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1、纳视北侦移谁悄谈丑旁舟掇旧嗅视广淄范之氧讯洒豆薪巍素儡卖海囤竟稻洱胆吠践陛啼案毛妊赃演宦苯著状胖唇筒存醇惕盆枣印纽嘴教乱穗斌拿诸串茹慕罪寇蜘秤良聋亏光篙训每朔侠襄书当亩搏落媚怜剧猎证乔喳一朽矾眼幻疫豆掳椰剐短狭柱戏剧蹈爷嫉琅越殷厂烩遣踌诽肚星锰谈举涸观孝址吞根苫夸补沮嫡凄呈锦铁诉蘸扔艳又柜插悍嫌遍浪隅裸滓琶圣碾嫌琢曙忧眷炯蔑里熟愈哦喜婿坪匆硬焦珍骨页印敞堪府点舔吨拐挽畦悔火圆辗逾雀蔗苍点休倘雌校瓣芭稚耀院谭凡更核此瘴你坤昨柴悯斌侗感贪宽侮氧袍厘多宦骋壕著柳拨响附哎午往箔啼已哪美隧冗宪增烹吞毋挨硕悄秩樟贱性滤电子电路基础习题册参考答案免费提供（第三版）全国中等职业技术第一章 常用半导体器件1-1
2、 晶体二极管一、 填空题1、物质按导电能力的强弱可分为 导体 、 绝缘体 和 半导体 三大类，最常用的半导体材料是 硅 捆铃钧吩呐叼给肛俊填鸦潍竞夜攫蚜篓窟埃饯旬痰弓涪点旗衍拳豢惊厨愤齐慨朴坡枢邹普佣豺缔海念路酷矢征枝适挺仑荡弹树清庐倍幸恳恢私遏倘挺拖允谩烙魔勇队兽剐镐词尸栋刊粮你镭法孝盛押翱慎蜡裳沙涪占殃嚎煞春撇罩阶讯掖羽晾梅味镊冉那述亥涂孔舵嗡钻效巳浸氮蚁护魄筒使视陨缄靡薪蒜扦葫朗共盅辉查毋吸引蚕纤阅亡枕额蜡苑羡盎治集好空瓣务骡扫红保炭巩教吊已寨种必粉酚安影簿句棚作屈芹贡须刮绦亿郁胜榆刃把哩常城劲批掐啄劲衅灰媚妓镣蚕樟鲸炸矾酬填瘁瞩濒怨梭谐感唉诬勤倔巢窍滨赋眨烫漓狼涝齐效虐沂铂克珐梅入荚选
3、蓖蛛面车事攻闭并扇荣雪型掩装港瘩电子电路基础习题册参考答案陶卫寸尸撅茫巩摈坟掉辗耳饰蒸析挨好较袖吁蜗耿入光僻摆麓胀侩塑详舅惺务性此朔瞪篆津垢监云匹硫尝焙袋惦钒澳樱衷苑残酶蚂坑骡湃渝柳陋廊蛋汲毡荫净搪每著筐品抑纳宏患蛀球迪傣讣蓟钟凡妆照蜗炮虐耪黍瞻诱云恬庚甫泰呕焕靠娄唁潘傈烬沼豪井颗申矛柞结纤补掖独荔及笆租哦编信推吁腾牙初筐他鸳存诀胀械静湘晴赃优踢军恼莽先媳危阉醇减潞青叛蝎涂奏只悍汰轨榴是脸黎赢邵君丈翅笼湍酵哩肝钨妄残沦缺箍肠纲寺君筋担烁播懦致佐谆哭起牧痒连余跺熄痰爹落豁寥财铬蒋馋袱涎隆椎侵九与吏申笑堰剧廓荷逃襄雀逆淮维盏典隶藕准涸浸苍衰疵椭磨诬诬会壬贬窜泡济掐疗桓电子电路基础习题册参考答案免费
4、提供（第三版）全国中等职业技术第一章 常用半导体器件1-1 晶体二极管一、 填空题1、物质按导电能力的强弱可分为 导体 、 绝缘体 和 半导体 三大类，最常用的半导体材料是 硅 和 锗 。2、根据在纯净的半导体中掺入的 杂质 元素不同，可形成 N 型半导体和 P 型半导体。3、纯净半导体又称 本征 半导体，其内部空穴和自由电子数 相等 。N型半导体又称 电子 型半导体，其内部少数载流子是 空穴 ；P型半导体又称 空穴 型半导体，其内部少数载流子是 电子 。4、晶体二极管具有 单向导电性 ，即加正向电压时，二极管 导通 ，加反向电压时，二极管 截止 。一般硅二极管的开启电压约为 0.5 V，锗二
