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MgZnO/ZnO单量子阱结构的光波导效应文章来源 毕业论文网 全部作者： 边旭明 张景文 侯洵 第1作者单位： 西安交通大学陕西省信息光子技术重点实验室 论文摘要： 为了精确的设计建模MgZnO/ZnO异质结光电设备，对ZnO及其合金的基本光电特性有个精确的认识是很重要的。目前， MgZnO/ZnO量子阱光波导效应还没有报道。我对MgZnO/ZnO量子阱的光波导效应作了初步的研究，对不同情况下量子阱结构的光强分布和有源层的光限制因子做了计算，综合考虑了有源层厚度、波导层的厚度及波导层x值变化对以上参数的影响。在以上计算结果的基础上，对有源层和波导层的厚度、波导层和限制层的Mg浓度x做了光学方面的优化设计。通过分析计算结果得到了优化的波导层厚度和适宜的波导层Mg摩尔含量，建立了比较具体的MgxZn1-xO/ZnO5层分别别限制单量子阱模型。 关键词： MgZnO/ZnO量子阱，光波导效应，光限制因子，光强分布 (浏览全文) 发表日期： 2006年11月27日 同行评议： （暂时没有） 综合评价： （暂时没有） 修改稿：
