化学浴沉积ZNSE薄膜及其光学特性研究.doc

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1、化学浴沉积ZnSe薄膜及其光学特性研究文章来源 毕业论文网 全部作者: 陈良艳 张道礼 黄川 张建兵 第1作者单位: 华中科技大学电子科学与技术系 论文摘要: ZnSe作为重要的宽禁带-族半导体,在蓝绿光发射器件、非线性光电器件、红外器件以及薄膜太阳能电池等方面有着广泛的应用。化学浴沉积法是1种低能耗、污染小的合成路线。本文使用3乙醇胺和水合阱等做络合剂,选用合适的阳离子(醋酸锌或硫酸锌)和阴离子源(硒脲或硒带硫酸钠)浓度配比,沉积出均匀的ZnSe薄膜,薄膜呈淡黄色。用SGC-2型椭偏仪测得薄膜厚度约为100-140nm;通过X-射线衍射测得400下N2气氛中退火的薄膜呈闪锌矿结构,可见光范围

2、内的透光率可达70以上,禁带宽度为3.0eV左右,同块体材料相比(2.7eV),表现出1定的蓝移。 关键词: 化学浴 硒化锌薄膜 光学特性 (浏览全文) 发表日期: 2006年08月25日 同行评议: 该文报道了化学浴法制备ZnSe薄膜的有关结果。尽管文章的结构合理,书写规范,给出的实验结果可信,但是从本质上说该工作缺乏新意。论文中提及薄膜禁带宽度比体材料有所增加,但没有给出合理的解释。此外,薄膜的表面形貌和微观结构的表征在文中没有给出。总之,该文在实验路线上缺乏新意,在对实验结果的解释上缺乏深度。 综合评价: 修改稿: 注:同行评议是由特聘的同行专家给出的评审意见,综合评价是综合专家对论文各要素的评议得出的数值,以1至5颗星显示。

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