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1、知识单元一:常用元器件知识点一:二极管一、 PN结的单向导电性:1) 考核等级1,难度系数1,建议分值21. PN结的主要特性为_。(a)正向导通特性(b)单向导电性(c)反向击穿特性答案:(b)2) 考核等级1,难度系数2,建议分值22.二极管的正向电阻远_反向电阻。(a)大于(b)小于答案:(b)3.二极管的导通条件是_。(a)uD0(b)uD死区电压(c)uD击穿电压(d)uDR2(b)R1=R2(c)R1R2(d)说不清哪个大答案:(c)用万用表检查二极管的好坏,正反各测两次,当两次测量为如下_状态时,二极管为坏的。(a)两次偏转相差很大(b)两次偏转都很大答案:(b)7.用万用表R1
2、K档判别二极管的管脚,在测得指针偏转很大那次红表笔接_。(a)正极(b)负极答案:(b)用万用表R100档判别二极管的管脚,在测得阻值较小那次黑表笔接_。(a)P极(b)N极答案:(a)8.不能用R10K档测量二极管的原因是该档位_。(a)电源电压过大,易使二极管击穿(b)电流过大,易使二极管烧毁(c)内阻太小,易使二极管烧毁答案:(a)9.用万用表不同欧姆档测量二极管正向电阻时,会观察到其测得的阻值不同,其根本原因是_。(a)万用表不同的欧姆档有不同的阻值(b)二极管有非线性的特性(c)二极管的质量差答案:(b)10.由Ge二极管VD,电压E和电阻R(R=3k)组成的电路如图示,该电路中电流
3、比较准确的值是_。(a)0(b)0.27mA(c)0.4mA(d)0.5mA答案:(c)由Ge二极管VD,电压E和电阻R(R=2k)组成的电路如图示,该电路中电流比较准确的值是_。(a)0.6 mA(b)1.2mA(c)0.4mA(d)0.5mA答案:(a)由Si二极管VD,电压E和电阻R(R=2k)组成的电路如图示,该电路中电流比较准确的值是_。(a)0(b)0.27mA(c)0.4mA(d)0.75mA答案:(c)由Si二极管VD,电压E和电阻R(R=1k)组成的电路如图示,该电路中电流比较准确的值是_。(a)0(b)0.8mA(c)0.4mA(d)1.2mA答案:(b)11.以下图示电路
4、中,二极管的工作状态分别为_。(a)VD1截止,VD2导通(b)VD1,VD2都导通(c)VD1,VD2都截止(d)VD1导通,VD2截止答案:(d)如图示,假设二极管为理想二极管,流过二极管VD1和VD2 电流分别为_。(a)20mA,20mA(b)20mA,0A(c)0A,20mA答案:(b)4) 考核等级1,难度系数4,建议分值212.电路如图示,VD1和VD2为理想二极管,R=6k,E1=4V,E2=10V,VD1和VD2的状态分别为_。(a)VD1,VD2均截止(b)VD1,VD2均导通(c)VD1截止,VD2导通(d)VD1导通,VD2截止答案:(c)13.如图示电路, VD1和V
5、D2为理想二极管,图中VD1,VD2的状态为_。(a)VD1,VD2导通(b)VD1导通,VD2截止(c)VD1导通,VD2截止答案:(c)NR如图示电路, VD1和VD2为理想二极管,图中VD1,VD2的输出U0为_。(a) U0=4V(b) U0=10V(c) U0=1V答案:(c)5) 考核等级1,难度系数5,建议分值214.如图示电路,VD1,VD2,VD3均为理想二极管,A,B,C白炽灯泡功率都相同,以下说法正确的是_。(a)一样亮(b)A最亮(c)B最亮(d)C最亮答案:(c)二、二极管的伏安特性:1) 考核等级2,难度系数3,建议分值215.二极管的伏安特性是_。(a)线性(b)
