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1、爱和科技有限公司半导体材料项目可行性研究报告目 录第一章 总 论1第一节 项目名称及承办单位1第二节 可行性研究编制单位1第三节 研究工作的依据与范围1第四节 简要结论2第五节 主要技术经济指标3第二章 项目提出的背景及建设的必要性3第一节 项目提出的背景3第二节 项目建设的必要性13第三章 市场需求分析与生产规模3第一节 市场需求分析3第二节 生产规模及产品方案15第四章 建设条件与厂址16第一节 原材辅材料供应16第二节 厂址概况16第三节 厂址方案22第五章 工程技术方案23第一节 项目组成23第二节 生产技术方案23第三节 总平面布置及运输26第四节 土建工程28第五节 公用工程及辅助
2、工程30第六章 企业组织及劳动定员34第一节 企业组织34第二节 项目工作制度及定员3第三节 职工来源与培训36第七章 环境保护、劳动安全与消防38第一节 环境保护38第二节 劳动安全41第三节 消防45第八章 节能47第一节 用能标准和节能规范47第二节 能耗状况和能耗指标分析47第三节 节能措施和节能效果分析48第九章 项目实施进度51第一节 项目实施进度51第二节 项目进度计划52第十章 项目招标方案53第十一章 投资估算及资金筹措56第十二章 财 务 评 价59第一节 评价原则和方法59第二节 财务分析59第十三章 社会影响分析63第十四章 综合评价69 附表目录附表1、建设投资估算表
3、（附表1）2、流动资金估算表（附表2）3、投资计划与资金筹措表（附表3）4、总成本费用估算表（附表4）5、固定资产折旧费估算表（附表5）6、销售收入和税金估算表（附表6）7、利润及利润分配表（附表7）8、项目投资现金流量表（附表8）9、资金来源与运用表（附表9）10、资产负债表（附表10）第一章 总 论第一节 项目名称及承办单位项目名称：半导体材料项目项目建设性质：承办单位：山东爱和科技有限公司法人：联系电话：项目拟建地点：山东省禹城市高新技术开发区第二节 可行性研究编制单位单位名称：德州天洁环境影响评价有限公司工程咨询资格证书编号：工咨丙11820100013资格等级：丙级发证机关：国家发展
4、和改革委员会第三节 研究工作的依据与范围一、研究工作的依据（一）双方签订关于编制项目申请报告的委托书、合同书；（二）国家发展和改革委员会2005年第40号令发布实行的产业结构调整指导目录(2005年本)；（三）信息产业科技发展“十一五”规划和2020年中长期规划纲要等文件；（四）节能中长期专项规划；（五）建设项目经济评价方法与参数（第三版）（六）投资项目可行性研究指南、投资项目经济咨询评估指南（七）项目承担单位提供的基础数据；（八）国家有关法律、法规及产业政策；（九）现行有关技术规范、规定及标准；二、研究工作的范围本可行性研究主要包括：（一）对项目提出的背景、必要性、市场前景、建设规模、建设条
5、件与场地状况的分析；（二）对项目总图运输、生产工艺、土建、公用设施等技术方案的研究；（三）对项目所采取的消防、环境保护、劳动安全卫生及节能措施的评价；（四）对项目实施进度及劳动定员的确定；（五）对项目作出的投资费用估算及财务综合评价。 第四节 简要结论半导体材料是指电导率介于金属和绝缘体之间的固体材料。半导体于室温时电导率约在 101010000/cm 之间，纯净的半导体温度升高时电导率按指数上升。半导体材料有很多种，按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类。在半导体产业的发展中，一般将硅、锗称为第一代半导体材料；将砷化镓、磷化锢、磷化镓、砷化锢、砷化铝及其合金等称为第二代半导体材料；而
