验程序与流程图,CODE SEGMENTASSUME CS:CODESTART:MOV CX,50HMOV DI,0MOV AX,8000HMOV DS,AXMOV ES,AX,WRITE:MOV AL,0AAHSTOSBMOV AL,55HSTOSBLOOP WRITEMOV CX,50HMOV SI,0000H,READ:LODSWCMP AX,55AAHJNZ NOT_RIGHTLOOP READMOV AL,RMOV DX,88HOUT DX,ALJMP$,NOT_RIGHT:MOV AL,EMOV DX,88HOUT DX,ALJMP$,实验现象：如果存储器没有错误，将显示字符R，否则，显示字符E。思考题：RAM和ROM有什么区别？掉电后，两种存储器的内容有什么变化？,