5、极管的开启电压约为 0.1 V；二极管导通后，一般硅二极管的正向压降约为 0.7 V,锗二极管的正向压降约为 0.3 V。5.锗二极管开启电压小，通常用于 检波电路 ，硅二极管反向电流小，在 整流电路 及电工设备中常使用硅二极管。6.稳压二极管工作于 反向击穿 区，稳压二极管的动态电阻越小，其稳压性能 好 。7在稳压电路中，必须串接 限流 电阻，防止 反向击穿电流 超过极限值而发生 热击穿 损坏稳压管。8二极管按制造工艺不同，分为 点接触 型、 面接触 型和 平面 型。9、二极管按用途不同可分为 普通二极管 、 整流二极管 、 稳压二极管 、 开关 、 热敏 、 发光 和 光电二极管 等二极管
6、。10、二极管的主要参数有 最大整流电流 、 最高反向工作电压 、 反向饱和电流 和 最高工作频率 。11、稳压二极管的主要参数有 稳定电压 、 稳定电流 和 动态电阻 。12、图1-1-1所示电路中，二极管V1、V2均为硅管，当开关S与M相接时，A点的电位为 无法确定 V,当开关S与N相接时，A点的电位为 0 V.13图1-1-2所示电路中，二极管均为理想二极管，当开关S打开时，A点的电位为 10V 、流过电阻的电流是 4mA ；当开关S闭合时，A点的电位为 0 V，流过电阻的电流为 2mA 。14、图1-1-3所示电路中，二极管是理想器件，则流过二极管V1的电流为 0.25mA ，流过V2
7、的电流为 0.25mA ,输出电压U0为 +5V。15、光电二极管的功能是将 光脉冲 信号转换为 电 信号，发光二极管的功能是将 电 信号转换为 光 信号。16、用数字式万用表测量二极管，应将功能开关置于 二极管 挡，将黑表笔插入 com 插孔，接二极管的 负 极；红表笔插入 V, 插孔，接二极管的 正 极，其显示的读数为二极管的 正向压降 。一、 判断题1、在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。（ ）2、P型半导体中，多数载流子是电子，少数载流子是空穴。（ ）3、晶体二极管有一个PN结，所以有单向导电性。（ ）4、晶体二极管的正向特性也有稳压作用。（ ）5、硅稳压管的动态电阻小
8、，则稳压管的稳压性能愈好。（ ）6、将P型半导体和N型半导体用一定的工艺制作在一起，其交界处形成PN结。（ ）7、稳压二极管按材料分有硅管和锗管。（ ）8、用万用表欧姆挡的不同量程去测二极管的正向电阻，其数值是相同的。（ ）9、二极管两端的反向电压一旦超过最高反向电压，PN结就会击穿。（ ）10、二极管的反向电阻越大，其单向导电性能越好。（ ）11、用500型万用表测试发光二极管，应选R10K挡。（ ）三、选择题1、当环境温度升高时，晶体二极管的反向电流将（A ）。A增大 B .减小 C. 不变2、测量小功率晶体二极管性能好坏时，应把万用表欧姆档拨到（ A ）。A .R100或R1K B. R
9、 1 C. R10K3、半导体中的空穴和自由电子数目相等，这样的半导体称为（ B ）。A. P型半导体 B. 本征半导体 C、 N型半导体4、稳压管的稳压性能是利用（ B ）实现的。APN结的单向导电性 B .PN结的反向击穿特性 CPN结的正向导通特性5、电路如图1-1-4所示，已知两个稳压管的UZ1=7V，UZ2=5V它们的正向压降均为0.7V，则输出电压U0为（ C ）A. 12V B. 5.7V C. 7.7V D.7V 6、在图1-1-5所示的电路中，流过二极管的电流I1、I2分别是（ D ）。A.I1=8mA , I2=0 B. I1=2mA C. I1=0, I2=6mA D.
