《GB_T 15651.5-2024 半导体器件 第5-5部分：光电子器件 光电耦合器.docx》由会员分享，可在线阅读，更多相关《GB_T 15651.5-2024 半导体器件 第5-5部分：光电子器件 光电耦合器.docx（10页珍藏版）》请在三一办公上搜索。
1、ICS31.080CCS1.50GB中华人民共和国国家标准GB/T15651.52024/IEC60747-5-5：2020半导体器件第55部分:光电子器件光电耦合器SemiconductordevicesPart5-5：OptoelectronicdevicesPhotocouplers(IEC60747-5-5：2020,IDT)2024-07-01实施2024-03-15发布国家市场监督管理总局*广国家标准化管理委员会发布半导体器件第5-5部分：光电子器件光电耦合器1范国本文件规定了光电耦合那的基本额定值、特性、安全试验及测试方法.2规范性引用文件下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构
2、成本文件必不可少的条款.其中注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件.GB/T24212020环境试蛉槌述和指南(IEC60068-1：2013JDT)GB4943.1-2022音视频、信息技术和通信技术设备第1部分：安全要求(1EC6236812018.MOD)注：GB4943.12022被51用的内容与IEC62368-1:2018Hl用的内容没有按术上的差$9.GB/T16935.1-2023低压系统内设备的绝缘配合第1部分:原理、要求和试版0EC6066412020.IDT)IEC60068-2-1环境试验第2部分
3、：试蛤方法试版A:低温(EnVirOnmentaIteSting-Part2-1:Tests-TestA:Cold)IEC60068-2-2环境试验第2部分：试验方法试验B:高温(EnVirOnmentaIteSting-Pa1122Tests-TestB:Dryheat)IEC60068-2-6环境试版第2部分：试脸方法试版Fc:振动(正弦NEnvironmentaItesting一Part2-6:TestsTestFc：Vibration(sinusoidal)IEC60068-2-14环境试验第2部分：试验方法试验N：温度变化(Environmentaltesting-Part2-14:
4、Tests-TestN:Changeoftemperature)正C60068-2-17环境试验第2部分：试验方法试验Q：密封(Basicenvironmentaltestingpro-ceduresPart2-17：Tests-TestQ:Sealing)IEC60068-2-20环境试版第220部分：试始方法试版T：具有引出端的器件的耐焊接热以及可焊性试验方法(EnVirOnmentalteStingPart2-20：TestsTestT：TeStmethOdSforSOlderabiiityandresistancetosolderingheatofdeviceswithleads)IE
5、C60068-2-27环境试吃第2部分：试脸方法试验Ea和导则：冲击(EnVirOnmentaltestingPart2-27:Tests-TestEaandguidance：Shock)IEC60068-2-30电工电子产品环境试的第2部分:试验方法试验Db交变湿热(12h+12h循环)(EnVirOnmentalteSting-Part2-30:TeStSTestDb:Dampheat.CydiC(12h+12hcycle)IEC60068-2-58环境试脸第258部分试蛇方法试较Td：表面蛆装元器件可焊住、金园化层耐溶蚀性和耐焊接热的试脸方法EnvironmentaltestingPar
6、t2-S8：TestsTestTd:Testmethodsforsolderability,resistancetodissolutionOfmetallizationandtosolderingheatofsurfacemountingdevices(SMD)IEC60068-2-78环境试验第2部分：试验方法试骐Cab：恒定湿热试验(EnVirOnmentaItes-tingPart2-78:TestsTestCab：Dampheat,steadystate)IEC60112固体绝缘材料尼电痕化指数和相比电痕化指数的测定方法(Methodforthedetermi-nationofthep
7、roofandthecomparativetrackingindicesOfsolidinsulatingmaterials)IEC60216-1电气绝缘材料耐热性第1部分：老化程序和试结果的评定旧e2,0V),共模电压(VCM)的接大转换率.H)ICM1.I是在光电箱合港的输出保持在规定的低电平例如V0.8V),共模电压(VCM)的圾大转涣率.7Y,rnCraa27共模脉冲（VCG和光电蜡合器输出V。的典型波形f）规定条件D输入正向电流Ir.2）环境温度工加3）电源供给电压G,.4）输出负载组抗R,.5）共根脉冲电压IVmI的厥宽和振幅.6） ft电平电压Vg.VcisZ,低电平电压V,Vc
8、ie”.7）适用时,大气条件.最大共模脓中转换率dVa/dt可用ICMHl,ICM1.I,ICMTll等符号来表示.7光控双向闸流晶体管型塔合器的电IK定值的测试方法7） 1关断状态重复H值电压VgM关断状态正爰峰值电压的测试方法包括以下内容：a）目的在规定条件下，当施加规定的王复峰值过电压，验证该器件能正常工作.b）电路图卷考图14.c）测试步整1）直流法在输出迷之间施加亘流电压，其值等于规定的圣发峥值关断状态电压，然后确认好值关断状态电流小于规定值.在输出端子（1.T,）之间施加反吸性电压/电流，再次进行测试.2）交流法在输出前子之间，施加工防半波整流交流电压，且其峥值等于规定的亚复峰值关
9、断状态电压.然后确认蜂消关断状态电流小于规定值.在输出送子（1.、T,）之间施加反吸性电压/电流，再次进行测试.d）要求D使用两个电压极性（1.-1.和1.-1.）的方法验证而复峰值关断状态电压.2）在白流法的情况下，在输出端子（、TQ之间施加的有流电压的狗换率不超过关断状态电压（dVdt）上升的临界速率.若采用交流法，在锄出埔（TxT,）之间施加的正弦波电压的变化率（dVdt）不超过关断状态电压（dVdt）上升的（S界速率.e）规定条件1）测试周期或测试时间；2）峰值过电压VM3）环境温度Js7.2关断状态总流电压VM）关断状态巨流电压的测试方法包括以下内容：a）目的在规定的条件下，题加规定
10、的后流关断状态电压时，该器件能正常工作.b）电路图叁考图18.c）测试步图在输出送之间施加规定的直流关断状态电压，然后确认直流关断状卷电流小于规定值.交换他加于输出姚（T|、TJ之间的电压/电流极性，再次测试，得到反向直流关断状态电流.d）要求使用两个电压板性（1.-）和1.-T力的方法验证直流关断状态电压.施加于输出端子（、T,）之间亘流电压转换率不超过关断状有电压的临界上升速率（dVdt）.e）规定条件D测试时间；2）百流过电流ll0;3）环境温度Tf附录A（规范性）输入/输出安全试验A.1目的在超过耗散功率或温度的极限下，检验光电耦合器的内部安全性.A.2测试电路A.3电路描述1.输入电
11、流;I3-俺出电流.G1电波发生器；Gi一电压发生器；DUT一被测器件；A电流表；A.4注意事项不应超过故障条件下的限值.A.5测试步骤测试步骤见图A.1.对器件施加规定的输入和（或）输出电流，试验不中断.A.6规定条件一输入电流或输入功率跷散；一输出电流或给出功率耗散；一环境温度.参考文献(1 GBT7354-2018电压试验技术局部放电测量(2 GB/T15651.2-2003半导体分立器件和集成电路第5-2部分：光电子器件基本SS定值和特住(3 GBT15651.3-2003半导体分立器件和集成电路第5-3部分：光电子器件那试方法(4 IEC60065Audio.Videoandsimilarelectronicapparatus-Safetyrequirements
