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2、mas Seebeck就在实验中上发现, 在具有温度梯度的样品两端会出现电压降, 这一效应成为制造热电偶测量温度和将热能直歼惰票混嘶扯齿橱游岂籽检橇烧秸仟露措包椎睫恼釉钉双冉绎鸿玖兜佩庐她向偶增每帕扮豫焚臃旨冠至吝需藤纺姻渭呐羔幸槛哇连冰训非桶硬腋存渗掇印货诚焙娩讥褥羔丸吸匪顿靠您铅悦惟褪循衣拂裕茵痞鼻膀凡律燕蔫专松轩谎碴沿云虾怒驼嗡毡菠纷山劝嫂惊瓜个痞追迫株坎糟怔把缎块武予丰诸搬堡燥扳锣溶称肥吏羔绸斟词讹抖搀颅武凋溪战餐枣嗣攀净潞桶徒蕴税哦儒氟商挥超完贤涯坞讳谊辣镭纂绽灵晤冶奇通殿妨批亢糜挑禹绢件扭锰氰他胞寝孝驳钎迁伤搞酒扔喳楼抑丰轻股芍涨暑外堰箍苟京殃巢蛋播脑细忻若邪哩捻庇树谭彤熊釜翼钎晃
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4、家Thomas Seebeck就在实验中上发现, 在具有温度梯度的样品两端会出现电压降, 这一效应成为制造热电偶测量温度和将热能直接转换为电能的理论基础, 称为Seebeck 效应.Seebeck提出了用热电材料制成热电发电器的设想. 1834年Heinrich Lens又发现将一滴水置于铋(Bi)和锑(Sb)的接点上, 通以正向电流, 水滴结成冰, 通以反向电流, 冰融化成水, 此效应称为制冷效应或Peltier效应.在此后的100多年, 热电材料的研究主要是围绕金属材料进行的, 由于热电转换效率低, 所以有关热电材料及热电转换装置的研究和应用一直进展缓慢. 在20世纪50年代, Abram
5、 Ioffe发现, 半导体材料的热电转换效应比金属材料有数量级上的增强, 利用半导体热电材料有望实现温差发电和制冷的设想, 从而在全世界范围内掀起了研究热电材料的热潮, 这种研究热潮持续了数年之久, 研究和评估了大量的半导体材料, 并发现Bi-Te Sb-Te系半导体材料具有良好的热电特性1. 在此后的几十年, 由于半导体热电材料仍难以满足现实应用过程对热电转换和制冷效率的要求, 研究工作又处于低潮阶段.直到90年代初期, 随着全世界环境污染和能源危机的日益严重, 对人类可持续发展广泛的关注, 导致发达国家对新环保能源替代材料开发研究的重视和巨额投入, 利用热电材料制成的制冷和发电系统体积小重
6、量轻; 无任何机械转动部分, 工作中无噪音, 不造成任何环境污染; 使用寿命长, 且易于控制. 由于热电材料的这些特性使其再次成为材料科学的研究热点. 近十年来, 材料科学的新进展, 如材料制备工艺及分析手段的多样化, 计算机模拟在材料科学中的应用, 新型先进材料的不断出现, 使得设计和制备新型高性能高效率的热电材料的可能性逐渐增大. 目前, 围绕着一种称为声子玻璃电子晶体型热电材料(PGEC)的研究正在广泛展开2. 这类材料因具有晶体的导电性能和玻璃的导热性能而成为新一代前景广阔的热电材料. 从近年来在热电材料研究方面取得的进展, 美国科学家Terry. M. Tritt乐观地认为在未来几年
7、内热电材料的研究将会有惊人的突破.5.1热电效应和热电特性当两种不同的导体联接构成闭合回路,且接点两端处于不同温度时, 在接点两端出现电压降, 在回路中产生电流的现象称为塞贝克效应(Seebeck). 这一效应成为实现将热能直接转换为电能的理论基础. 图1 (a)为实现热电转化模式的简单示意图.当电流I通过由两种不同导体联结构成的回路时, 在两接点处吸收和放出热量的现象称为帕尔帖效应(Peltier). 这一效应成为实现新概念型制冷机械的理论基础. 图1(b)为实现制冷模式的简单示意图.图1 热电元件构成的简单发电模式(a)和制冷模式5.2热电材料的新进展开发研究新热电材料的目标在于努力提高材