6、将宽禁带(Eg2.3eV)的氮化镓、碳化硅、硒化锌和金刚石等称为第三代半导体材料。上述材料是目前主要应用的半导体材料，三代半导体材料代表品种分别为硅、砷化镓和氮化镓。半导体材料是制作晶体管、集成电路、电力电子器件、光电子器件的重要基础材料，支撑着通信、计算机、信息家电与网络技术等电子信息产业的发展。中国半导体材料市场自2003年以来已连续4年维持增长，且2007年全球规模已达423.93亿美元，较2006年增长约14%，其中晶圆制程材料增长 17%，达到250亿美元，封装材料则增长9%，达到170亿美元。而2007年全球整个半导体市场仅增长3%，达到2556亿美元。中国半导体材料市场发展迅速，
7、预计2010年，半导体材料的销售额将达到530亿美元。与晶圆制造材料类似，封装材料预计在2009年和2010年将分别增长9和6，2010年将达206亿美元。世界半导体行业巨头纷纷到国内投资，整个半导体行业快速发展，这也要求材料业要跟上半导体行业发展的步伐。可以说，市场发展为半导体支撑材料业带来前所未有的发展机遇。基于以上现状，山东爱和科技有限公司拟利用现有生产及技术优势开发生产半导体材料，以满足市场的需求。该项目拟在禹城市高新技术开发区，新建生产车间、仓库以及水电气等公用基础设施厂房8664 平方米，新上各种生产和检测设备35台（套），形成年产导电涂层材料、树脂材料、防静电树脂材料等半导体材料
8、1.5万吨。通过初步分析估算，本项目工程总投资构成及资金来源为：1、项目总投资4800万元。其中，建设投资4501万元，在建设投资中，建筑工程费545万元，设备购置及安装费3563万元，其它费用113万元,基本预备费280万元。2、资金来源为企业自筹资金。3、本项目完成后，达产年企业新增销售收入15000万元，新增利税1514万元（其中利润总额792万元，销售税金及附加722万元）。该项目从半导体材料科研开发到生产，形成了一条开发、生产、推广、销售为一体的产业化链条，不仅为社会提供劳动就业机会，为国家和地方增加税收，同时也带动了与之相关的机械制造、运输物流、城市基础设施建设等行业的发展。该项目
9、符合国家产业政策和行业发展要求，产品市场广阔，经济效益和社会效益显著，抗风险能力强。通过研究可以看出本项目依据条件较好，工艺技术成熟可靠，无论在技术上还是在经济效益上都是可行的。第五节 主要技术经济指标主要技术经济指标表序号项 目单 位指 标备 注1生产规模年产半导体材料万吨1.52项目总投资万元4800其中：建设投资万元4501铺底流动资金万元2993流动资金万元41524项目厂区占地面积平方米86645项目定员人200其中：技术管理人员人40工 人人1607全年生产天数天3008人员工作日天2509销售收入万元/年1500010总成本万元/年13486正常年11利 税万元/年1514正常年
10、12利 润万元/年792正常年(税后)13总投资收益率%31.5414财务内部收益率%12.43税后15投资回收期年5.54含建设期、税后第二章 项目提出的背景及建设的必要性第一节 项目提出的背景一、半导体材料现状（一）世界半导体材料现状1、半导体硅材料：半导体硅材料自从60年代被广泛应用于各类电子元器件以来，其用量平均大约以每年1216%的速度增长。目前全世界每年消耗约1800025000吨半导体级多晶硅，消耗60007000吨单晶硅，硅片销售金额约6080亿美元。可以说在未来3050年内，硅材料仍将是LSI工业最基础和最重要的功能材料。电子工业的发展历史表明，没有半导体硅材料的发展，就不可
11、能有集成电路、电子工业和信息技术的发展。 半导体硅材料分为多晶硅、单晶硅、硅外延片以及非晶硅、浇注多晶硅、淀积和溅射非晶硅等。现行多晶硅生产工艺主要有改良西门子法和硅烷热分解法。主要产品有棒状和粒状两种，主要是用作制备单晶硅以及太阳能电池等。生长单晶硅的工艺可分为区熔(FZ)和直拉(CZ)两种。其中，直拉硅单晶(CZ-Si)广泛应用于集成电路和中小功率器件。区域熔单晶(FZ-Si)目前主要用于大功率半导体器件，比如整流二极管，硅可控整流器，大功率晶体管等。单晶硅和多晶硅应用最广。经过多年的发展和竞争，国际硅材料行业出现了垄断性企业，日本、德国和美国的六大硅片公司的销量占硅片总销量的90%以上，