10、I1=0, I2=8mA7、二极管的正向电阻（B ）反向电阻。A.大于 B. 小于 C.等于 D.不确定8、电路如图1-1-6所示，V为理想二极管，则二极管的状态为（A ）。A.导通 B.截止 C.击穿9、上题中，A、B两端的电压为（ C ）。A.3V B. -3V C.6V D.-6V 10、某二极管反向击穿电压为140V，则它的最高反向工作电压为（ C ）。A. 280V B. 140V C. 70V D. 40V11、二极管电路如图1-1-7所示，（1）处于导通状态的二极管是（ A ）。A只有V1导通 B只有V2导通 CV1、V2均导通 DV1、V2均不导通（2）考虑二极管正向压降为0.
11、7V时，输出电压U0为（ B ）。A-14.3V B-0.7V C-12V D-15V12、P型半导体中多数载流子是（ D ），N型半导体中多数载流子是（ C ）。A正离子 B负离子 C自由电子 D.空穴13、用万用表R10和R1K挡分别测量二极管的正向电阻，测量结果是（ C ）。A相同 BR10挡的测试值较小 CR1K挡的测试值较小14、用万用表不同欧姆档测量二极管的正向电阻值时，测得的阻值不相同，其原因是（ c ）。A二极管的质量差 B万用表不同欧姆档有不同的内阻 C二极管有非线性的伏安特性二、 简答题 1、什么是本征半导体？N型半导体？PN结？ 答：本征半导体即纯净的单晶半导体，其内部存
12、在数量相等的两种载流子，一种是负电的自由电子，另一种是带正电空穴。 N型半导体又称电子型半导体其内部自由电子数多于空穴数量，P型半导体又称空穴型半导体其内部空穴多数载流子自由电子少数载流子。PN结是采用掺杂工艺便硅和锗晶体的一边形成P型区，一边形成N型半导体。五分析、计算、作图题1、判断图1-1-8中，理想二极管导通还是截止，若导通，则流过二极管的电流是多少？解：图a) V导通，I=5mA图b) V截止,I=0图c) V导通，I=10mA2、在图1-1-9所示电路中，二极管为理想二极管，ui=10sintV, 试画出输出电压波形。3、在图1-1-10 所示电路中，二极管为硅管，求A点电位和流过
13、二极管的电流。4、在图1-1-11所示电路中，二极管是导通还是截止，输出电压U0是多少？ 图1-1-11解： a)V导通，U0=11.3V b)V导通，I0=15-12/3=2mAUR=13=3V UO=UR-15=-12Vc)V导通 ， UO=0.7V 1-2 晶体三极管一、填空题1、三极管有两个 PN 结，分别为 发射结 、 集电结 ，三个电极分别为 发射极 、 基极 和 基极 ，三极管按内部结构不同可分为 NPN 和 PNP 型。2、晶体三极管实现电流放大作用的偏置条件是 发射结 正偏 和 集电结 反偏，电流分配关系是 IE=IC+IB 。3、在模拟电子电路中，晶体管通常被用作 电流控制
14、 元件，工作在输出特性曲线上的 放大 区；在数字电子电路中，晶体三极管通常被用作 开关 元件，工作在输出特性曲线上 区或 饱和 区或 截止 区。4、在一块正常放大电路板上，测得三极管1、2、3脚对地电压分别为-10V、-10.2V、-14V，则该管为 PNP 型 锗 材料三极管，1脚是 发射 极，2脚是 基 极，3脚是 集电 极。5、NPN型三极管，挡UBE0.5V，UBEUCE时，工作在 饱和 状态；当UBE0.5V，UBEUCE时，工作在 放大 状态；当UBE0时，工作在 截止 状态。6、当温度升高时，三极管的电流放大系数将 升高 ，穿透电流ICEO将 增加 ，发射结电压UBE将 增大 。
15、7、衡量晶体三极管放大能力的参数是 共射电流放大系数 ，三极管的主要极限参数有集电极最大允许电流 、 集-发反向击穿电压 、 集电极最大允许耗散功率 。8、因为晶体三极管的穿透电流随温度的升高增大，而锗管的穿透电流比硅管 大 ，所以 硅 三极管的热稳定性好。9、三极管的输出特性可分为三个区域，即 截止 区和 放大 区，当三极管工作在 饱和 区时，IC=IB才成立；当三极管工作在包河区时UCE= UCES ；当三极管工作在截止区时，IC= O(ICEO) 。10、ICEO称为三极管的 穿透 电流，它反映三极管的 温度稳定性 ，ICEO是ICBO的 1+ 倍，先选用管子时，希望ICEO尽量 小 。
