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镀膜机（高真空多靶磁控溅射）技术要求设备数量：1台；设备要求：1、真空腔室：350mmH350mm,304优质不锈钢前开门真空腔室；2、真空系统：复合分子泵+直联旋片泵+高真空气/电动阀门高真空系统，数显复合真空计；?、真空指标；极限真空优于6.6XlO-Spa（设备空载抽真空24小时）；设备升压率W0.8Pah;4、抽速：空载从大气抽至5.0X10-3paW15min;5、基片台基片台尺寸：120mm范围内可装卡各种规格基片；衬底加热：室温500C,PID智能控温；基片旋转：0-20转/分钟，可调可控；6、溅射靶及电源：2英寸磁控靶，3只；间接水冷式，可两靶共焦溅射；每靶兼容直流/射频电源溅射；7、射频电源：500W,3台；8、工作模式：可以采用单靶独立、多靶轮流、组合共溅射工作模式，向心溅射;9、膜厚不均匀性W5%（基片台中75mm范围内）；10、控制方式PLC+触摸屏控制方式；11、报警及保护对泵、靶、电极等缺水、过流过压、断路等异常情况进行报警并执行相应保护措施；完善的逻辑程序互锁保护系统；1、冷却循环水机；2、空气压缩机；
