第五章材料的介电性能ppt课件.ppt

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1、第五章 材料的介电性能,在外电场作用下，材料发生两种响应：电传导电感应绝缘起满足电容作用的器件,电介质基本概念电介质：在电场作用下，束缚电荷起主要作用的物质，称电介质。电介质的特征是以正负电荷重心不重合的电极化方式传递、存储或记录电的作用和影响。电介质物理研究对象：研究电介质内部束缚电荷在电场（包括电频电场和光频电场）作用下的电极化过程；阐明其电极化规律与介质结构的关系；揭示其宏观介电性质的微观机制，进而发展电介质的效用。,经典电介质科学丛书首批著作出版志贺 介质以极化为本质特征，衍生多种功能效应于一体，兼秉丰富深刻之物理内涵，前程无限。叹我介电学科，相对滞后，极化之类基本问题，仍未彻底解开。

2、更有心态浮燥，不重基础，回避难题，急功近利。诸多不足之处，吾人当自省。 姚熹院士,姚熹乃学界之领军人物，主编经典电介质科学丛书，实为胆识超群之善行义举，功德无量。切望学者诸君，乘机奋起。须知经典传世之作，乃学科之根本。从此精读经典，锤炼功底，不求捷径，迎难而行。学科大发展，势在必然中。 钟维烈 2019年4月,电介质：在电场作用下，能建立极化的一切物质。通常是指电阻率大于1010cm的一类在电场中以感应而并非传导的方式呈现其电学性能的物质。陶瓷电介质的主要应用：电子电路中的电容元件、电绝缘体、谐振器。某些具有特殊性能的材料，如：具有压电效应、铁电效应、热释电效应等特殊功能的电介质材料在电声、电

3、光等技术领域有着广泛的应用前景。电介质的主要性能：介电常数、介电损耗因子、介电强度。目前的发展方向：新型器件的研制、提高使用频率范围、扩大环境条件范围，特别是温度范围。,无机材料与有机塑料比较： 有机塑料: 便宜、易制成更精确的尺寸； 无机材料:具有优良的电性能;室温时在应力作用下，无蠕变或形变;有较大的抵抗环境变化能力（特别是在高温下，塑料常会氧化、气化或分解）;能够与金属进行气密封接而成为电子器件不可缺少的部分。,电介质：绝缘体，无自由电荷。,电介质极化特点：内部场强一般不为零。,1. 有极分子和无极分子电介质,有极分子：分子的正电荷中心与负电荷中心不重合。,负电荷中心,正电荷中心,无极分

4、子：分子的正电荷中心与负电荷中心重合如氦(He)、氢(H2)、甲烷(CH4)等。,介质极化和静态介电常数,2. 电介质的极化,（1）无极分子的位移极化,加上外电场后，在电场作用下介质分子正负电荷中心不再重合，出现分子电矩。,无外电场时，有极分子电矩取向不同，整个介质不带电。,（2）有极分子的取向极化,在外电场中有极分子的固有电矩要受到一个力矩作用，电矩方向转向和外电场方向趋于一致。,电极化强度矢量,（1） 电极化强度矢量,单位体积内分子电偶极矩的矢量和。,（2） 空间任一点总电场,总电场,外电场,束缚电荷电场,（3）电极化强度与总电场的关系,极化率,（4）极化率与相对介电常数的关系,介电常数又

5、叫介质常数，介电系数或电容率，它是表示绝缘能力特性的一个系数，以字母表示，单位为法/米(F/m)定义为电位移D和电场强度E之比，=D/。电位移D的单位是库/二次方米(Cm2)。某种电介质的介电常数与真空介电常数0之比称为该电介质的相对介电常数r ，r0是无量纲的纯数，,说明：,1.真空中 P = 0 ，真空中无电介质。,2.导体内 P = 0 ，导体内不存在电偶极子。,注意: 介质极化也有均匀极化与非均匀极化之分。,3. 电偶极子排列的有序程度反映了介质被极化的程度，排列愈有序说明极化愈烈,电介质的极化,电介质极化的微观机理（类型）,弹性位移极化（瞬时极化）,取向极化（弛豫极化）,电子位移极化

6、（Electronic Polarizability） Response is fast, is small离子位移极化（Ionic Polarizability） Response is slower,偶极子取向极化（Dipolar Polarizability） Response is still slower空间电荷极化(Space Charge Polarizability) Response is quite slow, is large,松弛极化,电子松弛极化离子松弛极化,电介质极化的微观机理（类型）,电子云位移极化的特点：a) 极化所需时间极短，在一般频率范围内，可以认为与频率无