12、其中信越、瓦克、SUMCO和MEMC四家的销售额占世界硅片销售额的70%以上，决定着国际硅材料的价格和高端技术产品市场，其中以日本的硅材料产业最大，占据了国际硅材料行业的半壁江山。在集成电路用硅片中，8英寸的硅片占主流，约4050，6英寸的硅片占30。当硅片的直径从8英寸到12英寸时，每片硅片的芯片数增加2.5倍，成本约降低30，因此，国际大公司都在发展12英寸硅片，2006年产量将达到13.4亿平方英寸，将占总产量的20%左右。2、砷化镓单晶材料：砷化镓是微电子和光电子的基础材料，为直接带隙，具有电子饱和漂移速度高、耐高温、抗辐照等特点，在超高速、超高频、低功耗、低噪声器件和电路，特别在光电
13、子器件和光电集成方面占有独特的优势。 目前，世界砷化镓单晶的总年产量已超过200吨(日本1999年的砷化镓单晶的生产量为94吨)。用于大量生产砷化镓晶体的方法是传统的LEC法(液封直拉法)和HB法(水平舟生产法)。国外开发了兼具以上2种方法优点的VGF法(垂直梯度凝固法)、VB法(垂直布里支曼法)和VCZ法(蒸气压控制直拉法)，成功制备出46英寸大直径GaAs单晶。其中以低位错密度的HB方法生长的23英寸的导电砷化镓衬底材料为主。移动电话用电子器件和光电器件市场快速增长的要求，使全球砷化镓晶片市场以30%的年增长率迅速形成数十亿美元的大市场，预计未来20年砷化镓市场都具有高增长性。日本是最大的
14、生产国和输出国，占世界市场的7080%；美国在1999年成功地建成了3条6英寸砷化镓生产线，在砷化镓生产技术上领先一步。日本住友电工是世界最大的砷化镓生产和销售商，年产GaAs单晶30t。美国AXT公司是世界最大的VGF GaAs材料生产商。世界GaAs单晶主要生产商情况见表6。国际上砷化镓市场需求以4英寸单晶材料为主，而6英寸单晶材料产量和市场需求快速增加，已占据35%以上的市场份额。研制和小批量生产水平达到8英寸。近年来，为满足高速移动通信的迫切需求，大直径(68英寸)的Si-GaAs发展很快，4英寸70厘米长及6英寸35厘米长和8英寸的半绝缘砷化镓(Si-GaAs)也在日本研制成功。磷化
15、铟具有比砷化镓更优越的高频性能，发展的速度更快，但研制直径4英寸以上大直径的磷化铟单晶的关键技术尚未完全突破，价格居高不下。3、宽禁带氮化镓材料:国外对SiC的研究早在五十年代末和六十年代初就已开始了。到了八十年代中期，美国海军研究局和国家宇航局与北卡罗来纳州大学签订了开发SiC材料和器件的合同，并促成了在1987年建立专门研究SiC半导体的Cree公司。九十年代初，美国国防部和能源部都把SiC集成电路列为重点项目，要求到2000年在武器系统中要广泛使用SIC器件和集成电路，从此开始了有关SiC材料和器件的系统研究，并取得了令人鼓舞的进展。即目前为止，直径50mm具有良好性能的半绝缘和掺杂材料
16、已经商品化。美国政府与西屋西子公司合作，投资450万美元开了3英寸纯度均匀、低缺陷的SiC单晶和外延材料。另外，制造SiC器件的工艺如离子注入、氧化、欧姆接触和肖特基接触以及反应离子刻蚀等工艺取得了重大进展，所以促成了SiC器件和集成电路的快速发展。由于SiC器件的优势和实际需求，它已经显示出良好的应用前景。航空、航天、冶炼以及深井勘探等许多领域中的电子系统需要工作在高温环境中，这要求器件和电路能够适应这种需要，而各类SiC器件都显示良好的温度性能。SiC具有较大的禁带宽度，使得基于这种材料制成的器件和电路可以满足在470K到970K条件下工作的需要，目前有些研究水平已经达到970K的工作温度
17、，并正在研究更高的工作温度的器件和集成电路。（二）我国半导体材料现状中国半导体材料行业经过四十多年发展已取得相当大的进展，先后研制和生产了4英寸、5英寸、6英寸、8英寸和12英寸硅片。随着半导体分立元件和硅光电池用低档和廉价硅材料需求的增加，中国单晶硅产量逐年增加。据统计，2001年我国半导体硅材料的销售额达9.06亿元，年均增长26.4%。单晶硅产量为584t，抛光片产量5183万平方英寸，主要规格为36英寸，6英寸正片已供应集成电路企业，8英寸主要用作陪片。单晶硅出口比重大，出口额为4648万美元，占总销售额的42.6%，较2000年增长了5.3%。目前，国外8英寸IC生产线正向我国战略性