6、非线性答案:(b)二极管的伏安特性可分为_部分。(a)一(b)二(c)三(d)四答案:(d)2) 考核等级2,难度系数3,建议分值216.需要热稳定性好的二极管,一般选用_材料。(a)Si材料(b)Ge材料答案:(a)受温度影响小的二极管为_管。(a)Si(b)Ge17.Si二极管的导通电压和死区电压分别为_。(a)0.7V,0.3V(b)0.3V,0.2V(c)0.7V,0.5V答案:(c)Ge二极管的导通电压和死区电压分别为_。(a)0.7V,0.3V(b)0.3V,0.2V(c)0.7V,0.5V答案:(b)18.下图给出了锗二极管和硅二极管的伏安特性,锗管的特性曲线是_。(a)由a和c
7、组成(b)由a和d组成(c)由b和c组成(d)由c和d组成答案:(c)19.如下图所示几条曲线中,表示理想二极管正向伏安特性的是_。答案:(c)三、二极管的主要参数及二极管的选用:1) 考核等级2,难度系数3,建议分值220.硅的单向导电性比锗的_。(a)好(b)差答案:(b)二极管的IR参数的值愈_,说明其单向导电特性愈好。(a)大(b)小答案:(b)21.要使二极管安全工作,在选择二极管时,主要根据二极管的_来选择。(a)IF,IR(b)UR,IR(c)IF,UR(d)fU,IR答案:(c)二极管的安全极限参数为_。(a)IF,IR(b)UR,IR(c)IF,UR(d)fU,IR答案:(c
8、)22.当温度升高后,二极管的正向电压和反向电流分别按如下规律变化_。(a)增大,减小(b)增大,增大(c)减小,减小(d)减小,增大答案:(d)当温度降低后,二极管的正向电压和反向电流分别按如下规律变化_。(a)增大,减小(b)增大,增大(c)减小,减小(d)减小,增大答案:(b)2) 考核等级2,难度系数4,建议分值2(共3题)23.同一测试电路中测得VD1,VD2,VD3三个二极管电流如下表所示.以下说法正确的是_。管号加0.5V正向电压时的电流加反向电压时的电流VD10.5mA1uAVD25mA0.1uAVD32mA5uA(a)VD1性能最好(b)VD2性能最好(c)VD3性能最好答案
9、:(b)24.如求得电路中二极管的IF=0.2A,URM=9.4V,选以下_种二极管较合适。(a)IF=300mA,URM=10V的IN4001(b)IF=100mA,URM=50V的2CZ52B(c)IF=3A,URM=25V的2CZ56A答案:(a)四、特殊二极管的特点及应用1) 考核等级3,难度系数2,建议分值225.两个稳压管的稳压值为6V和9V,正向压降均为0.7V,则用这两只稳压管串联可以组成_种稳压值的稳压电路。(a)2种(b)3种(c)4种答案:(c)两个稳压管的稳压值为6V和9V,正向压降均为0.7V,则用这两只稳压管并联可以组成_种稳压值的稳压电路。(a)2种(b)3种(c
10、)4种答案:(a)26.稳压二极管一般工作在_状态。(a)正向导通(b)反向截止(c)反向击穿答案:(c)稳压二极管的正向特性_用于稳压。(a)可以(b)不可以答案:(a)27.光敏二极管工作在_状态。(a)正向导通(b)反向击穿答案:(b)28.发光二极管(LED)的开启电压和击穿电压与普通二极管的开启电压和击穿电压相比为_。(a)开启电压低些,击穿电压低些(b)开启电压高些,击穿电压低些(c)开启电压低些,击穿电压低些答案:(b)2) 考核等级3,难度系数3,建议分值229.稳压二极管电路如图示,稳压管稳压值UZ=6.3V,正向导通压降UD=0.3V,其输出电压为_。(a)0.3V(b)0
11、.7V(c)7V(d)14V答案:(c)30.稳压管稳压电路如图示,UZ1=7V,UZ2=3V,该电路输出电压为_。(a)0.7V(b)1.4V(c)3V(d)7V答案:(c)31.稳压管电路如图所示,UZ1=UZ2=7V,正向导通时,UD=0.7V,该电路输出电压为_。(a)1.4V(b)7V(c)10V(d)14V答案:(d)32.稳压电路如图所示,UZ1=UZ2=6.3V,UD1=UD2=0.7V,该电路输出电压为_。(a)6.3V (b)0.7V(c) 7V(d)5.6V答案:(b)33.稳压电路如图所示,UZ1=8.5V,UZ2=5.5V,UD1=UD2=0.5V,该电路输出电压为_