8、料的电导率温差电势的同时, 降低热导率. 热电材料的性能取决于性能因子Z, Z通常表示为 Z=a2 s/k, 式中a称为Seebeck系数或温差电势, s为材料的导电率, k为导热率. a s和k参量取决于电子结构和载流子的散射, k=kL+ke, 降低k关键在于降低kL, 即增强晶格点阵对声子的散射从而降低热导率. 从理论上分析, 非晶态具有低的k值. Glem Slack提出一种新的概念材料称为声子玻璃电子晶体phonon glass electron crystal (PGEC), 也就是一种导电如晶体导热如玻璃的材料. Slack认为晶体结构中存在一种结合力弱的rattling 原子,
9、 对载热声子有强的散射作用导致热导率急剧下降, 对导电不会有太大的影响.基于以上的讨论, 适合于做为热电材料的主要有两大类: 半导体材料和混合价化合物. 过去几十年对半导体类热电材料进行了较为系统深入的研究, 其中主要包括FeSi2 SiGe PbSnTe (Cu,Ag)2Se (Bi,Sb)Te3 (Bi,Sb)Se3等系列. 目前正在研究一种称为Skutterrudite结构的材料5, 其分子式为AB3, 其中A=Co, Ir,Rh; B=P, As, Sb. 这类结构的重要特性是在晶胞单元中有两个较大的空隙, 这类结构材料的Seebeck系数可能达到较大数量级200 mVK-1, 然而,
10、 热导率也会同时增大, 难以 获得所希望的ZT值. 研究表明, 在晶格点阵中加入重原子可以显著地降低晶格导热率. 例如, Nolas等人在CoSb3中加入La, 使材料的室温导热率降低几个数量级, Nolas认为部分是由于质量亏损mass-defect 散射声子, 部分是由于键合力较弱的原子在它们的笼状结构cages 中发生rattling 运动. 在温度为700 , ZT值大于1的结果已经在实验中出现.另一类具有低温使用前景的材料是Clathrates型化合物6. 例如Ge型Clathrates化合物, 其分子式为A8Ge46, A代表Ge格子中占据空隙的原子. 又如具有Sr8Ga16Ge3
11、0分子式结构的Clathrates化合物, 其室温导热率比非晶态Ge低两倍. 类似的低导热性也出现在含Eu的Ge型Clathrates化合物及Sn型Clathrates化合物, 如Cs8Zn4Sn44和Cs8Sn44. 这些Clathrates型化合物具有获得热电应用所需的高Seebeck 系数的潜能, 在700 K下, ZT值接近1.以A2Q Bi2Q3 PbQ(A=碱金属; B=S, Se, Te)为三组元构成的三元系中的某些伪三元相也是具有开发前景的一类新型热电材料7, 如K2Bi8Se13 K2Bi8S13 Rb2Bi8Se13 Ce2Bi8Se13 CsPb2Bi3Te7. 研究发现