18、移动，我国新建和在建的F8英寸IC生产线有近10条之多，对大直径高质量的硅晶片需求十分强劲，而国内供给明显不足，基本依赖进口，中国硅晶片的技术差距和结构不合理可见一斑。在现有形势和优势面前发展我国的硅单晶和IC技术面临着巨大的机遇和挑战。2004年国内从事硅单晶材料研究生产的企业约有35家，从业人员约3700人，主要研究和生产单位有北京有研硅股、杭州海纳半导体材料公司、宁波立立电子公司、洛阳单晶硅厂、万向硅峰电子材料公司、上海晶华电子材料公司、峨眉半导体材料厂、河北宁晋半导体材料公司等。其中，有研硅股在大直径硅单晶的研制方面一直居国内领先地位，先后研制出我国第一根6英寸、8英寸和12英寸硅单晶
19、，单晶硅在国内市场占有率为40%。2004年国内硅单晶产量达1000吨左右，销售额突破11亿元，平均年增长率为27.5%，预计2005年我国硅单晶产量可达1400吨左右。中国从上世纪60年代初开始研制砷化镓，近年来，随着中科镓英半导体有限公司、北京圣科佳电子有限公司相继成立，中国的化合物半导体产业迈上新台阶，走向更快的发展道路。中科镓英公司成功拉制出中国第一根6.4公斤5英寸LEC法大直径砷化镓单晶；信息产业部46所生长出中国第一根6英寸砷化镓单晶，单晶重12kg，并已连续生长出6根6英寸砷化镓单晶；西安理工大在高压单晶炉上称重单元技术研发方面取得了突破性的进展。 中国GaAs材料单晶以23英
20、寸为主，4英寸处在产业化前期，研制水平达6英寸。目前4英寸以上晶片及集成电路GaAs晶片主要依赖进口。砷化镓生产主要原材料为砷和镓。虽然中国是砷和镓的资源大国，但仅能生产品位较低的砷、镓材料(6N以下纯度)，主要用于生产光电子器件。集成电路用砷化镓材料的砷和镓原料要求达7N，基本靠进口解决。中国国内开展SiC、GaN材料和器件方面的研究工作比较晚，和国外相比水平还比较低。国内已经有一些单位在开展SiC材料的研究工作。到目前为止，2英寸、3英寸的碳化硅衬底及外延材料已经商品化。目前研究的重点主要是4英寸碳化硅衬底的制备技术以及大面积、低位错密度的碳化硅外延技术。目前国内进行碳化硅单晶的研制单位有
21、中科院物理所、中科院上海硅酸盐研究所、山东大学、信息产业部46所等，进行碳化硅外延生长的单位有中科院半导体所、中国科技大学以及西安电子科大。西安电子科技大学微电子研究所已经外延生长了6H-SiC，目前正在进一步测试证明材料的晶格结构情况。另外，还对材料的性质和载流子输运进行了理论和实验研究，器件的研究工作也取得了可喜的进展。二、项目建设的背景电子信息材料的总体发展趋势是向着大尺寸、高均匀性、高完整性、以及薄膜化、多功能化和集成化方向发展。当前的研究热点和技术前沿包括柔性晶体管、光子晶体、SiC、GaN、ZnSe等宽禁带半导体材料为代表的第三代半导体材料、有机显示材料以及各种纳米电子材料等。 随
22、着电子学向光电子学、光子学迈进，微电子材料在未来510年仍是最基本的信息材料。电子、光电子功能单晶将向着大尺寸、高均匀性、晶格高完整性以及元器件向薄膜化、多功能化、片式化、超高集成度和低能耗方向发展。半导体微电子材料由单片集成向系统集成发展。 微电子技术发展的主要途径是通过不断缩小器件的特征尺寸，增加芯片面积以提高集成度和信息处理速度，由单片集成向系统集成发展。 （一）Si、GaAs、InP等半导体单晶材料向着大尺寸、高均质、晶格高完整性方向发展。椎8英吋硅芯片是目前国际的主流产品，椎12英吋芯片已开始上市，GaAs芯片椎4英吋已进入大批量生产阶段，并且正在向椎6英吋生产线过渡；对单晶电阻率的
