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1、变压器介损及电容量测试,1 试验目的 介质损耗角正切值又称介质损耗因数或简称介损，它是在交流电压作用下，电介质中的电流有功分量与无功分量的比值，是一个无量纲的数。它反映电介质内单位体积中能量损耗的大小，它与电介质的体积尺寸大小无关。测量介质损耗因数是一项灵敏度很高的试验项目，它可以发现电力设备绝缘整体受潮、劣化变质以及小体积被试设备贯通和未贯通的局部缺陷。,变压器介损及电容量测试,1 试验目的 某台变压器的套管，正常tan值为0.5%，而当受潮后tan值为3.5%，两个数据相差7倍；而用测量绝缘电阻检测，受潮前后的数值相差不大。由于测量介质损耗因数对反映上述缺陷具有较高的灵敏度，所以在电工制造
2、及电力设备交接和预防性试验中都得到了广泛的应用。,变压器介损及电容量测试,2 试验的局限性 有的设备，尽管测得的总体绝缘的介损tan值很小（从总体平均来看），但是局部缺陷的损失可能很大而不能发现。,变压器介损及电容量测试,3 介损仪的种类 西林电桥（QS1、QS3型高压交流平衡电桥） M型介质试验器（2500伏介质试验器，不平衡电桥） 新型全自动抗干扰电桥（济南泛华电桥、金迪电桥、泛科电桥、康申电桥等等）,变压器介损及电容量测试,4 各种电桥的的原理 QS1电桥：调节R3、C4使电桥平衡，此时a、b两点电压相等，即R3、C4两端电压相等。,变压器介损及电容量测试,4 各种电桥的的原理 M型电桥
3、：将试品改为并联模型。注意到Ir与Icx、Icn差90度。 调节R4使Uw最小。这时IcnR4=IcxR3, Uw=IrR3，因此由于a、b间电压没有完全抵消，因此M型电桥也称为不平衡电桥。Uw测量的是绝对值，小介损时电压很低，难以保证测量精度。,变压器介损及电容量测试,4 各种电桥的的原理 数字电桥：数字电桥的测量回路还是一个桥。R3、R4两端的电压经过A/D采样送到计算机。进一步可求得试品介损和电容量。 数字电桥的最大优势在于：可以实现自动测量，可以补偿所有原理性误差，没有复杂的机械调节部件，测量以软件为主，性能十分稳定。,变压器介损及电容量测试,5 试验项目 绕组连同套管的tan和电容值
4、 电容型套管的tan和电容值,变压器介损及电容量测试,5 试验项目 绕组连同套管的tan和电容值 一次引线全部拆开 将被试绕组短接接地充分放电 被试绕组需首末端短接后加压 施加电压绕组电压10kV以上：10kV绕组电压10kV以下：Un介损仪的高压屏蔽端均悬空,变压器介损及电容量测试,5 试验项目,变压器介损及电容量测试,5 试验项目,变压器介损及电容量测试,5 试验项目 绕组连同套管的tan和电容值 不拆一次引线 将被试绕组短接接地充分放电。 被试绕组需首末端短接后加压。 施加电压绕组电压10kV以上：10kV绕组电压10kV以下：Un,变压器介损及电容量测试,5 试验项目,变压器介损及电容
5、量测试,5 试验项目,变压器介损及电容量测试,5 试验项目 电容型套管的tan和电容值 拆开套管末屏接地片（线） 与被试套管相连的所有绕组端子短接后接介损测试仪高压端，其余绕组端子均接地，套管末屏接介损测试仪，正接线测量 施加电压10kV,变压器介损及电容量测试,5 试验项目,变压器介损及电容量测试,5 试验项目 电容型套管的tan和电容值 如果电容型套管末屏对地绝缘电阻小于1000 M，应测量末屏对地的tan。 套管末屏接介损测试仪高压端，与被试套管相连的所有绕组端子短接后接介损测试仪屏蔽端，加压2kV，采用反接屏蔽法测量。,变压器介损及电容量测试,5 试验项目,变压器介损及电容量测试,6
6、试验数据分析 不同温度下的tan值一般按下式换算 式中tan1、tan2分别为温度t1、t2时的 tan值 将所测得的tan换算到同一温度，并与出厂、交接、历年数值进行比较；与同型设备、同一设备相间比较。比较结果均不应有明显差异。,变压器介损及电容量测试,7 判断标准 绕组连同套管的tan和电容值 20时tan不大于下列数值 500kV：0.6%； 110220kV：0.8%； 35kV：1.5%,变压器介损及电容量测试,7 判断标准 电容型套管的tan和电容值 20时的tan值不应大于下表数值：,变压器介损及电容量测试,7 判断标准 电容型套管的tan和电容值 电容型套管的电容值与出厂值或上一次试验值的差别超出5时，应查明原因。 套管末屏对地的介损不应大于2%。,变压器介损及电容量测试,8 影响tan的因素 试验电压的影响 良好绝缘的tan不随电压的升高而明显增加。若绝缘内部有缺陷，则其tan将随试验电压的升高而明显增加。,变压器介损及电容量测试,9 介损异常处理 检查试验接线是否正确、接触是否良好； 排除干扰影响； 将瓷套表面擦干净； 调整试验引线与试品的夹角，尽量接近90度； 采用不同试验方法。,