12、。(a)3V(b)5.5V(c)8.5V(d)14V答案:(a)34.稳压电路如图所示,已知UZ1=UZ2=7V,UD1=UD2=0.7V,输出电压U0为_。(a)0.7V(b)14V(c)7.7V(d)1.4V答案:(d)35.稳压二极管电路如图示,稳压管稳压值UZ=5.3V,正向导通压降UD=0.7V,其输出电压为_。(a)6V(b)0.7V(c)7V(d)5.3V答案:(a)36.稳压管稳压电路如图示,UZ1=5.7V,UZ2=2.3V,正向导通时,UD=0.7V,该电路输出电压为_。(a) 6.4V(b)5.7V(c)2.3V(d)0.7V答案:(c)37.稳压管电路如图所示,UZ1=
13、UZ2=8.3V,正向导通时,UD=0.7V,该电路输出电压为_。(a)1.4V(b)9V(c)8.3V(d)16.6V答案:(d)38.稳压电路如图所示,UZ1=UZ2=4.3V,UD1=UD2=0.7V,该电路输出电压为_。(a)4.3V (b)0.7V(c)5V(d)1.4V答案:(b)39.稳压电路如图所示,UZ1=9.5V,UZ2=7.5V,UD1=UD2=0.5V,该电路输出电压为_。(a)2V(b)5.5V(c)8.5V(d)14V答案:(a)五、二极管应用电路: 1) 考核等级3,难度系数3,建议分值240.电路如图示,输出电压U0应为_。(a)0.7V(b)8.7V(c)8V
14、(d)7.3V答案:(a)电路如图示,输出电压U0应为_。(a)8V(b)20V(c)8.7V(d)12V答案:(b)41.电路如图示,VD1和VD2为理想二极管.R=6k,E1=6V,E2=12V,U0的值为_。(a)-6V(b)12V(c)6V答案:(a)电路如图示,VD1和VD2为理想二极管.R=6k,E1=6V,E2=12V,U0的值为_。(a)-6V(b)12V(c)6V答案:(a)电路如图示,VD1和VD2为理想二极管.R=6k,E1=6V,E2=12V,U0的值为_。(a)-6V(b)12V(c)6V答案:(a)42.如图示电路, VD1和VD2为理想二极管,输出U0为_。(a)
15、-9V(b)0V(c)-12V答案:(b)43.如图示电路,VD1,VD2正向压降均为0.7V,输出电压U0为_。(a)-1.3V(b)0.7V(c)6.7V答案:(a)44.如图示电路,VD1,VD2正向压降均为0.7V,输出电压U0为_。(a)12V(b)3.7V(c)2.3V答案:(b)如图示电路,VD1,VD2正向压降均为0.7V,输出电压U0为_。(a)3.7V(b)0.7V(c)6.7V答案:(b)45.电路如图示,已知UA=5V,UB=0V,二极管VD1和VD2的正向压降为0.7V,输出U0为_。(a)0.7V(b)4.3V(c)-10V答案:(b)46.如图示电路,VD1,VD
16、2为理想二极管,R=6.当用万用表R1档时,黑表笔接A点,红表笔接B点,则万用表的指示值为_。(a)18(b)9(c)3(d)2答案:(a)47.如图示电路,当电源电压UI=5V时,测得I=1mA.若把电源电压调到UI=10V,则电流的大小将是_。(a)I=2mA(b)I2mA答案:(c)如图示电路,高电路中UI=5V时。当温度为20时,测得二极管的电压UD=0.7V,当温度上升到40时,则UD的大小将是_。(a)UD=0.7V(b)UD0.7V答案:(b)2) 考核等级2,难度系数4,建议分值248.如图示电路,已知E=5V,ui=10sintV,VD为理想二极管,输出电压的波形为_。答案:
17、(a)49.如图示电路,已知E=5V,ui=10sintV,VD为理想二极管,输出电压的波形为_。答案:(b)50.如图示电路,已知E=5V,ui=10sintV,VD为理想二极管,输出电压的波形为_。答案:(b)51.如图示电路,已知E=5V,ui=10sintV,VD为理想二极管,输出电压的波形为_。答案:(a)52.如图示电路,已知E=5V,ui=10sintV,VD为理想二极管,输出电压的波形为_。答案:(c)53.如图示电路,已知E=5V,ui=10sintV,VD为理想二极管,输出电压的波形为_。答案:(d)54.如图示电路,已知E=5V,ui=10sintV,VD为理想二极管,输