7、关； b)具有弹性，没有能量损耗。 c)温度对电子式极化影响不大。,电子位移极化： 电场作用时，正、负电荷中心产生相对位移(电子云发生了变化而使正、负电荷中心分离的物理过程) 电子云位移极化存在于一切气体、液体及固体介质中。,另一方面，壳层电子与原子核之间的相互吸引力的作用是使正负电中心重合。就是在这二各力的作用下原子处于一种新的平衡状态。在这个新平衡状态中该原子具有一个有限大小的感应偶极矩，用Pe表示感应偶极矩的大小，Pe与电场之间的关系为：,其中e称为电子位移极化率。,利用玻尔原子模型，可具体估算出 的大小，即,结论：电子极化率的大小与原子（离子）的半径有关,离子位移极化：对于离子组成的分

8、子，在电场作用下，正负离子都要产生有限范围的位移，因而使介质产生感应偶极矩。这种感应偶极矩是正负离子之间出现相对位移的结果。主要存在于离子化合物材料中，如云母、陶瓷等。,在电场E的作用下，正负离子产生相对位移示意图,positive,negative,E,P,如果用i代表离子位移极化率；Pi代表离子位移的感应偶极矩；E代表电场强度。它们之间的关系为：,离子位移极化的特点：,a) 时间很短，在频率不太高时，可以认为与频率无关；b) 属弹性极化，能量损耗很小。c) 离子位移极化受两个相反因素的影响：温度升高时离子间的结合力降低，使极化程度增加；但离子的密度随温度升高而减小，使极化程度降低。通常，前

9、一种因素影响较大.,固有偶极矩取向极化,如果组成介质的分子具有固有偶极矩（称为有极分子），例如，水分子H2O，其中氧离子与二个氢离子不是在一条直线上，而是分布在三角形的三个顶点上。因此水分子的正负电荷中心不重合，存在固有偶极矩，如图所示。,P,当电场 E=0时，介质中各分子的固有偶极矩的取向是无规则的，所以各偶极矩的矢量和为零，介质不存在极化。当电场 E0时，在电场作用下，这些固有偶极矩将沿着电场方向排列，各偶极矩的矢量和不为零，介质产生极化。在离子位移极化和电子位移极化的情况，位移极化的产生是由于电场力与弹性力的共同作用下出现与电场方向平行的感应偶极矩。,电场力的作用是使正负电荷中心分离，准

10、弹性力的作用是使正负电荷中心重合，即准弹性力起着阻碍极化的作用。电场力与准弹性力是矛盾的两个方面。在取向极化的情况中，电场的作用是使分子的固有偶极矩转到沿电场的方向排列；而妨碍定向排列的阻力是介质中分子的热运动。,或者说，电场的作用使固有偶极矩有序化，热运动的作用使固有偶极矩无序化，电场与热运动是矛盾的两个方面。为了强调位移极化与取向极化的差别，有时也称前者为与热运动无关的极化，后者为与热运动有关的极化。取向极化与位移极化的机制不同，因此处理方法也不同。要用热运动有关的规律来解决取向极化的问题。,当电场E=0，热运动0时，介质中各分子的固有偶极矩完全无序化；电场E0，热运动=0（绝对零度）时，

11、介质中各分子的固有偶极矩完全有序化；当电场E0，热运动0时，介质中各分子的固有偶极矩的排列介于上述两种情况之间。如果E愈大或温度愈低，有序化程度就愈高；E愈小，或温度愈低，有序化程度就愈低。,有极分子的分布示意图,因为当温度不等于绝对零度 （即T0K）时，介质中各分子的热运动也不等于零，所以在一般电场作用下，介质中各分子的固有偶极矩是不能出现如图所示的完全有序化，这也表示当E=0，T0K时，各分子的固有偶极矩在电场方向上的分量各不相同,而固有偶极矩在电场方向上的分量才对介质的极化有贡献.,计算结果,可得取向极化率 orien为,式中为P0分子固有偶极矩，kB是玻尔兹曼常数，T是绝对温度。,可以

12、看出，取向极化率不同于位移极化率，取向极化率与温度有关，而位移极化率与温度无关。,偶极子取向极化的特点：a) 极化是非弹性的，消耗的电场能在复原时不可能收回。b) 形成极化所需时间较长，故与频率有较大关系，频率很高时，偶极子来不及转动，因而其减小。c) 温度对极性介质的有很大的影响。,如果介质极化时存在上述三种极化机制，其中以取向极化的贡献最大。分子中存在固有偶极矩的概念的建立，不仅可以解释一些由有极分子组成的电介质具有较大的介电常数这一事实，而且对于电介质的了解和有关的分子结构知识都是有贡献的。,根据弱联系离子在有效电场作用下的运动，以及对弱离子运动位垒计算，可以得到离子热弛豫极化率的大小为

