电磁场理论的基本概念.ppt

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1、,一.问题的提出,对稳恒电流,对S1面,对S2面,矛盾,稳恒磁场的安培环路定理已不适用于非稳恒电流的电路,14-1 位移电流 全电流定理,变化磁场,产生涡旋电场,变化电场,产生磁场,?,电位移通量(p82,p85),二.位移电流假设,非稳恒电路中,在传导电流中断处必发生电荷分布的变化,极板上电荷时间的变化率等于传导电流,电荷分布的变化必引起电场的变化,电位移通量的变化率也等于传导电流强度,位移电流(麦克斯维认为就产生磁场方面而言,变化的电场与一电流等效。即位移电流),一般情况位移电流,麦克斯韦(1831-1879)英国物理学家.经典电磁理论的奠基人,气体动理论创始人之一,1865 年麦克斯韦在

2、总结前人工作的基础 上,提出完整的电磁场理论,他的主要贡献是提出了“有旋电场”和“位移电流”两个假设,从而预言了电磁波的存在,并计算出电磁波的速度(即光速).,1888 年赫兹的实验证实了他的预言,麦克斯韦理论奠定了经典电磁学的基础,为无线电技术和现代电子通讯技术发展开辟了广阔前景.,(真空中),卡文迪许实验室,卡文迪许实验室是英国剑桥大学的物理实验室。到现在以有二十余位位科学家从卡文迪许实验室出身而诺贝尔奖获,位移电流与传导电流连接起来恰好构成连续的闭合电流,麦克斯韦提出全电流的概念,在普遍情形下,全电流在空间永远是连续不中断的,并且构成闭合回路,麦克斯韦将安培环路定理推广如下:,位移电流

3、密度,上式即为 全电流安培环路定理,麦克斯韦将安培环路定理推广,(1)若传导电流为零,上式即为:变化电场产生磁场的数学表达式,三.位移电流、传导电流的比较,1.位移电流具有磁效应,与传导电流相同,2.位移电流与传导电流不同之处,(1)产生机理不同,(2)存在条件不同,位移电流可以存在于真空中、导体中、介质中,3.位移电流没有热效应,传导电流产生焦耳热,例题:平行板电容器,半径为R,用长直电流给它充电,使极板间电场变化率为,求:距极板中心为 r 远处的磁感强度.,解:由场的对称性知,场线为一系列同心圆,在半径为 r 的园周上,H 相等,由全电流定律,因为传导电流为零,所以:,(1)当rR,有:,

4、(2)当rR,有:,因为:,(3)讨论:B线为一些同心园;Br曲线如右图:位移电流密度大小为:,因为:,例,设平行板电容器极板为圆板,半径为R,两极板间距为d,用缓变电流 IC 对电容器充电,解,任一时刻极板间的电场,极板间任一点的位移电流密度:,求 P1,P2 点处的磁感应强度,由全电流安培环路定理,142 麦克斯韦方程的积分形式,一)麦克斯韦电磁理论要点,1)除静止的电荷要产生无旋电场外,变化的磁场将要 激发一个涡旋的电场;,2)变化的电场和传导电流一样也要激发涡旋的磁场;,3)变化的电场和变化的磁场,它们相互激发、相互依存,实为一个整体,组成统一的电磁场。,二)麦克斯韦方程的积分形式,麦

5、克斯韦方程组是从电磁现象的试验定律加以总结和推广而得的,这些定律是:法拉第电磁感应定律;安培环路定律;静电场中和静磁场中的高斯定律。,静 场,变化的场,总场,法拉第电磁感应定律,(1)法拉第电磁感应定律的推广,电场的环路定理,物理意义:静电场是保守场,变化磁场可以激发涡旋电场,(2)全电流安培环路定理,物理意义:传导电流和(位移电流)变化电场可以激发涡旋磁场,安培环路全电流定理,静磁场,变化的磁场,总场,(Hd 为 Id 产生的涡旋磁场),左旋,右旋,对 称 美,涡旋电场和位移电流产生的磁场的方向判定,静电场,变化的电场,总场,电场的高斯定律,(3)电场的高斯定理,物理意义:静电场是有源场、感

6、应电场是涡旋场,(4)磁场的高斯定理,物理意义:传导电流、位移电流产生的磁场都是无源场,磁场的高斯定律,静磁场,变化的磁场,总场,1.电场的高斯定理,2.磁场的高斯定理,物理意义:静电场是有源场、感应电场是涡旋场,物理意义:传导电流、位移电流产生的磁场都是无源场,三:麦克斯韦方程组的积分形式总结,电场的环路定理,3.法拉第电磁感应定律,4.全电流安培环路定理,物理意义:静电场是保守场,变化磁场可以激发涡旋电场,物理意义:传导电流和变化电场可以激发涡旋磁场,Maxwell方程的科学价值,1)它完整地反映和概括了电磁场的运动规律,能推断和解释一切电磁现象,且逻辑体系严密,数学形式简洁。,2)它预言

7、了光的电磁本性,将光学和电磁学统一起来。,3)电磁场是最简单的规范场,蕴藏着完美的对称结构-时空对称、电磁对称-为相对论的产生提供了邹形。,4)它在技术上的应用促进了电子技术和生产力的高度发展,可以说近代一切电报、无线电、雷达、电视、电子计算机等都只不过是麦克斯韦方程的应用而已.,麦克斯韦电磁场理论是物理学上一次重大的突破,预言了电磁波的存在。,爱因斯坦在一次纪念麦克斯韦的诞辰时所说:“这是牛顿以来物理学上经历的最深刻和最有成果的一次变革.”,例:半径为R,相距 l(lR)的圆形空气平板电容器,两端加上交变电压U=U0sint,求电容器极板间的:,(1)位移电流;,(2)位移电流密度 Jd 的大小;,(3)位移电流激发的磁场分布B(r),r 为圆板的中心距离.,解:(1)由于l R,故平板间可作匀强电场处理,根据位移电流的定义:,(2)由位移电流密度的定义,或者:,U=U0sint,(3)因为电容器内I=0,且磁场分布应具有轴对称性,由全电流定律得:,

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