18、出电压的波形为_。答案:(d)55.如图示电路,已知E=5V,ui=10sintV,VD为理想二极管,输出电压的波形为_。答案:(c)56.如图示电路,已知输入信号ui=6sintV,二极管VD承受的最高反压为_。(a)6V(b)3V(c)-3V(d)-6V答案:(b)57.如图示电路,其中二极管为导通状态的电路为_。答案:(b)58.如图示电路,设VD1,VD2的正向导通压降为UD=0.7V,求U0为_。(a)0.7V(b)-11.3V(c)-12.7V(d)-0.7V答案:(d)3) 考核等级3,难度系数5,建议分值259.电路如图示,已知E1=6V,UE2=5V,ui=10sintV,输
19、出波形为_。答案:(b)知识单元一:常用元器件知识点二:三极管一、三极管的结构及电流分配和放大:1) 考核等级1,难度系数1,建议分值21.三极管按结构可分为_。(a)NPN和PNP(b)结型和MOS型答案:( a)2.NPN型和PNP型晶体管的区别是_。(a)由两种不同材料Si和Ge组成(b)掺入杂质不同(c)P区和N区的位置不同答案:(c)2) 考核等级1,难度系数2,建议分值23.三极管按用途分,可分为_。(a)NPN和PNP(b)放大和开关答案:(b)三极管按材料分,可分为_。(a)Si管和Ge管(b)NPN和PNP答案:(b)4.三极管的集电区和发射区掺杂材料相同,则EB_互换使用。
20、(a)可以(b)不可以答案:( b)5.有关三极管的内部结构,以下说法错误的是_。(a)三个区,两个PN结,三个电极(b)基区薄,掺杂低(c)发射结面积大(d)发射区掺杂浓度高答案:(c)3) 考核等级1,难度系数3,建议分值26.三极管属于_控制型器件。(a)电压(b)电流答案:(b)7.工作在放大区的某晶体管,当IB从20A增大至40A时,IC从1mA变为2mA,则它的值约为_。(a)10(b)50(c)100答案:(b)8.测得晶体管IB=30A时,IC=2.4mA,IB=40A时IC=3mA,则该管的交流放大系数为_。(a)80(b)60(c)70(d)100答案:(b)测得晶体管IB
21、=15A时,IC=2.5mA,IB=20A时IC=4mA,则该管的交流放大系数为_。(a)15(b)150(c)1500(d)100答案:(b)9.某PNP型晶体管的发射极电流等于1mA,基极电流等于20A,则它的集电极电流等于_mA。(a)0.98(b)1.02(c)0.8(d)1.2答案:(a)某NPN型晶体管的集电极电流等于1mA,基极电流等于20A,则它的发射极电流等于_mA。(a)0.98(b)1.02(c)0.8(d)1.2答案:(b)10.如果如果在放大电路中的三极管的电流如图示,1,2,3脚分别为_。(a)BCD(b)BEC(c)CBE答案:(b)如果如果在放大电路中的三极管的
22、电流如图示,该三极管的类型为_。(a)NPN(b)PNP答案:(a)11.如果工作在放大电路中的三极管电流如图示,则该管管型为_。(a)NPN(b)PNP答案:(a)12.如果工作在放大电路中的三极管电流如图示,若穿透电流可忽略,则该管管型为_。(a)NPN(b)PNP答案:(b)如果工作在放大电路中的三极管电流如图示,若穿透电流可忽略,则三极管三个脚分别为_。(a)BCD(b)BEC(c)CEB答案:(c)13.依三极管三个极实际电流电流判断管型的方法是,若两个极流入,一个极流出,则必为_。(a)PNP型(b)NPN型答案:(b)4) 考核等级1,难度系数4,建议分值214.如果工作在放大电