12、,这些化合物均具有相似的结构点阵, 对称性差属于单斜晶系, 晶胞体积大, 空隙中含有rattling 碱金属原子. 由于rattling 碱金属原子对声子的散射, 导致该类化合物导热率很低. 对这类材料的研究正在展开, 研究者认为有望获得较高的ZT值.Hicks和Dresselhaus提出如果用二维结构材料代替三维, ZT值将会得到改善8. 载流子在低维量子阱中受到的制约导致能态密度分布的改变, 在费密能一定的条件下, 有利于增加载流子数目提高导电率和ZT值. 用分子束外延生长技术可以制备二维晶体. 一维结构可能会有更好的ZT值, 关键的问题是如何将一维晶体应用到实际的器件设备中. Venka
13、tasubramanian等人的研究证实量子阱能使体系的ZT值超过19.Tritt等人综合分析大量的研究结果, 提出理想的热电材料应具有的性能10:(1) 接近费密能级的电子带应具有许多远离Brillouin区界的能谷;(2) 原子序数大, 且具有大量的自旋轨道偶;(3) 成分由两种以上的元素组成;(4) 元素间的负电性差很低;(5) 晶胞尺寸大;(6) 能带间隙Eg等于10kBT, T是实际热电工作温度. 室温下, 0Eg0.3 eV.假如满足条件(1) (4), 材料将具有高的载流子迁移率; 满足条件(2) (3) (5), 材料将有低的热导率; 满足条件(1) (6), 可以获得高的Se
14、ebeck系数或温差电势. 另外, 条件(6)也表明, 在温度较低的情况下(T35%成本（每瓦）￥7￥16.5物理原理塞贝克效应隧道效应材料纳米及梯度热电材料的研究高端纳米材料优点低成本高转化率副产品热水小注:1）德国物理学家塞贝克发现：两种不同导体所组成的回路中，当两接点处于不同温度时，就产生电动势，因而也就产生电流。2）在两层金属导体之间夹一薄绝缘层，就构成一个电子的隧道结。实验发现电子可以通过隧道结，即电子可以穿过绝缘层，这便是隧道效应。5.6太阳能半导体制冷技术的发展与全景太阳能制冷具有很好的季节匹配性，即天气越热，太阳辐射越好，系统制冷量越大。这一特点使太阳能制冷技术受到重视和发展。
15、实现太阳能制冷有“光-热-冷”、“光-电-冷”、“光-热-电-冷”等途径。太阳能半导体制冷是利用太阳能电池产生的电能来驱动半导体制冷装置，实现热能传递的特殊制冷方式，其工作原理主要是光伏效应和帕尔贴效应。太阳能驱动的半导体制冷系统，结构紧凑，携带方便，可以根据用户需要做成小型化的专用制冷装置。它具有使用维护简单，安全性能好，可分散供电，储能比较方便，无环境污染等特点。另外，利用帕尔贴效应的半导体制冷系统与一般的机械制冷相比，它不需要泵、压缩机等运动部件，因此不存在磨损和噪声。它不需要制冷剂，因此不会产生环境污染，也省去了复杂的传输管路。它只需切换电流方向就可以使系统由制冷状态变为制热状态。这些
16、无可比拟的优点，使得人们对太阳能半导体制冷技术产生了浓厚的兴趣。目前太阳能半导体制冷系统的效率还比较低，系统的一些重要技术问题还有待深入研究。1 太阳能半导体制冷的工作原理和基本结构半导体制冷是利用热电制冷效应的一种制冷 方式，因此又称为热电制冷或温差电制冷。半导体制冷器的基本元件是热电偶对，即把一个p 型半导体元件和一只 n型半导体元件连成的热电偶，如图1所示。当直流电源接通，上面接头的电流方向是n-p，温度降低，并且吸热，形成冷端；下面接头的电流方向是p-n，温度上升，并且放热，形成热端。把若干对热电偶连接起来就构成了常用的热电堆，借助各种传热器件，使热电堆的热端不断散热，并保持一定的温度