13、： 式中：q为离子荷电量，为弱联系离子在电场作用下的迁移。由式可见，温度越高，热运动对质点的规则运动阻碍增强，极化率减小。离子松弛极化率比电子位移极化率大一个数量级，可导致材料大的介电常数。,松驰极化的特点：松驰极化的带电质点在热运动时移动的距离可以有分子大小，甚至更大。松驰极化中质点需要克服一定的势垒才能移动，因此这种极化建立的时间较长（可达10-210-9秒）,并且需要吸收一定的能量，所以这种极化是一种不可逆的过程。松驰极化多发生在晶体缺陷处或玻璃体内。,空间电荷极化的特点： 时间较长； 属非弹性极化，有能量损耗； 随温度的升高而下降； 主要存在于直流和低频下，高频时因空间电荷来不及移动，

14、没有或很少有这种极化现象。,自发极化如果晶胞不仅结构上没有对称中心，而且在无外力作用时晶胞本身的正、负电荷中心不相重合，即晶胞具有极性，那么，由于晶体构造的周期性和重复性。晶胞的固有电矩便会沿着同一方向排列整齐，使晶体处在高度的极化状态下，由于这种极化状态是在外场为零时自发地建立起来的，因此称为自发极化。,各种极化形式的比较,克劳修斯-莫索蒂方程的意义： 建立了可测物理量 r （宏观量）与质点极化率（微观量）之间的关系。克劳修斯-莫索蒂方程的适用范围： 适用于分子间作用很弱的气体、非极性液体、非极性固体、具有适当对称性的固体。从克劳修斯-莫索蒂方程：讨论高介电常数的质点： （ r 1 ）/（

15、r +2 ）= Ni /（3 o ） （ r 1 ）/（ r +2 ）- r越大其值越大介质中质点极化率大，极化介质中极化质点数多，则介质具有高介电常数。,影响介电常数的因素：介电类型温度系数介电常数与温度呈强的非线性关系，用温度系数描述温度特征难度大介电常数与温度呈线性关系，可以用温度系数描述介电常数与温度的关系,介电常数的温度系数的确定：根据用途，对其有不同的要求： 要求为正：滤波旁路和隔直流的电容器； 要求为负：热补偿电容器 接近于零：要求电容量热稳定性高和高精度的电子仪器中的电容器。目前的发展方向：介电常数的温度系数接近于零，高的介电常数。,材料的介电性电介质的物理参数,介电弛豫,当电

16、介质开始受静电场作用时，要经过一段时间后，极化强度才能达到相应的数值，这个现象称为极化弛豫，所经过的这段时间称为弛豫时间。电子位移极化和离子位移极化的弛豫时间很短，取向极化的弛豫时间较长，所以极化弛豫主要是取向极化造成的。,极化强度的建立,位移极化强度 P0 是瞬时建立的，与时间无关。松弛极化Pr强度与时间的关系比较复杂。,材料的介电性电介质的物理参数,介电损耗,电介质在电场作用下的往往会发生电能转变为其它形式的能（如热能）的情况，即发生电能的损耗。常将电介质在电场作用下，单位时间消耗的电能叫介质损耗。,介电损耗,损耗的能量与通过其内部的电流有关。加上电场后通过介质的全部电流包括： 由样品几何

17、电容的充电所造成的位移电流或电容电流，这部分电流不损耗能量； 由各种介质极化的建立引起的电流，此电流与松弛极化或惯性极化、共振等有关，引起的损耗称为极化损耗；由介质的电导（漏导）造成的电流，这一电流与自由电荷有关，引起的损耗称为电导损耗。,介电损耗电导（或漏导）损耗,缺陷的存在，产生带束缚较弱的带电质点。带电质点在外电场的作用下沿着与电场平行的方向做贯穿电极之间的运动。实质相当于交流、直流电流流过电阻做功，一切实用工程介质材料不论是在直流或在交流电场作用下，都会发生漏导损耗。,由于各种电介质极化的建立所造成的电流引起的损耗称为极化损耗，这里的极化一般是指弛豫型的。结论： 当外电场频率很低，即0