23、路中的三极管电流如图示,则3脚_。(a)为集电极,电流为流入,值为6mA(b)为发射极,电流为流入,值为6mA(c)为集电极,电流为流出,值为6mA答案:(c)15.如果工作在放大电路中的三极管电流如图示,若穿透电流可忽略,则约为_。(a)40(b)41(c)400答案:(a)如果工作在放大电路中的三极管电流如图示,则约为_。(a)101(b)200(c)100答案:(c)16.晶体管具有电流放大功能,这是由于它在电路中采用_接法。(a)共射和共基(b)共射和共集(c)共集和共基(d)任何接法答案:(b)二、三极管的输入输出曲线、UBE及三极管的工作状态: 1) 考核等级1,难度系数1,建议分
24、值217.晶体管可分为_个工作状态。(a)一(b)二(c)三(d)四答案:(c) 晶体管可分为_三个工作区。(a)放大、饱和及截止(b)可变电阻、恒流及截止答案:(a) 18.晶体管共射电路输入特性表示_。(a) IB与UBE的关系(b) IC与UBE的关系答案:(a)2) 考核等级1,难度系数2,建议分值219.晶体管共射电路输出特性常用一族曲线表示,其中每一条曲线对应一个特定的_。(a)iC(b)uCE(c)IB(d)iE答案:(c)20.温度升高时,三极管的共射输入特性曲线,输出特性曲线及输出特性曲线之间的间隔将作如下变化_。(a)右移,上移,减小(b)左移,上移,增大(c)左移,下移,
25、增大答案:(b)21.Ge三极管的死区电压及UBE的值分别为_。(a)0.3V,0.5V(b)0.2V,0.3V(c)0.5V,0.7V答案:(b)3) 考核等级1,难度系数3,建议分值222.测得某放大电路中晶体管的三个管脚1,2,3的电位分别为2V,6V和2.7V,则管脚1,2,3对应的三个极是_。(a)EBC(b)ECB(c)CBE(d)BEC答案:(b)测得某放大电路中晶体管的三个管脚1,2,3的电位分别为0V,-0.2V和-3V,则管脚1,2,3对应的三个极是_。(a)EBC(b)ECB(c)CBE(d)BEC答案:(a)测得某放大电路中晶体管的三个管脚1,2,3的电位分别为12V,
26、12.7V和6V,则管脚1,2,3对应的三个极是_。(a)EBC(b)ECB(c)CBE(d)BEC答案:(d)23.发射结正偏,集电结反偏是晶体管工作在_区的外部条件。(a)放大(b)饱和(c)截止答案:(a)发射结,集电结均正偏,三极管工作在_区。(a)放大(b)饱和(c)截止答案:(b)24.NPN型三极管工作在放大区时,三个极的电位特征是_。(a)UCUBUE(b)UCUBUBUBUE(b)UCUBUE(c)UEUC答案:(b)25.当电路中三极管各极电位如图示,三极管工作在_状态。(a)饱和(b)放大(c)截止答案:(c)测得电路中三极管三个极电位如图示,该三极管工作在_状态。(a)
27、放大(b)截止(c)饱和答案:(c)测得电路中三极管三个极电位如图示,该三极管工作在_状态。(a)放大(b)截止(c)饱和答案:(c)26.电路如图示.现时电路中参数为UCC=15V,Rb=390k,RC=3.1k,=100,电路中三极管工作在_状态。(a)放大(b)饱和(c)截止答案:(a)电路如图示,电路中UCC=18V,Rb=310K,RC=4.7K,=100,三极管工作在_状态。(a)放大(b)饱和(c)截止答案:(b)27.电路如图示,已知|UBE|=0.2V,-UCC=-6V,Rb=100K,RC=1K,=80,三极管工作在_状态。(a)放大(b)饱和(c)截止答案:(a)电路如图
28、示,已知|UBE|=0.2V,-UCC=-12V,Rb=310K,RC=3.9K,=100,三极管工作在_状态。(a)放大(b)饱和(c)截止答案:(b)28.电路如图所示,测得UC=6.2,UB=1.2V,UE=0.5V,三极管工作在_状态。(a)放大(b)饱和(c)截止答案:(a)电路如图所示,测得UC=0.4V,UB=1.0V,UE=0.3V,三极管工作在_状态。(a)放大(b)饱和(c)截止答案:(c)29.电路如图所示,若测得UB=1.7V,UE=1.0V,UC=0V,电路有可能的故障为_。(a)三极管C极开路,三极管作为二极管使用(b)三极管工作在饱和状态(c)三极管B极开路答案:
29、(a)电路如图示,测得UB=0V,UE=0V,UC=12V,电路有可能的故障为_。(a)E极开路(b)Rb和B极间可能开路(c)C极和RC间可能开路答案:(b)电路如图示,测得UB=12V,UE=0V,UC=12V,电路有可能的故障为_。(a)RC断开(b)三极管C极断开(c)三极管B极或E极引线可能断开答案:(c)4) 考核等级1,难度系数4,建议分值230.电路如图示,若三极管ICM=200mA,UCC=30V,RC的电阻最小为_。(a)1k(b)2k(c)1.5k答案:(c)31.电路如图示,用直流电压表测某放大电路中三极管的三个极对地的电压值如图示,该管为_。(a)NPN型Ge材料,1
30、,2,3脚为ceb(b)NPN型Si材料, 1,2,3脚为cbe(c)PNP型Ge材料, 1,2,3脚为ebc(d)PNP型Si材料, 1,2,3脚为bed答案:(b)电路如图示,用直流电压表测某放大电路中三极管的三个极对地的电压值如图示,该管为_。(a)NPN型Ge材料,1,2,3脚为ceb(b)NPN型Si材料,1,2,3脚为cbe(c)PNP型Si材料,1,2,3脚为ebc(d)PNP型Ge材料,1,2,3脚为bec答案:(c)32.三极管接成图示电路,已知UBE=0.7V,=60,Rb=30k,RC=1.5k.当UI=2V和3V时,三极管的工作状态分别为_。(a)饱和,放大(b)放大,
31、饱和(c)放大,截止(d)饱和截止答案:(b)33.用万用表的电阻档测量,来判断三极管的三个脚的方法是_。(a)先找E,再找C和B及判定类型(b)先找C极并判定类型,再找B和E极(c)先找B极并判定类型,再找E和C极答案:(c)5) 考核等级1,难度系数5,建议分值234.用直流电压表测图中所示电路的UCE,当UCE的值分别为0,9V,4V三种情况下晶体管分别工作在_。(a)饱和,截止,放大(b)饱和,放大,截止(c)截止,饱和,放大答案:(a)35.电路如图示,已知UBE=0.7V,=60,Rb=30K,RC=1.5K,若临界饱和压降UCES=0.7V,UI为_时,三极管正好处于临界饱和状态
32、。(a)1.2V(b)3.2V(c)2.13V答案:(c)36.测得电路中三极管3个电极UB,UC,UE的电位分别为下列各组数值:(1)0.7V,6V,0V(2)0.7V,0.6V,0V(3)1.7V,6V,1.0V(4)4.8V,2.3V,5.0V(5)-0.2V,-3V,0V(6)-0.2V,-0.1V,0V其中_对应的三极管T处于放大状态。(a)(1)(2)(3)(5)(6)组(b)(1)(3)(4)(5)组(c)(1)(2)(4)(5)组答案:(b)三、三极管的参数及选用: 1) 考核等级2,难度系数1,建议分值237.三极管的和ICBO属于_。(a)极限参数(b)性能参数答案:(b)
33、三极管的极限参数为_。(a)ICM,PCM,UBR(CEO)(b)ICM,UBE,PCM(c)ICM,IBM,UBR(CEO)答案:(a)2) 考核等级2,难度系数2,建议分值238.若两只三极管的其它参数一样,ICBO的值越_越好。(a)大(b)小答案:(b)三极管的ICEO值越_,热稳定性越好。(a)大(b)小答案:(b)39.有两个三极管,A管的=150,ICEO=200A,B管的=50,ICEO=10A,其他参数一样,哪个管子的温度稳定性好_。(a)B管(b)A管答案:(a)40.晶体管的穿透电流ICEO大,说明其_。(a)工作电流大(b)击穿电压高(c)寿命长(d)热稳定性差答案:(