23、均匀性、杂质含量、微缺陷、位错密度、芯片平整度、表面洁净度等都提出了更加苛刻的要求。 （二）在以Si、GaAs为代表的第一代、第二代半导体材料继续发展的同时，加速发展第三代半导体材料宽禁带半导体材料SiC、GaN、ZnSe、金刚石材料和用SiGe/Si、SOI等新型硅基材料大幅度提高原有硅集成电路的性能是未来半导体材料的重要发展方向。 （三）继经典半导体的同质结、异质结之后，基于量子阱、量子线、量子点的器件设计、制造和集成技术在未来515年间，将在信息材料和元器件制造中占据主导地位，分子束外延 MBE 和金属有机化合物化学汽相外延 MOCVD 技术将得到进一步发展和更加广泛的应用。 （四）高纯
24、化学试剂和特种电子气体的纯度要求将分别达到lppb0.1ppb和6N级以上，0.5m以上的杂质颗粒必须控制在5个/毫升以下，金属杂质含量控制在ppt级，并将开发替代有毒气体的新品种电子气体。第二节 项目建设的必要性一、符合国家产业政策国家发展和改革委员会以40号令发布实施了产业结构调整指导目录(2005年本)，本项目生产产品为半导体材料，符合第一类：鼓励类，第二十四条：信息产业，第24款“电子专用材料制造”。因此，该项目的建设符合国家产业政策。二、符合产业和行业规划2009年，国务院出台了电子信息产业调整和振兴规划，大力支持半导体材料发展，支持开发先进技术和产品，加快半导体材料的创新改进和进入
25、市场速度。三、产品市场不断扩大地需求半导体材料市场广阔，具有很好的社会效益和经济效益。随着社会进步，生活水平提高，人们对环境保护日益重视，APET片材这一环保产品越来越受到人们的欢迎，APET片材设备的发展前景将更加广阔。四、当地政府的大力支持国务院在2000年颁布和实施了鼓励软体产业和积体电路产业发展的若干政策，市委市政府大力支持新材料的发展,先后出台了一系列的政策,在资金、物质、人才等方面进行扶持、引导和奖励, 在土地、环境、手续等方面的大力支持，该项目适合禹城市综合开发的需要，可作为禹城市的新兴产业扶持项目，切实推进禹城市相关产业的发展，符合禹城市的投资导向，并能促进全市出口创汇工作。第
26、三章 市场需求分析与生产规模第一节 市场需求分析一、市场需求预测中国的IT产业即将进入快速发展时期，这一点已成为人们的普遍共识。在信息产品市场的拉动下，电子信息材料产业也将获得持续较快的增长。电子信息材料业在IT产业中乃至整个国民经济中的地位将会进一步上升。据信息产业部的预测，2005年中国电子信息产品市场的总规模将达2万亿元人民币，这大约相对于全球市场总规模的13。巨大的市场需求，将拉动中国信息产业快速发展。在此背景下，我国信息材料业的未来商机首先来自半导体材料市场。当今全球最大、最重要的信息材料细分市场就是集成电路，而集成电路的99以上都是由硅材料制作的。半导体材料在信息设备中的价值含量已
27、达20，并且还在继续上升。 中国半导体材料市场自2003年以来已连续4年维持增长，且2007年全球规模已达423.93亿美元，较2006年增长约14%，其中晶圆制程材料增长17%，达到250亿美元，封装材料则增长9%，达到170亿美元。而2007年全球整个半导体市场仅增长3%，达到2556亿美元。中国半导体材料市场发展迅速，预计2010年，半导体材料的销售额将达到530亿美元。与晶圆制造材料类似，封装材料预计在2009年和2010年将分别增长9和6，2010年将达206亿美元。世界半导体行业巨头纷纷到国内投资，整个半导体行业快速发展，这也要求材料业要跟上半导体行业发展的步伐。可以说，市场发展为
28、半导体支撑材料业带来前所未有的发展机遇。第二节 生产规模及产品方案根据产品市场、技术和设备及资金筹措能力等因素，确定项目为年产导电涂层材料、树脂材料、防静电树脂材料等产品。年形成达到1.5万吨的规模。 第四章 建设条件与厂址第一节 原材辅材料供应性能指标能满足技术要求的，均立足国内供应，以节约资金、降低生产成本；本项目所需的各种原材料均为行业常用的材料，原辅材料的需求量在山东省内均可以满足供应。对于国内尚不能生产或质量不能满足技术要求的，考虑进口解决。第二节 厂址概况一、地理位置禹城市位于东经116，北纬37。禹城市属黄河冲积平原的一部分。地势平坦，无显著起伏。总的趋势由西南向东北缓缓倾斜，地