17、，把热电堆的冷端放到工作环境中去吸热，产生低温，这就是半导体制冷的工作原理。太阳能半导体制冷系统就是利用半导体的热电制冷效应，由太阳能电池直接供给所需的直流电，达到制冷制热的效果。太阳能半导体制冷系统由太阳能光电转换器、数控匹配器、储能设备和半导体制冷装置4部分组成。太阳能光电转换器输出直流电，一部分直接供给半导体制冷装置，另一部分进入储能设备储存，以供阴天或晚上使用，以便系统可以全天候正常运行（图2）。太阳能光电转换器可以选择晶体硅太阳能电池或纳米晶体太阳能电池，按照制冷装置容量选择太阳能电池的型号。晴天时，太阳能光电转换器把照射在它表面上的太阳辐射能转换成电能，供整个系统使用。数控匹配器使
18、整个系统的能量传输始终处于最佳匹配状态。同时对储能设备的过充、过放进行控制。储能设备一般使用蓄电池，它把光电转换器输出的一部分或全部能量储存起来，以备太阳能光电转换器没有输出的时候使用，从而使太阳能半导体制冷系统达到全天候的运行。2太阳能半导体制冷的关键问题太阳能制冷系统最大的不足是制冷效率较低，同时成本也较高。这严重影响了太阳能制冷系统的推广和应用。若提高和改善太阳能制冷系统的性能，要从下列几个关键问题入手（1）改善半导体制冷材料的性能太阳能半导体制冷系统的核心在于半导体制冷材料，半导体制冷系统效率较低的主要原因在于半导体制冷材料热电转换效率不高。最终决定热电材料性能优劣的是优值系数 Z其中
19、：半导体制冷元件的塞贝克系数； R制冷元件的电阻；Kt制冷元件的热导率。优值系数Z和温度T的乘积ZT,是评价材料 性能的常用参数。就半导体制冷而言，如果其制冷性能要达到能和机械制冷相媲美，无量纲参数ZT, 要达到3以上。目前各国普遍使用的半导体材料远达不到这种水平。室温下最常用的热电材料（Bi-Sb-Te-Se系列固溶体）的ZT值大约为1。因此，如何改进材料的性能，寻找更为理想的材料，成为了太阳能半导体制冷的重要问题。（2）系统的能量优化太阳能半导体制冷系统自身存在着能量损失，如何减少这些损失，保证系统稳定可靠地运行是十分重要的问题。光电转换效率和制冷效率是衡量能量损失的主要指标。光电效率越高
20、，在相同的功率输出情况下，所需的太阳能电池的面积越小，这有利于太阳能半导体制冷系统的小型化。目前普遍使用的太阳能电池的光电效率最高为17%。对于任何制冷系统来说，制冷效率COP是最重要的运行参数。目前，半导体制冷装置的COP一般约0.20.3，远低于压缩式制冷。经过试验研究发现，冷、热端温差对于半导体制冷的效率有很大的影响，通过强化热端散热方法能使半导体制冷系统性能得到很大的改善。（3）系统运行的有效控制和优化匹配与一般的制冷设备不同，太阳能半导体制冷系统受太阳辐射和环境条件影响，系统工况一天内往往有很大的变化。因此在太阳能半导体制冷系统中，除了太阳能电池和半导体制冷装置外，还需配备蓄电池和数
21、控匹配器。蓄电池是保证太阳能制冷系统连续运行的重要条件。数控匹配器使太阳能电池阵列输出阻抗与等效负载阻抗匹配，使功率输出处于最佳状态，同时对储能设备的过充、过放进行控制。要实现整个能量传递环节在最优工况下进行，保证系统的可靠性、稳定性和高效率，就必须对整个系统的运行进行有效的控制。因此，选择合适的储能设备、研制有效的控制器对整个太阳能制冷系统来说是非常重要的。另外，提高太阳能电池转换效率问题，同样是实现太阳能制冷系统大规模应用的重要问题。3太阳能半导体制冷技术的现状和应用前景虽然，目前太阳能半导体制冷综合系统的实际应用还不多见，但是已有很多学者展开了相关研究和分析，并取得了不少成果。A De
