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1、一.杂质半导体 1.型半导体 在本征半导体中,掺入微量价元素（如磷,锑、砷等）-型半导体。自由电子为多子；空穴为少子。,图 5-4 N型半导体共价键结构,第5章 二极管和三极管,2.P型半导体,在本征半导体中,掺入微量价元素（如硼、镓、铟等）,图 5 5 P型半导体的共价键结构,P型半导体-空穴为多子；自由电子为少子。,2.结的单向导电特性 1）.结外加正向电压电源：正极接区,负极接区-正向接法或正向偏置。形成正向电流,其方向由电源正极通过区、区到达电源负极。,2）结外加反向电压电源:正极接区,负极接区-反向接法或反向偏置。反向电流很小，近似为0。结处于截止状态,其阻值很大.,综上所述：结加正
2、向电压,处于导通状态；加反向电压,处于截止状态,即结具有单向导电特性。,图 5-8 PN结单向导电特性,3）结的击穿,.三极管的结构,图5-27 半导体三极管的符号,52 半导体三极管,二。三极管的电流放大作用：,三.半导体三极管的伏安特性（1）输入特性,常用,的曲线表示.,（2）输出特性,输出特性分三个区域，表示三种不同的工作状态。,截止区（状态）：处于,曲线以下的区域（,即发射结反偏，集电结反偏。,对三极管,BC,放大区（状态）：即发射结正偏，集电结反偏。此时,且,当IB不同时，得到一簇相互平行的曲线，不随,改变，为线性区。,对于三极管,工作在放大区时.V,而。,饱和区（状态）：即发射结正
3、偏，集电结正偏。此时,，但,表明b极电流失去了对c极电流的控制作用。,对NPN三极管,（2）极限参数 为使三极管安全工作，对它的工作电压、电流和功率损耗将受到限制，正常工作应在的安全工作区域,五PNP与NPN型三极管的比较,图5-24 三极管的共射组态放大电路偏置电路(a)NPN型(b)PNP型,表5.1.1 三极管各电极电位间的关系,1.二极管的特性是什么？2.已知三极管三个管脚1,2,3的电位分别是4V,3.4V,9V。求此三极管的三个管脚分别是对应什么极？此管是硅管还是锗管？是NPN管还是PNP管？3.已知三极管三个管脚1,2,3的电位分别是-6V,-2.3V，-2V。求此三极管的三个管
4、脚分别是对应什么极？此管是硅管还是锗管？是NPN管还是PNP管？,第6章 三极管放大电路,61 共射极基本放大电路,1直流分析直流通路-,时,），VCC起作用，,（,耦合电容相当于开路.,3交流分析(1)交流通路-当uS作用时，直流电压源VCC=0时，称为交流通路。,交流通路,-等效输入电阻，,估算式：,电压放大倍数:,输入电阻:,输出电阻:,源电压放大倍数:,图5.2 共射组态基本放大电路的构成,图5.3 直流通路,65 多级放大电路,1.阻容耦合阻容耦合放大电路级与级之间是通过电容和电阻连接的，如图5.19所示,图5.19 阻容耦合示意图,图5.20 变压器耦合示意图,3.光电耦合光电耦合
5、放大电路是以光信号做媒介实现电信号的级间传递的，如图5.22所示。,图5.22 光电耦合示意图,4.直接耦合直接耦合放大电路-就是把前级的输出端直接或通过电阻接至后级的输入端，如图5.23所示。,图5.23 直接耦合示意图,多级放大电路采用直接耦合方式，各级的静态工作点互相牵连。且最大缺点有温度漂移。,（零点漂移）,这是以分贝为单位的电压放大倍数。,根据元件的不同，有两类放大电路构成：,TTL电路,CMOS电路,TTL电路的输入输出部分是由晶体三极管构成；CMOS电路的输入输出部分是由场效应管构成。由于场效应管在制作工艺上的原因，使其输入电阻很高。它具有抗干扰能力强，功耗低等特点。,7.集成运
6、算放大器的应用,一.反相输入组态,比例系数可大于或等于1。当RF=0或R1=时，即RFR1=0时，电路成了电压跟随器，如图6.27。,图6.27 电压跟随器,7.4 负反馈对放大电路性能的改善,电路引入负反馈是以牺牲放大倍数为代价，换取对性能的改善。1.提高闭环增益,稳定性,2.减小非线性失真，抑制环内噪声,3.扩展通频带，减小频率失真,图6.23 负反馈可扩展通频带,电压反馈可以稳定输出电压；电流反馈可以稳定输出电流。,第10章 直流稳压电源,图10.1 直流电源的组成,1工作原理,图10.2 单相桥式整流电路,10.1 单相整流电路,10.1.1单相桥式整流电路,滤波,103 稳压电路,10.3.1并联型直流稳压电路,图10.12稳压管稳压电路,