29、面坡降为1/5000-1/8000之间。厂址处地貌属黄河冲积平原地貌单元，微地貌为人工开挖农田灌溉水渠。场地地形较平坦，最大相对高差0.53米，据调查，场地及附近无不良地质作用。北依北京、天津，南邻省会济经济开发带交汇区内，兼具沿海与内陆双重优势。二、自然条件（一）地形、地貌禹城地质构造上属华北地台，沧东大断裂北北东向，西盘上升，东盘下降。地壳运动总的趋势是以上降为主，长期接受堆积覆盖有深厚的新生界地层。地层内主要为锈黄色、黄土类土，岩性一般以粘质砂土为主。其次是砂质粘土夹粉砂、细砂透镜体。其显著特征是锈染特别发育，含分散钙、结构较上复地层密实。常见虫孔构造及植物残体。于60-70米左右均有淤
30、泥层，淤泥厚度10米多，砂层一般为粉细砂、细砂层，厚24。禹城市地处黄河中下游冲积平原，地势平坦，地质结构优良，地耐力达18-30吨/平方米。（二）气象条件禹城市气候特点受季风影响显著，四季分明，冷热干湿界限明显，春季干旱多风回暖快，夏季炎热多雨，秋季凉爽多晴天，冬季寒冷少雪干燥，具有显著的大陆性气候特征。1、年平均气温：13.32、绝对最高气温：41.8绝对最低气温：-22.0累年最热月（7月）：平均温度27.0，平均最高温度31.9，地面下0.8米处土壤平均温度28.7。最冷月（1月）平均温度-2.9。3、常年主导风向：SW风春夏季：南风、西南风秋冬季：东北风4、年平均风速：2.5米/秒5
31、、年平均气压：1014.3Kpa6、年平均日照数：2534.9h 7、年相对湿度：65%8、年平均降雨量：554.0mm年最大降雨量：1144.4 mm天最大降雨量：171.0 mm（三）工程地质及水文禹城地质构造上属华北地台，沧东大断裂北北东向，西盘上升，东盘下降。地壳运动总的趋势是以上降为主，长期接受堆积覆盖有深厚的新生界地层。地层内主要为锈黄色、黄土类土，岩性一般以粘质砂土为主。其次是砂质粘土夹粉砂、细砂透镜体。其显著特征是锈染特别发育，含分散钙、结构较上复地层密实。常见虫孔构造及植物残体。于60-70米左右均有淤泥层，淤泥厚度10米多，砂层一般为粉细砂、细砂层，厚24。厂址区域地下水类
32、型属第四系孔隙潜水，局部微承压。地下水稳定水位埋深，一般在1.80-2.60米，相应标高为19.35-18.60米。据有关资料介绍，地下水历年平均最高水位在19.50米左右。地下水对混凝土无侵蚀性。禹城市地处黄河中下游冲积平原，地势平坦，地质结构优良，地耐力达18-30吨/平方米。禹城市境内主干河道26条，全长398公里，年均引用黄河水2亿立方米，年可开采浅层地下水1047亿立方米。地下水位埋深1.76-2.35米，年变化幅度2.0米左右 。经水样水质分析报告，PH=7.47.5，地下水对混凝土具弱腐蚀性，对钢结构具有中等腐蚀性，对钢筋混凝土结构中的钢筋具有弱腐蚀性。地质层：素填土和粉质粘土层
33、，层厚2.203.80m，地基承载力推荐值为95kPA。层：粉土层，层厚0.803.10m，地基承载力推荐值为105kPA。层：粉质粘土层，层厚1.404.20m，地基承载力推荐值为105kPA。层：粉土层，层厚0.502.50m，地基承载力推荐值为130kPA。层：粉质粘土层，层厚0.402.50m，地基承载力推荐值为135kPA。层：粉土层，层厚0.402.90m，地基承载力推荐值为150kPA。层：粉质粘土层，层厚1.604.50m，地基承载力推荐值为160kPA。层：细砂夹粉砂层，层厚1.6017.10m，地基承载力推荐值为200kPA。（四）抗震设防烈度根据GB50011-2001建
34、筑抗震设计规范附录A划分，山东省禹城市的抗震设防烈度为7度，设计基本地震加速值为0.10g。三、交通运输条件禹城市开发区南离省会济南50公里，北距首都北京450公里，东离沿海开放城市青岛460公里。京沪铁路、济邯铁路、京福高速公路、青银高速公路、308国道、1001省道、1009省道和规划建设中的京沪高速铁路贯穿境内，是鲁西北地区的交通枢纽和重要的物资集散地。乘汽车到北京、青岛只需3个多小时，到济南只需要30多分钟，到济南遥墙机场40多分钟。厂址附近公路有：京沪高速公路、平原-临邑的省级道路，可满足汽车运输条件。厂址距禹城火车站10公里，交通运输有可靠保障。四、社会经济条件禹城水资源丰富，地下