34、d)晶体管的ICBO小,说明其_。(a)工作电流大(b)击穿电压低(c) 热稳定性好(d) 寿命长答案:(c)3) 考核等级2,难度系数3,建议分值2(共14题)41.温度升高时,三极管的电流放大系数,反向饱和电流ICBO及正向发射结电压UBE分别作如下变化_。(a)变大,ICBO变小,UBE变小(b)变大,ICBO变小,UBE变大(c)变大,ICBO变大,UBE变小答案:(c)温度降低时,三极管的电流放大系数,反向饱和电流ICBO及正向发射结电压UBE分别作如下变化_。(a)变大,ICBO变小,UBE变小(b)变小,ICBO变小,UBE变大(c)变大,ICBO变大,UBE变小答案:(b)42
35、.造成晶体管永久损坏的是_。(a)工作电流大于ICM(b)工作电压超过UBR(CEO)(c)工作温度超过允许的耐热值答案:(c)43.关于三极管安全极限参数,以下说法错误的为_。(a)ICM为集电极最大允许电流ICM,若iC长时间大于ICM,可能导致三极管损坏(b)最大允许集电极损耗功率PCM=ICMUBR(CEO)(c)UBR(CEO)为基极开路时,集电极发射之间的最大允许电压,为反向击穿电压答案:(b)44.已知一个晶体管的ICEO为200A,当基极电流为20A时,集电极电流为1mA,则该管的ICBO约等于_。(a)8mA(b)10mA(c)5A(d)4A答案:(d)已知一个晶体管的ICE
36、O为100A,当基极电流为10A时,集电极电流为1mA,则该管的ICBO约等于_。(a)1mA(b)10mA(c)1A(d)10A答案:(c)45.有三个小功率管的参数如表所示,其中_管作放大用效果比较好。管号ICEOU(BR)CEOA240400uA10VB82uA40VC605uA30V(a)A管(b)B管(c)C管答案:(c)46.温度升高时,晶体管的击穿电压U(BR)CEO将_。(a)升高(b)不变(c)降低答案:(b)温度降低时,晶体管的击穿电压U(BR)CEO将_。(a)升高(b)不变(c)降低答案:(b)47.如图示电路,若三极管的U(BR)CEO=30V,则电源电压UCC最大不
37、超过_。(a)30V(b)20V(c)40V答案:(b)如图示电路,若三极管的U(BR)CEO=36V,则电源电压UCC最大不超过_。(a)18V(b)24V(c)36V答案:(b)4) 考核等级1,难度系数4,建议分值248.若电路中三极管的IC=1.5mA,电源电压UCC=20V,PC=80mW,选择如_种三极管较合适。(a)PCM=100mW,ICM=25mA,U(BR)CEO20V的3DG100A(b)PCM=100mW,ICM=20mA,U(BR)CEO30V的3DG100B(c)PCM=500mW,ICM=100mA,U(BR)CEO45V的3DG121D答案:(b)知识单元一:常
38、用元器件知识点三:场效应管考核等级4,难度系数3,建议分值2分1.场效应管是一种_控制型器件。(a)电流(b)电压答案:(b)2.场效应管是以_控制漏极电流ID。(a)UDG(b)UDS(c)UGS答案:(c)3.场效应管的3个电极G,D,S类同三极管的_电极。(a)e,b,c(b)b,c,e(c)c,b,e答案:(b)4.场效应管的N沟道,P沟道类同于三极管的_类型。(a)PNP和NPN(b)NPN和PNP答案:(b)5.场效应管漏极特性曲线如图示,此为_类型场效应管。(a)N增强MOS(b)N耗尽MOS(c)P增强MOS(d)P耗尽MOS答案:(a)6.场效应管漏极特性曲线如图示,此为_类型场效应管。(a)N增强MOS(b)N耗尽MOS(c)P增强MOS(d)P耗尽MOS答案:(c)7.场效应管漏极特性曲线如图示,此为_类型场效应管。(a)N增强MOS(b)N耗尽MOS(c)P增强MOS(d)P耗尽MOS答案:(d)8.场效应管漏极特性曲线如图示,此为_类型场效应管。(a)N增强MOS(b)N耗尽MOS(c)P增强MOS(d)P耗尽MOS答案:(b)9.如图示为MOS管的转移特性,此为_。(a)NMOS增强型开启电压UT=-3V(b)NMOS耗尽型,夹断电压U