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1、类石墨烯二维材料的研究进展报告人 李江军李江军:1988年3月出生于四川省，2011年7月西北大学本科毕业，2011年至今在中科院化学所分子纳米结构与纳米技术实验室研究生学习。 摘要内容(Introduction):石墨烯是由单层碳原子所构成的二维蜂窝状结构的材料，是构成其它碳材料的基本结构基元，如三维石墨，一维碳纳米管及零维富勒烯。从石墨烯最初的机械剥离到其优异的电学性能的发现，都引起了学术界浓厚兴趣。根据报道，石墨烯还具有其它优异的性能，比如说2.3%的光谱吸收率，高的比表面积，高杨氏模量和优异的热电导性质。目前，石墨烯在高速电子和光学器件，能源制造和存储，杂化材料，化学传感器及DNA序列
2、测定中都已经得到了广泛的应用。然而，由于单层石墨烯不具有带隙，原始的石墨烯在室温下不能用于构筑低储用功率损耗的逻辑电路，导致石墨烯场效应晶体管中的的电流开关比很小。石墨烯在这一类中的应用前提是能够大量可控地生长石墨烯，因为石墨烯的层数和缺陷极大地影响了其传输性能。机械剥离、溶液剥离，氧化石墨烯的还原，CVD法，表面偏析和分子束外延生长都为石墨烯的生长提供了渠道，但是精确控制石墨烯的层数和结构仍然具有一定的困难，因此石墨烯的生长工艺仍在研究中。除此之外，石墨烯的另一个重要挑战是其在光电应用中的硅基技术中的集成问题。由于发现石墨烯独特的性质，二维材料如金属硫簇化合物，过渡金属氧化物及其它二维化合物
3、等引起了学术界浓厚的兴趣。其中，过渡金属二硫属化物具有三明治结构，中间的夹心层由金属原子（Mo,W,Nb,Re,Ni,V等）以六边形构成，上下两层由硫簇原子（通常是S,Se和Te）,形成了大约40种不同的材料。除此之外还有层状过渡金属氧化物如MoO3,La2CuO4，绝缘体六角状氮化硼（h-BN）,拓扑绝缘体如Bi2Te3,Sb2Se3和Bi2Se3，其共同特点是可以进一步堆积成三维结构。单层以内是依靠共价键连接的，而多层结构层间依靠的是范德华力来连接的。这些材料覆盖的范围很广，从绝缘体到金属，显示了特殊的性质，例如拓扑绝缘效应，超导性，热电性等。尤其是碳簇的类石墨烯二维材料硅和锗，已经从理论
4、和实验方面取得了一定进展，表现出了与石墨烯相类似的性质。由于二维材料具有独特的性质和高的比表面积，因此在光电，自旋电子学，催化，化学和生物传感，超级电容器，太阳能电池，锂离子电池中具有重要的应用。研究表明将石墨烯建立在h-BN单层上（机械剥离），并以薄层h-BN作为顶部介电层构筑场效应晶体管，获得了与悬浮石墨烯相当的迁移率，该现象归因于h-BN的超平和纯净的表面。与无带隙的单层石墨烯和具有一定带隙的双层石墨烯及复杂处理后的石墨烯纳米带相比，单层MoS2为直接带隙半导体材料，在数字电路和发光二极管中具有潜在应用价值。例如，单层MoS2场效应晶体管在室温下的开关比高达108，比石墨烯场效应晶体管要
5、高很多。尽管一维结构的半导体器件是可能实现的，但是它们在高场，可扩展的系统中的应用仍然受到很大的限制，这是因为一维材料的性质强烈依靠直径和长度的变化。而二维材料可以避免这些限制，因为二维几何结构与器件的设计和构筑过程是兼容的，且已经在半导体工业中得到了应用。通过传统的材料合成方法可以改变二维材料的尺寸和厚度，从而调节其光学和电学性质。将二维层状结构晶体的厚度降低到单层或者几层，得到的类石墨烯结构的电学和光学性质可能会发生明显的变化，并表现出石墨烯所不具有的性质，如硅谷物理和量子自旋霍尔效应。这使得类石墨烯二维材料成为一大研究热点，更多的研究工作将致力于类石墨烯材料的基础和应用研究。参考文献：1 Mingsheng Xu. Graphene-Like Two-Dimensional Materials. Chem. Rev. 2013, 37663798