35、水总储量11.6亿立方米，可开发利用量4.7亿立方米；电力供应充足，处于德州华鲁电厂120万KW电网之中，自有装机容量1.8万KW热电厂，新扩建的2.5万KW热电机组也已投入使用，市区已实现集中供热；邮电通讯发展快捷，现有程控电话装机容量7.5万门，程控电话、移动通讯、国际传真构成了覆盖全国、伸向世界的现代化信息网。 禹城自然条件优越，土地资源丰富，劳动力充足，盛产粮食、棉花、大豆、花生、果品、蔬菜、肉牛、肉鸡、肉兔等，年粮食产量约380000吨，是国家重要的商品粮、优质棉、瘦肉型猪生产基地和联合国棉花技术研究基地，是华北地区第一批农业引用外资项目市、全国黄淮平原农业开发先期试点市、示范市。有
36、40多个国家和地区的专家、学者、政府官员和联合国组织前来考察，并给予了高度评价。目前，禹城先后同100多个大专院校和科研单位建立了稳固的合作关系。 禹城工业发展迅速，有限额以上的企业64家，其中年销售收入过1000万元的30家，形成了以轻纺、机电、化工、电力、建材、食品、造纸、农副产品加工等为主导行业，30多个门类、1000多个品种的工业生产体系。DHA“忘不了”胶丸、低聚糖、木糖醇、豆沙馅、机引耙片等多种产品，在国内外享有较高声誉。 禹城商业流通繁荣活跃，外向型经济初具规模。拥有56个大中型商业网点和13个专业批发市场。远见划面积31万平方米的禹城商城和6.5万平方米的老城商贸街正在建设之中
37、。建立有济南海关禹城监管仓库、国际货物运输公司，拥有中外合资企业21家、三资企业45家，13家企业享有自营进出口权。投资国别和地区涉及美国、日本、新加坡、奥地利、马来西亚、台湾、香港等。高档牛肉、脱水蔬菜、木糖醇、豆沙馅等远销50多个国家和地区，出口产品已达10大类、20个系列、126个品种。 禹城市将把工业带动、个体私营非公有制经济、农业产业化、市场流通作为工作重点，力争通过几年的努力，使农业形成产业化、规模化格局，走上高产、优质、高效的路子；使工业形成轻纺、化工、机电、医药、食品加工等支柱企业和拳头产品，培植起以生物化工、机电一体化、新材料为主的高新技术产业；使第三产业更加繁荣，服务体系更
38、加健全，成为区域性商贸中心；使城乡基础设施更加完善，社会文明程度显著提高，人民物质文化生活明显改善，把禹城建成富强、文明、开放的现代化区域中心城市。 扩大对外开放，加强与国际、国内的经济交流与合作，是禹城市长期坚持的指导思想和基本方针。为此，禹城市从优化投资环境入手，先后制定了一系列吸引人才、技术、资金和项目的优惠政策，建立了经济技术开发区、新世纪工业园和禹西生态与观光农业园，加强了城乡基础设施建设，为扩大对外经济合作与交流创造了宽松的环境。第三节 厂址方案一、项目用地分析项目拟建地点位于山东省禹城市高新技术开发区。该场地占地8664平方米，土地类型为工业用地，按照国家相关政策要求，项目建设符
39、合当地土地使用规划要求。二、厂址方案综合分析厂址方案，认为具有以下优势：（一）厂址位置选择符合当地整体规划布局的要求，并符合国家有关法律、法规规定；（二）厂址处具有满足生产、生活及发展规划所必须的水源、电源和通讯，基础设施较好；（三）厂址处临近道路，外部交通运输条件便利，地理位置比较优越。根据以上分析，拟建厂址是适宜的。三、市政配套设施条件1、交通山东爱和科技有限公司位于禹城市高新区，西距S316仅2km，东距京福高速公路200m，地理位置优越，交通便利。2、供水：来自厂区自备井，出水量约为120m3/d，水资源丰富，能保证生产生活用水供应。3、供电：禹城市高新区供电公司保证供电。4、通讯：项
40、目区通讯条件便利，城乡电话通讯已实现程控化，进入全国先进行列，通讯条件完全可满足项目通讯要求。5、排水：污水处理采用雨污分流制，生产过程排出的水不含有毒物质，排入废水站处理，对本地水质环境影响较小。6、消防禹城市消防局根据火灾危险性类别和重点单位、工商企业、人口密度、建筑状况以及交通道路、水源等实际情况划分消防区，以“消防结合、以防为主”的原则组织消防。整个城区消防给水以城市自来水为主，消防设施按防水规范要求设置，沿城市主干道每隔120米设一消火栓，次干道每隔150米设置一消火栓，以确保火情发生时能及时灭火，降低损失。该项目的消防应按建筑设计防火规范和建筑灭火器配置设计规范设计、配置。第五章
