半导体物理课件

1、微电子学概论,第二章半导体物理与器件,半导体物理学刘恩科等著国防工业出版社半导体物理学叶良修高等教育出版社半导体物理与器件,第版,美,著,赵毅强等译半导体器件物理与工艺,美,施敏,著,王阳元等译,导论半导体及其基本特性半导体中的载流子半导体。

2、第2章半导体中杂质和缺陷能级,要求,掌握锗,硅晶体中的杂质能级,族化合物半导体的杂质能级,理解点缺陷,实际半导体晶体,理想半导体晶体,在平衡位置附近振动,原子静止在格点位置上,纯净的,含有杂质,晶格结构完整无缺,存在着各种缺陷,实际晶体与理。

3、,第一章 太阳能电池的工作原理和基本特性 之半导体物理基础,1半导体的性质,世界上的物体如果以导电的性能来区分，有的容易导电，有的不容易导电。容易导电的称为导体，如金银铜铝铅锡等各种金属；不容易导电的物体称为绝缘体，常见的有玻璃橡胶塑料石英。

4、拟祖竖精熏潘幌澡匪穷锄迭肤帛灵凄点瞬赡即构痊自恤熟号干颜脾辱映帅届河北正定中学12月4日高考备考策略物理课件120pp届河北正定中学12月4日高考备考策略物理课件120pp,乞甲绣错得穷舰字脖密谋落耀绍显讥怯偏憾缠怂癸癣冈剥算胎婆控蹄次辟届。

5、第二章 光电检测器件工作原理及特性,第二章 光电检测器件工作原理及特性,半导体物理基础 光电检测器件的物理基础 光电检测器件的特性参数,一半导体的特性,半导体的导电能力在不同的条件下有显著的差异。,21 半导体物理基础,物质按导电能力可分为。

6、第2章 半导体中杂质和缺陷能级,第2章 半导体中杂质和缺陷能级,2.1硅锗晶体中的杂质能级,实际晶体与理想晶体的区别原子并非在格点上固定不动，在平衡位置附近振动并不纯净，杂质的存在缺陷点缺陷空位，间隙原子线缺陷位错面缺陷层错，晶粒间界,2.。

7、第六章 pn结,本章主要内容,6.1 pn结及其能带图； 6.2 pn结电流电压特性； 6.3 pn结电容； 6.4 pn结击穿特性； 6.5 pn隧道特性；,Pn相关器件认识,二极管,整流桥,主要面向计算机主板硬盘驱动器手机充电器紧急照明。

8、第五章电荷输运现象,在电场和磁场作用下，半导体中电子和空穴的运动引起各种电荷输运现象，主要包括电导霍尔效应和磁阻。 这些现象是研究半导体基本特性和内部机构的重要方面。通过电导和霍尔效应的测量，可以确定半导体中载流子浓度迁移率和杂质电离能等基。

9、半导体物理SEMICONDUCTORPHYSICS,西安电子科技大学微电子学院,第四章半导体中载流子的输运现象,4,1载流子的漂移运动与迁移率4,2半导体中的主要散射机构迁移率与平均自由时间的关系4,3半导体的迁移率,电阻率与杂质浓度和温度。

10、半导体物理与器件Semiconductor Physics andDevices,陕西科技大学物理教研室管志花201020112,课程简介课本：Neamen 美，赵毅强译,半导体物理与器件参考书:1.Charles Kittel,固体物理导。

11、常用半导体的能带结构,庞智勇山东大学物理学院本幻灯片参照刘恩科等所编著教材半导体物理学编写,半导体物理 Semiconductor Physics,硅和锗的导带结构,硅导带极小值在k空间方向，能谷通常把导带极小值附近的能带形象地称为能谷中心。

12、第六章 pn结,本章主要内容,6.1 pn结及其能带图； 6.2 pn结电流电压特性； 6.3 pn结电容； 6.4 pn结击穿特性； 6.5 pn隧道特性；,Pn相关器件认识,二极管,整流桥,主要面向计算机主板硬盘驱动器手机充电器紧急照明。

13、第六章 pn结,6.1 pn结及其能带图 6.2 pn结电流电压特性6.3 pn结电容6.4 pn结击穿6.5 pn结隧道效应,6.1 pn结及其能带图,冶金结P区和n区的交界面突变结线性缓变结超突变结突变结均匀分布，交界处突变,6.1 p。

14、半导体物理SEMICONDUCTORPHYSICS,西安电子科技大学微电子学院,3,1导带电子浓度与价带空穴浓度3,2本征载流子浓度与本征费米能级3,3杂质半导体的载流子浓度3,4简并半导体及其载流子浓度3,5非平衡载流子的产生与复合准费米。

15、迁移率与杂质浓度和温度的关系,庞智勇山东大学物理学院本幻灯片参照刘恩科等所编著教材半导体物理学编写,半导体物理 Semiconductor Physics,本节采用简单的模型来讨论电导率迁移率和散射几率的关系，进而讨论它们与杂质浓度和温度的。

16、.,第二章 太阳能电池原理,2.1 半导体物理基础 2.2 太阳电池物理基础,.,2.1 半导体物理基础,2.1.1半导体的能带结构,1原子的能级和晶体的能带,制造半导体器件所用的材料大多是单晶体。单晶体是由靠得很紧密的原子周期性重复排列而。

17、第8章半导体表面和MIS结构,本章重点,表面态概念表面电场效应MIS结构电容,电压特性硅,二氧化硅系统性质,8,1表面态,理想表面,表面层中原子排列的对称性与体内原子完全相同,且表面不附着任何原子或分子的半无限晶体表面,在半导体表面,晶格不。

18、第一章太阳能电池的工作原理和基本特性之半导体物理基础,1,半导体的性质,世界上的物体如果以导电的性能来区分,有的容易导电,有的不容易导电,容易导电的称为导体,如金,银,铜,铝,铅,锡等各种金属,不容易导电的物体称为绝缘体,常见的有玻璃,橡胶。

19、半导体物理学,主讲人：代国章 物理楼110室，13786187882Email:gzdai2019csu.edu,课程代码：14010022课程性质：专业课程选修课 学分：3.0时间：周二7, 8单周周三1, 2教室：D座103课程特点：内。

20、半导体物理基础,第一章半导体的一般特性,导体,绝缘体和半导体能带,电导率,介于导体与绝缘体之间,导体,绝缘体,半导体,与温度,光照,湿度等密切相关,半导体材料种类,元素,化合物,合金,指两种或多种金属混合,形成某种化合物,晶体结构,金刚石结。