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1.2 半导体二极管的结构及特性,1.2.1 半导体二极管的结构和类型,构成：,PN结+引线+管壳=二极管(Diode),符号：,A,(anode),C,(cathode),分类：,按材料分,硅二极管,锗二极管,按结构分,点接触型,面接触型,平面型,第1章 半导体二极管,1.2.2 二极管的伏安特性,第1章 半导体二极管,正向特性,Uth,iD=0,Uth=0.5 V,0.2 V,(硅管),(锗管),U Uth,iD 急剧上升,0 U Uth,UD(on)=0.6 0.7 V,硅管0.7 V,0.2 0.3 V,锗管0.2 V,反向特性,IS,U(BR),反向击穿,U（BR)U 0,iD=IS,0.1 A(硅),几十A(锗),U U（BR）,反向电流急剧增大,(反向击穿),反向击穿类型：,电击穿,热击穿,反向击穿原因：,齐纳击穿：（Zener),反向电场太强，将电子强行拉出共价键。(击穿电压 6V,负温度系数),雪崩击穿:,反向电场使电子加速，动能增大，撞击使自由电子数突增。,PN结未损坏，断电即恢复。,PN结烧毁。,(击穿电压 6V,正温度系数),击穿电压在 6 V左右时，温度系数趋近零。,第1章 半导体二极管,1.2.3 温度对二极管特性的影响,T升高时，,UD(on)以 2 2.5 mV/C下降,第1章 半导体二极管,