18、时，各种极化都能跟上电场的变化，即所有极化都能完全建立，介电常数达到最大，而不造成损耗； 当外电场频率逐渐升高时，松弛极化从某一频率开始跟不上外电场变化，此时松弛极化对介电常数的贡献减小，使随频率升高而显著下降，同时产生介质损耗，当时，损耗达到最大； 当外电场频率达到很高时，松弛极化来不及建立，对介电常数无贡献，介电常数仅由位移极化决定， 0时， tan，此时无极化损耗。（说明：损耗角，大小可以作为绝缘材料的判据 =tan）,介电损耗极化损耗,对于离子晶体，晶格振动的光频波代表原胞内离子的相对运动，若外电场的频率等于晶格振动光频波的频率，则发生共振吸收。,介电损耗共振吸收损耗,介电损耗的表示方

19、法,交流电压作用下的介电损耗较为复杂，不做要求,材料的介电损耗,结构不均匀的多相固体无机材料，这些材料损耗的主要形式是电导损耗和松弛极化损耗，但还有两种损耗形式：电离损耗和结构损耗。,1）电离损耗又称游离损耗，主要发生在含有气相的材料中。它们在外电场强度超过了气孔内气体电离所需要的电场强度时，由于气体电离而吸收能量，造成损耗，即电离损耗。 当固态绝缘物中含有气孔时，由于在正常条件下气体的耐受电压能力一般比固态绝缘物的低，而且电容率也比固态小，必须尽量减小介质中的气孔。,材料的介电损耗,2）结构损耗在高频、低温下，与介质内部结构的紧密程度密切相关的介质损耗。实验表明，结构紧密的晶体或玻璃体的结构

20、损耗都是很小的。一般材料，在高温、低频下，主要为电导损耗；在常温、高频下，主要为松弛极化损耗；在高频、低温下主要为结构损耗。,材料的介电损耗,固体电介质的电导与击穿,固体电介质的电导理想的电介质，在外电场作用下应该是没有传导电流的。实际的电介质，或多或少地具有一定数量的弱联系的带电质点。无外电场，热运动。有外电场，定向漂移。正电荷顺电场方向移动，负电荷逆电场方向移动，形成贯穿介质的传导电流。,上式表示了电介质的宏观参数电导率与微观参数电介质单位体积内载流子数N、载流子电荷q、载流子的迁移率之间的关系。,提高电介质的绝缘性能可以从两个方面着手：一是减少电介质单位体积的载流子数；二是降低迁移率。对

21、固体电介质，要尽量减少杂质、热缺陷数目。,表面电阻（电导）与体电阻（电导）固体电介质电导 电子电导离子电导,固体电介质的电子电导,电子电导的载流子：电子和空穴理想晶体电子电导非常微弱实际晶体，杂质的存在电子电导较大,隧道效应,大部分固体电介质的电子电导率的温度关系遵循指数规律,因为导电的电子（或空穴）也是从各种不同的电离中心经过热激发而产生的，并且，对于过渡元素金属氧化物，通常它的活化能都比较小，载流子数又多，所以，在低温和室温下，电子电导常起主要作用。,固体电介质的离子电导,载流子：正、负离子或离子空位固体电介质按其结构可分为：晶体非晶体,无机电介质和高分子非晶材料的高聚物,固体电介质的离子

22、电导,1）无机晶体材料电介质的离子电导导电离子来源本征离子弱联系离子,热缺陷,在离子晶体中，考虑到它的本征电导和弱联系电导时，随温度变化的关系式可以写成,离子活化,固体电介质的离子电导,2）无机玻璃态电介质的离子电导玻璃与晶体的比较，玻璃具有： 结构疏松 组成中有碱金属离子 势垒不是单一的数值，有高有低。 导电的粒子： 离子 电子,玻璃离子电导率与碱金属浓度的关系：在碱金属氧化物含量不大时，碱金属离子填充在玻璃结构的松散处，电导率与碱金属离子浓度有直线关系；到一定限度，即空隙被填满后，开始破坏原来结构紧密的部位，使整个玻璃体结构进一步松散，导电率指数上升。减小玻璃电导率的方法有双碱效应、压碱效

23、应。双碱效应：当玻璃中碱金属离子总浓度较大时（占玻璃组成2530%），总浓度不变，含两种碱金属离子比一种碱金属离子的玻璃电导率小，当比例适当时，电导率可降低很低。,以K2O、Li2O为例说明双碱效应的原因：R K+R Li+，在外电场的作用下，碱金属离子移动时，Li+离子留下的空位比K+留下的空位小， K+只能通过本身的空位；Li+进入大体积空位，产生应力，不稳定，只能进入同种离子空位较为稳定；大离子不能进入小空位，使通路堵塞，妨碍小离子的运动；相互干扰的结果使电导率大大下降。,压碱效应：含碱金属玻璃中加入二价金属离子，特别是重金属氧化物，使玻璃的电导率降低。相应的阳离子半径越大，这种效应越强