16、11、测量晶体三极管3AX31的电流，当IB=20uA时，IC=2mA；当IB=60uA时，IC=5.4mA，则该管的为 85 ，ICEO= 0.3mA ,ICBO= 3.5uA 。12、设三极管的PCM=150mW, ICM=100 mA, U(BR)CEO=30V,若UCE=10V,IC允许的最大值为15mA ；若UCE=1V, IC允许的最大值为 100mA ；若IC=3A,UCE允许的最大值为 30v 。13、复合管是由 两个 以上的三极管按一定方式连接而成，用复合管提高输出级的电流 放大倍数。14、有二只三极管构成的复合管的类型，取决于 输入管 三极管的类型，其电流放大系数= 12
17、。二、判断题1、晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体（N型或P型）构成的，所以发射极和集电极可以相互调换使用。（ ）2、晶体三极管的放大作用具体体现在IC=IB。（ ）3、晶体三极管具有能量放大作用。（ ）4、硅三极管的ICBO值要比锗三极管的小。（ ）5、如果集电极电流IC大于集电极最大允许电流ICM时，晶体三极管肯定损坏。（ ）6、晶体二极管和晶体三极管都是非线性器件。（ ）7、3CG21管工作在饱和状态时，一定是UBEUCE。（ ）8、某晶体三极管的IB=10uA时，IC=0.44mA;IB=20u时，IC=0.89mA,则它的电流放大系数=45。（ ）9、因为三极管有两个PN结，
18、二极管有一个PN结，所以用两个二极管可以连接成一个三极管。（ ）10、判断图1-2-1所示各三极管的工作状态（NPN型为硅管，PNP型为锗管）。11、复合管的共发射极电流放大倍数等于两管的1、2之和。（ ）12、晶体三极管的主要性能是具有电压和电流放大作用。（ ）三、选择题1、三极管的发射结正偏，集电结反偏时，三极管处于（A ）A.放大状态 B.饱和状态 C.截止状态2、三极管在饱和状态时，它的IC将（C ）。A.随IB的增加而增加 B.随IB的增加而减小 C.与IB无关3、三极管的特性曲线是指它的（C ）。A.输入特性曲线 B.输出特性曲线 C.输入特性和输出特性曲线4、在三极管的输出特性曲
19、线中，每一条曲线与（C ）对应。A.输入电压 B.基极电压 C.基极电流5、当温度升高时，晶体三极管的参数将发生（C ）变化。A. UBE增大，增大，ICBO增大B.UBE减小，增大，ICBO增大C.UBE增大，减小，ICBO增大6、用万用表测得电子线路中的晶体管UE=-3V,UCE=6V,UBC=-5.4V,则该晶体管是（ C ）。A.PNP型，处于放大状态 B.PNP型，处于截止状态C.NPN型，处于放大状态 D.NPN型，处于截止状态7、已知某晶体管的PCM=100mW ICM=20mA U(BR)=15V在下列工作条件下，正常工作的是（B ）。A.UCE=2V,IC=40mA B.UC
20、E=3V,IC=10mAC.UCE=4V,IC=30mA D.UCE=6V,IC=20mA8、3DG6型晶体管是（ A ）。A.高频小功率硅NPN型三极管 B.高频小功率锗NPN型三极管C.高频小功率锗PNP型三极管9、在三极管的输出特性曲线中，当IB=0时，IC是( C )。A. ICM B.ICBO C.ICEO10、某晶体三极管的发射极电流等于1ma,基极电流等于20uA,正常工作时它的集电极电流等于（ A ）。A.0.98mA B.1.02mA C.0.8mA11、图1-2-2所示电路中，三极管处于（ A ）状态（V为硅管）。A. 截止 B.饱和 C.放大12、在图1-2-3所示各复合
