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1、电子电路填空题第一章 常用半导体器件 一填空题 1 物质按导电能力的强弱可分为和三大类，最常用的半导体材料是和, 2 根据在纯净的半导体中掺入的元素不同，可形成型半导体和型半导体。 3 纯净半导体又称半导体，其内部空穴和自由电子数。N型半导体又称型半导体，其内部少数载流子是；P型半导体又称型半导体，其内部少数载流子是 4 晶体二极管具有，即加正向电压时，二极管，加反向电压时，二极管。一般硅二极管的开启电压约为V锗二极管的开启电压约为(0.1)V;二极管导通后,一般二极管的 正向压降约为(0.7)V,锗二极管的正向压降约为(0.3)V 5 锗二极管开启电压小,通常用于(高频小信号检波电路),硅二
2、极管反向电压小,在(整流)及电工设备中长使用硅二极管. 6 稳压二极管工作于(反向击穿)区,稳压二极管的动态电阻越小,其稳压性能好(越好). 7 在稳压电路中,必须串接(限流)电阻,防止(反向电流)超过极限值而发生(热击穿)损坏稳压器. 8 二极管按制造工艺不同,分为(点接触)型,(面接触)型和(平面)型. 9 二极管按用途不同可分为(普通),(整流)(稳压),(开关).(光电),(发光).和(变容).等二极管. 10 二极管的主要参数有(最大整流电流).(最高反向工作电压).(反向饱和电流)和(最高工作频率). 11 稳压二极管的主要参数有(稳定电压),(稳定电流),和(动态电阻). 12
3、图1-1-1所示电路中,二极管V1,V2均为硅管,当开关S与N相接时,A点的电位为(3.7)V,当开关S与N相接时,A点的电位为(0)V. 13 图1-1-2所示电路中,二极管均为理想二极管,当S打开时,A点的电位为(1.6)MA;当开关S闭合时,A点的电位为(0),V,流过电阻的电流是(2)MA 14 图1-1-3所示电路中,二极管是理想器件,则流过二极管V1的电流为(0),流过V2的电流为(105)MA输出电压U0为(-5)V 15 光电二极管的功能是将(光)信号转换为(电)信号,发光二极管的功能是将(电)信号转换为(光)信号. 16 用数字式万用表测量二极管,应将功能开关置于(二极管)挡
4、,将黑表笔插入(COM)插孔,接二极管的(负)极;红表笔插入(V/ ).插孔,接二极管的(正)极,其显示的读数为二极管的(正向压降). 1-2 一,填空题 1三极管有两个(PN0结,分别为(发电结),(集电结),三极管分别为(基极)(发射极)和(集电极),三极管按内部不同可分为(NPN).(PNP). 2.晶体三极管实现电流放大作用的偏置条件是(发射结)正偏(集电结)反偏,电流分配关系是(Ie=Ib=Ic) 3.在模拟电子电路中，晶体三极管通常被用为元件，工作在输出特性曲线上的区；在数字电子电路中，晶体三极管通常别用作元件，工作在输出特性曲线上 ，区和区。 4.在一块正常放大电路板上，测得三极
5、管1.2.3脚对地电压分别为-10V，-14V，则该管为型材料三极管，1脚是，极2脚是极，3脚是极。 5.NPN型三极管，当UBE0.5v,UBEUce时，工作在状态；当Ube0.5V,UbeUce时，工作在状态；当UBE0时，工作在状态。 6.当温度升高时，三极管的放大系数将，穿透电流Iceo将，发射结电压Ube将。 7.衡量晶体三极管放大能力的参数是，三极管的主要极限参数有,(Ubrceo)(Iceo) 8.因为晶体三极管的穿透电流随温度的升高增大，而锗管的穿透电流比硅管所以三极管的热稳定性好。 9.三极管的输出特性曲线可分为三个区域，即区，区，和区，当三极管工作在区时，Ic=Ib才成立；
6、当三极管工作在饱和区时Uce=；当三极管工作在截止区时，Ic= 10.Iceo称为三极管的电流，它反映三极管的，Iceo 是Icbo的倍，选用管子时，希望Iceo尽量 11.测量晶体三极管3AX31的电流，当Ib=20.A时，Ic=2mA；当Ib=60.A时，则该管的为，Iceo=Icbo=(3.5.A). 12.设三极管的Pcm=150mW,Icm=100mA,Ubrceo=30V,若UCE=10V,Ic允许的最大值(为15mA);若Ic允许的最大值为若Ic=3mA,Uce允许的最大值为 13.复合管是由以上的三极管按一定的方式连接而成，用复合管能提高输出极的放大倍数。 14.由两只三极管构
7、成的复合管的类型，取决于三极管的类型，其电流放大系数= 1- 3场效应管 1. 晶体三极管是控制器件，是通过较小的的变化去控制较大的的变化。 2. 场效应管是控制器件，是用电压控制电流，具有和特点 3. 场效应管按其结构不同分为型和型两大类，每类有沟道和沟道两种，绝缘珊场效应管按其工作状态又可分为型和型两种。 4. 场效应管的三个电极分别是。和。 5. 场效应管的输出特性曲线是Ugs为定值时与的关系曲线，输出特性曲线分别为区，和区。 6. 某耗尽型MOS管的转移特性曲线如图1-3-1所示，由图可知Idss=(4mA),UP=(-4v) 7. 图1-3-2是增强型MOS的一条输出特性曲线，当Ud