24、。原因：二价离子与玻璃中氧离子结合比较牢固，能嵌入玻璃网络结构，堵塞迁移通道，使碱金属离子移动困难，电导率降低。,高分子材料内的载流子很少。已知大分子结构中，原子的最外层电子以共价键方式与相邻原子键接，不存在自由电子或其它形式载流子（具有特定结构的聚合物例外）。,理论计算表明，结构完整的纯聚合物，电导率仅为1025 。但实际聚合物的电导率往往比它大几个数量级，表明聚合物绝缘体中载流子主要来自材料外部，即由杂质引起的。,2）无机玻璃态电介质的离子电导,这些杂质来自于聚合物合成和加工过程中，包括：少量没有反应的单体、残留的引发剂和其他各种助剂以及聚合物吸附的微量水分等。,例如，在电场作用下电离的水

25、， 就为聚合物提供了离子型载流子。,水对聚合物的绝缘性影响最甚，尤其当聚合物材料是多孔状或有极性时，吸水量较多，影响更大。,例如以橡胶填充的聚苯乙烯材料在水中浸渍前后电导率相差两个数量级，而用木屑填充的聚苯乙烯材料在同样情况下电导率猛增八个数量级。,载流子迁移率大小决定于载流子从外加电场获得的能量和热运动碰撞时损失的能量。,研究表明，离子型载流子的迁移与聚合物内部自由体积的大小有关，自由体积越大，迁移率越高。,电子和空穴型载流子的迁移则与大分子堆砌程度相关，堆砌程度高，有利于电子跃迁，若堆砌能产生电子云的交叠，形成电子直接通道，导电性会突增。,对离子型导电材料，温度升高，载流子浓度和载流子迁移

26、率均按指数率增加，因此材料电导率随温度按以下规律变化：,（9-15）,式中 是材料常数，,称电导活化能。,当聚合物发生玻璃化转变时，电导率或电阻率曲线将发生突然转折，利用这一原理可测定聚合物的玻璃化温度。,结晶、取向，以及交联均使聚合物绝缘体电导率下降。,例如，聚三氟氯乙烯结晶度从10%增加至50%时，电导率下降101000倍。,因为通常聚合物中，主要是离子型导电，结晶、取向和交联会使分子紧密堆砌，降低链段活动性，减少自由体积，使离子迁移率下降。,固体电介质的表面电导,其它影响因素1）空气湿度对表面电导的影响,2）电介质表面的分子结构,3）电介质表面的状况,材料的介电性电介质的击穿,击穿场强电

27、介质所能承受的不被击穿的最大场强。击穿电压电介质（或电容器）击穿时两极板的电压。,电介质的击穿 一般外电场不太强时，电介质只被极化，不影响其绝缘性能。当其处在很强的外电场中时，电介质分子的正负电荷中心被拉开，甚至脱离约束而成为自由电荷，电介质变为导电材料。当施加在电介质上的电压增大到一定值时，使电介质失去绝缘性的现象称为击穿(breakdown)。,固体电介质的击穿,一 概述,与气体、液体介质相比，固体介质的击穿有何不同：,固体介质的击穿场强较高击穿后在材料中留下有不能恢复的痕迹，如烧焦或溶化的通道、裂缝等 ，去掉外施电压 ，不能自行恢复绝缘性能,击穿形式,热击穿电击穿电化学击穿（不均匀介质局

28、部放电引起击穿 ）,固体电介质击穿场强与电压作用时间的关系,（一）热击穿,由于电介质内部热的不稳定过程所造成的。,影响因素,与材料的性能有关绝缘结构（电极的配置与散热条件）及电压种类、环境温度等有关,因此热击穿强度不能看作是电介质材料的本征特性参数,（二）电击穿,在较低温度下，采用了消除边缘效应的电极装置等严格控制的条件下，进行击穿试验时所观察到的一种击穿现象。,主要特性：,击穿场强高（大致在515MV/cm范围），实用绝缘系统是不可能达到的在一定温度范围内，击穿场强随温度升高而增大，或变化不大,意义,反映了固体介质耐受电场作用能力的最大限度仅与材料的化学组成及性质有关，材料的特性参数之一，又称为耐电 强度或电气强度,（三）不均匀电介质的击穿,包括固体、液体或气体组合构成的绝缘结构中的一种击穿形式 。,击穿往往是从耐电强度低的气体中开始，表现为局部放电，然后或快或慢地随时间发展至固体介质劣化损伤逐步扩大，致使介质击穿。,