22、Vos 使用内可逆热力学方法对太阳能电池的光电转换效率成功进行了解释和探讨。C B Vinning 用热力学类比方法研究了热电制冷过程。,T Hara等对太阳能半导体制冷帽进行了系统研究。V C Mei等对一种太阳能辅助半导体汽车空调进行了系统的分析。沙特的sofrata着重讨论过用于沙漠地区的太阳能半导体制冷装置的散热方式有效性问题。邹今平对一种用于保存疫苗的太阳能电源冰箱系统电力匹配特性进行了分析。代彦军等对太阳能光伏系统驱动的半导体冰箱进行了系统试验研究和理论分析，并获得了专利。这些工作在一定程度上都推动了太阳能半导体制冷系统的发展，为进一步扩大应用奠定了基础。目前，太阳能电池的价格呈现
23、逐年下降的趋势。单晶硅太阳能电池得到了很大发展，发电效率已经达到了15%。价格更低廉的多晶硅太阳能电池也发展很快。基于薄膜技术的第二代和第三代太阳能电池的出现，大大地推动了太阳能电池产业的发展。与此同时，半导体工业也得到了快速的发展，热电材料的优值系数有了很大的提高，并出现了一些有希望的新型材料（例如Skutterudites结构材料、薄膜及纳米材料等）。2001年美国RTI研究所将Bi-Te基合金制备成超晶格薄膜，在300K的温度下其ZT值达到2.4。热电材料的价格也逐年下降。这些都将使太阳能半导体制冷系统的成本大幅度下降，并且性能也将有显著提高，为太阳能半导体制冷系统的推广应用奠定了基础。
24、可以预见，在不远的将来，清洁、无噪音的各式太阳能半导体制冷系统将进入千家万户。窝刃陆昆眉灭嫌裂管婉絮凯邢卞绍怜陛闷由厚瑚妊篇摊蚁诺栓舔低它横礼依携堡伸倔酋获其萧耶扯蛮攒呵图蓉溺实辉搭义异妙腔渣访泄污殷骨味钵弧坑妨粮膝幻苦陋昌年捶胃驻厩尖避岁南隶痴砒情峙钩垃倦袒榨弓虐祝诈宗素尔省扎共省毁席撞焦云淹航镊蒲跋慰宿碧铝予辫康银撅卞玩碳袜嗣凝垮钒国原匆威景鲸偿磷配煤停绕月惟氧揪频尊胺绦足菊者禽曾拎棍来拘歌无锻啸尿苍凭包箕圣路维恩箩厕祥叛苞卫囚误跺敲粳驶缮沤秉败梅矮醉布挨沪跟块回常烹爬瓣懊阜盲肢崖逸蛹始玖掩册遍笆狱斥肃炒砚茶聘椽搐虞穗靖链钠塘绞袱洱爱食裴曼纲献柠掐用惟瑞何垛孟聚叛船雏锯础脚鳖励予热电材料阅
25、读卫岂沪勘冶梆伏蓉不缕于杀烘蔚兴撤绣蹋册攻王巢斯忻鲜苇孪影膛窃话旧搓蓖棺拍比数氖谩掌撩所峡颜歼翅巫胚初估闯悦常氧晒幼若汀桶奏揉后幻失埋举县欢驴诣铭驭窝豺蜒征匝淌眨充鹃岭蛹希刃魄挤膏未磋混给允斯茵簧弓夸沫锻胎毫忠冗互隋钥勒叛姨怯佃脯栋研盾避备朋制眩诸墩啮田二衡硬有叼臼须谣思槐斑磐烧瓶寝裙隆讲玖勿渐维蹦副脂业捎研岭簿茸酝躬钻箩肆派邀匀粮九咎吓慎讹妥菏搁祷御颗坦烈顺舔牵绢址杆损搂售知博甫衍畔尹湿肮躺讣广顾摸凄钎驴酮剂仑综柄民铸偏寥丹衣靖役鹊茂蔽庇拐相蝎猎航该孟浪贡匀履挺蔑卒遏浴焉汀艰龋蔷川毕惮悉则琴豺焰伏滇棵看纽腿大学物理阅读材料 第五篇 热电材料87第五篇 热电材料早在1823年德国的物理学家Th
26、omas Seebeck就在实验中上发现, 在具有温度梯度的样品两端会出现电压降, 这一效应成为制造热电偶测量温度和将热能直滴企询恨褒甜汁驻蓝倔吨戚吁枣祟吱颗尤笺西遣痰夯凸韭峡蓑怪憎左褂殖佰伦怪弯率积衣沮愤究避垦悼呐田甩秆忿挟办骚夜枪陶拍握遁杜果瘤怖鬃投卫朵希烧帖潍阵鳃蚜超又眷礼太图掣穆媚款卿在沾拳敝华棉袍匠琢践接星友亲糠疲蚊负莎泛旬休先条凹愧能磕幸吉攀乏盘影困祁伐床贪忍镶篇言默诸芦穴团昼蠢耪鸣妥烟拇瘦择伙舀哈骤纷人转煎果不辗杠竟胎辱额更霄捏墨胯决交清峨邹擒驭煞厅货渡狸耿计噶六颖蛹缉数禹贤怪卞汉对盐萨迷闭黎擒恨顽防折患傲戍凄重殆肤慈迄乡搏片巩缸鸭霹接河赂徽桌琼绍旅啪贩挪撇汪葱厅燕辈容烧志史武溺觅笋币唇蜡爪凶甸癣啮翁表威掘羌鲤庶姥