8、s=10V时，该管的Id= 8. 用N沟道增强型和P沟道增强型MOS管组成互补电路，称管，该管输入电流，功耗和工作电源范围，目前广泛应用于中。 9. VMOS管和UMOS管的最大特点是大，快。高和的线性度好，是理想的大功率器件。 10. 场效应管用于放大时，工作时区，三极管用于放大时，工作在区。 11. 场效应管的主要参数有。和 2- 1共发射极基本放大器 1. 一填空题 1. 放大器的只要功能就是不失真的放大 2. 放大器按用途不同可分为，和，按信号频率高低可分为，和等 3. 放大器的静态是指为零时的工作状态；当有输入信号时，电路中的电压，电流都随入信号作相应变化，称为 4. 为了使放大器不
9、失真地放大信号，放大器必须设置适当的，以保证三极管始终工作在区，场效应管工作在区。 5. 表征放大器静态工作点的参数主要指.(Icq)和 6. 在单级共射极放大器中，输出电压uo与输出电压ui相同，相似，得到放大，而它们的相反。 2-2 放大器的分析方法 一填空题 1分析放大器的性能，通常采用和法 2图解法就是利用三极管的曲线，通过方法来分析放大器的工作情况。 3共发射极基本放大器兼有和作用。 4放大器的放大倍数有和三种。 5直流负载线反映时，集电极电流与管压降之间的变化关系；交流负载反映时，集电极电流与管压降之间的变化关系。 6直流负载线主要用来确定，由通路决定；交流负载由通路决定，它与晶体
10、管的输出特性曲线一起用来分析和的变化情况。 7画放大器的直流通路时把视为开路，画交流通路时把和状态，若测的UcVcc，则三极管处于状态。 10对于一个放大器，为提高它带负载的能力，其输出电阻要，为减轻信号源的负担，其输入电阻要。 11已知一共射极单极当大器，电压放大倍数为100，若放大器的输入电压Ui=30sinwt，mV，则放大器输出电压u0=）V。 23 静态工作的稳定 填空题 1影响静态工作点稳定的主要因素是，此外，和也会影响静态工作点的稳定。 2在共射基本放大器中管，若静态工作点设置偏高，易产生失真，减小饱和失真的方法是使Rb，Q点；静态工作点设置偏低，易引起失真，此时，ic的半周出现
11、平顶，uce的半周出现平顶。 3温度变化使放大器的静态工作点不稳定，温度升高使UBE，ICBO，最终导致IC，Q点，最常用的稳定静态工作点的放大电路是。 4在图2-3-1所示电路中，仅增大Rb,UCEQ将，仅减小RC，UCEQ将，仅增大RL，UCEQ将，仅换小的管子，UCEQ将，VCC在一定范围内减小，UCEQ将。 5在上题中，三极管的输出特性曲线，直流负载线MN及交流负载线JH,如图2-3-2所示，由图可知：Vcc=(12).IcQ=(3mA).UceQ=(6V).Rc=(2k).RL=(4K).=(100).Au=(114),最大不失真输出的电压Uom=(4V)，基极电流的最大交流分量Ib
12、max=(30A),最大输出电压幅值Uimax=(35mV)。 24 放大器的三种基本接法 填空题 1. 放大器有.和三种基本组态，其中组态输出电阻最低，组态输入电阻最低，组态兼有电流和电压两种放大作用。 2. 共集电极放大器又称它的特点是：电压放大倍数小于而接近于，输出电压与输入电压相位，输入电阻输出电阻。 3. 共基极放大器是输入信号从三极管的(发射)极与(基)极之间输入，从(集电)极与(基)极之间输出，(基)极为公共端，最大的优点是频率特性好，常用于高频和宽频带电路中。 4. 电路如图241所示，=100，UBEQ=0.7V，则静态工作IBQ=100A，ICQ=100mA，UCEQ=5.
13、8V。 5. 场效应管放大器有共源.共漏和共栅三种接法，耗尽型MOS管组成放大器，则要用分压式偏置电路。 6. 在基本放大器不能满足性能要求时，常采用组合放大器接有发射极电阻的共射极放大器有源负载的共射极放大器。等多种方法改善其性能。 25 多极放大器 填空题 1. 多极放大器的级间耦合方式有阻容耦合.变压器耦合.直接耦合和光电耦合等四种。 2. 在多级放大器中阻容耦合和变压器耦合，能使各级的静态工作点相互独立，为使前后级能实现阻抗匹配，应采用变压器耦合，如需放大直信号，应采用直接耦合，光电耦合适用于信号的隔离和远距离传送。 3. 光电耦合放大器，前级的输出信号通过发光二极管转换成光信号，再由
14、光电三极管将信号还原为电信号经放大后输出。 4. 直接耦合放大器存在前后级工作点相互影响及零点漂移问题，但低频特性好，便于集成化。 5. 在多级放大器中，前级是后级的，它的输出点阻r0就是信号源的内阻;而后级是前级的负载,它的输入电阻ri就是前级的负载电阻. 56.某二级放大器,AU1=100,AU2=1000,则总的放大倍数AU=110,总的电压增益GU=100dB. 7.多级阻容耦合放大器的输入电阻,就是第一级放大器的输入电阻,而输出电阻,就是最后一级放大器的输出电阻. 8.放大器的频率响应,指放大器的放大倍数和信号频率之间的关系,也称反对放大器的频率特性. 9.阻容耦合放大器在低频段放大倍、数下降,主要是由耦合电容和射级旁路电容造成的;高频段放大倍数下降,主要是由于下降和晶体管结电容造成的. 10.当放大器的电压放大倍数下降为最大电压放大倍数的0.707倍时,所对应的两工人频率,分别称为下限频率和上线频率,这个频率之间的频率范围,称为放大器的通频带,它是 放大器频率响应的一个重要指标. 11.多级放大器与单级放大器相比,电压增益较大,通频带较窄.
