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MOS管与三极管的静电击穿MOS管、三极管防静电击穿 MOS管一个静电释放敏感器件,它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电,又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。 静电击穿有两种方式； 一是电压型，即栅极的薄氧化层发生击穿，形成针孔，使栅极和源极间短路，或者使栅极和漏极间短路； 二是功率型，即金属化薄膜铝条被熔断，造成栅极开路或者是源极开路。 在MOS管栅极和源极之间加一个稳压二极管，把电位钳在稳压二极管的保护值之下，或者在栅极和源极之间加一个大电阻，使二极管的栅极和源极之间阻值巨大，近似开路，也可以起到保护作用。 三极管是电流控制元件，很小的基集电流都会引起发射极和集电极大的电流变化，所以常在三极管基集和受控集之间加一个较大的电阻防止三极管的误动和击穿。