41、工程技术方案第一节 项目组成该项目在禹城市高新技术开发区内，建设车间、仓库、办公楼等基础设施8664平方米。新上各种生产和检测设备35台（套），进行导电涂层材料、树脂材料、防静电树脂材料等生产。第二节 生产技术方案一、项目主要技术方案（一）主要技术方案项目单位技术团队完整，从事用于各种电子产品包装用的塑料材料的导电加工业务。产品被广泛应用在高端电子产品的包装材料上，比如液晶显示器、光学镜头、精密电子基板以及元器件、医疗用具等等对包装材料有特殊要求的场合。用来防止静电的产生而引起的污染及破坏精密电子产品。相关产品已取得高新技术产品证书，拥有发明专利：ZL200410047750.0。本项目采用国
42、际上先进的设备机型，工艺技术处于国际水平。具有自动化程度高，生产效率高的特点。（二）工艺流程生产工艺流程如下图：（1）印刷涂饰剂生产工艺印刷涂饰剂生产工艺流程框图见图1-1。搅拌料桶研磨NEO溶剂 送印刷车间NEO颜料图1-1 印刷涂饰剂生产工艺流程框图（2）印刷工艺干燥干燥收卷印刷2印刷1聚苯乙烯板或聚脂板油墨循环油墨循环图1-2 HTYJM-021050高速凹版印刷机印刷设备流程框图HTYJM-041050高速凹版印刷机印刷设备流程框图见图1-3干燥印刷2干燥印刷1聚苯乙烯板或聚脂板油墨循环油墨循环收卷干燥印刷4干燥印刷3油墨循环油墨循环图1-3 HTYJM-041050高速凹版印刷机印刷
43、设备流程框图工艺流程简述粒料干燥挤出机挤出换网压光成型托架冷却牵引收卷包装进料搅拌冷却反应混合分离搅拌分散检测（三）主要生产设备选择选型原则1、根据产品生产工艺要求及工艺参数，计算确定工艺设备的规格与数量。2、在满足工艺生产前提下，优先选用先进、高效性能的设备。主要设备该项目所需生产设备具体详见下表：主要生产设备一览表设备名称型号规格单 位数 量产 地真空型高速分散机MHK-10台2日本行星搅拌机PVM-700台2日本自动上料机300台2北京连续干燥机1 PET-300型台2兰州三辊压光机SJPF800型台2江苏单螺杆挤出机SJ12033台2江苏换网器台2江苏片材机头台2上海导电液制造设备套2
44、上海APET PETG CPET片材生产线/免干燥新型PET双排气生产线2上海粉碎机大连研磨机GMH-65L台1新黎明防爆电器有限公司搅拌机MH-200INV台1新黎明防爆电器有限公司电瓶叉车CPD15辆2安徽合力柴油叉车CPCD20辆2安徽合力空气压缩机推车式台4江宁冷却装置套1大连车间空气净化循环设备组1安徽辅助设备套2安徽低压配电ST300第三节 总平面布置及运输一、总平面布置原则（一）根据生产工艺流程、交通运输、环境保护、加工场所要求，以及防火、安全、卫生、施工及检修要求，结合自然条件合理布置生产加工车间及配套设施厂房。（二）在满足生产工艺要求下，尽量加大绿化面积，以美化加工环境。二、
45、总平面布置方案项目新建建筑物根据公司对基地建设设想及要求，综合建设用地四邻、市政条件、地形地势条件、规划条件、产品特点、生产工艺等因素。同时建筑物之间留有足够间距，道路宽度6-12米。厂区设人员出入口，总图平面布置符合规范。厂区设置两个大门，人流入口设在厂区东侧，货流入口设在厂区北侧，实现了人物分流，既方便管理和安全，又方便生产，便于保护厂区内有序的交通、生产环境。厂区主干道路面12米宽，四周支路宽6米，构建成利于消防、运输的环形路网。厂区绿化采用点、线、面相结合的原则，以出入口和办公楼周围为绿化重点，沿道路两侧种植行道树。厂区布置基本可满足企业生产和管理要求，并基本符合国家和地方有关环保、防火、安全、卫生等方面的要求。三、运输方式本项目场内运输由公司统一配置，采用叉车、板车、吊车等工具运输，尽量采用电瓶车、叉车等机