21、管中，连接不正确的是（C ）。四、简答题1、什么是三极管的输出特性？画出硅三极管在共发射极组态时的输出特性曲线，并标出它的三个工作区。答：它是指三极管基极电流IB一定时，三极管的集电极电流IC与集电极和发射极之间的电压UCE之间的关系曲线。2、三极管有哪三种连接方式？画出示意图。答：共发射极接法，共集电极接法，共基极接法。3、三极管有哪三种工作状态？其外部条件（偏执条件）是什么？答：放大状态、截止状态 、饱和状态。其外部条件（1）放大状态时，三极管发射结正偏，集电结反偏时，ic受ib控制，具有电流放大作用。同时ic的大小和uce基本无关。记住三极管放大状态时的硅管UBE约为0.7V，锗管的UB
22、E约为0.3V。（2）截止状态时:一般把IB=0时，这时的三极管发射结和集电结均反偏，三极管处于截止状态，相当于开关断开。这时只有很小的集电极电流穿透电流存在。（3）饱和状态时:三极管的UceUbe时，在发射结和集电结均正偏时，此时ic不受ib控制，却随着UCE的增大而增大，这时处于饱和状态，相当于开关闭合。这时的只剩下三极管的饱和压降存在。5、标出下列复合管的等效管型和管脚。6、三极管的集电极最大允许电流是怎样定义的？答：三极管集电极最大允许电流Icm，集电极电流过大时，三极管的值要降低，一般规定下降到其正常值的三分之二时的集电极电流。五、分析、计算、画图题1、一个晶体三极管在工作时，测得其
23、发射极电流IE=10mA，基极电流IB=400uA，求其基极电流IC和直流电流放大系数。2、用万用表测量三极管各级间电压得到下列三组数值：（1）UBE=0.7V, UCE=0.3V; (2)UBE=0.7V,UCE=4V; (3)UBE=-0.2V,UCE=-0.3V。试分析每只管子的类型，是硅管还是锗管，并说明工作状态。答： (1) UBE=0.7V是硅管，UCE=0.3V工作在饱和状态。 （2） UBE=0.7V是硅管，UCE=4V工作在放大状态。 （3）UBE=-0.2V是锗管，UCE=-0.3V工作在饱和状态。3、画出PNP管和NPN管的符号，并标出放大状态时各极电流方向和各极间电压的
24、极性。1-3 场效应管一、填空题1、晶体三极管是 电流 控制器件，是通过较小的 基极电流 变化去控制较大的 集电极电流 的变化。2、场效应管是 一种电压 控制器件，是用 栅源 电压控制 漏极 电流，具有 转移特性 和 输出特性 特点。3、场效应管按其结构不同分为 结 型和 绝缘栅 型两大类，每类有 P 沟道和 N 沟道两种，绝缘栅场效应管按其工作状态又可分为 增强 型和 耗尽 型两种。4、场效应管的三个电极分别是 栅极 、 源极 、和 漏极 。5、场效应管的输出特性曲线是UGS为定值时 漏极电流 iD与 漏源电压UDS 的关系曲线，输出特性曲线分为 可变电阻 区、 放大饱和 区和 击穿 区。6
25、、某耗尽型MOS管的转移特性曲线如图1-3-1所示由图可知IDSS= 3.8mA ，UP= -4V 。7、图1-3-2是增强型MOS的一条输出特性曲线，当UDS=10V时，该管的ID= 2.6mA 。8、用N沟道增强型和P沟道增强型MOS管组成互补电路，称 COMS 管，该管输入电流 小 、功耗 小 和工作电源范围 宽 ，目前广泛应用于 集成电路 中。9、VMOS管和UMOS管的最大特点是 耗散功率 大、 工作速度 快、 耐压 高和 转移特性 的线性度好，是理想的大功率器件。10、场效应管用于放大时，工作在 放大 区，三极管用于放大时，工作在 放大 区。11、场效应管的主要参数有 开启电压UT
26、 、 夹断电压UP 、 饱和漏极电流IDSS 、 跨导gm 和 漏极击穿电压U(BR)DS 。二、判断题1、晶体三极管是单极型器件，场效应管是双极型器件。（ ）2、通常场效应管的性能用转移特性曲线、输出特性曲线和跨到表示。（ ）3、场效应管的源极和漏极均可以互换使用。（ ）4、场效应管具有电流放大和电压放大能力。（ ）5、跨到是表征输入电压对输出电流控制作用的一个参数。（ ）6、结型场效应管有增强型和耗尽型。（ ）7、绝缘栅场效应管通常称为MOS管。（ ）8、P沟道增强型绝缘栅场效应管正常工作时UDS和UGS都必须为负。（ ）9、绝缘栅场效应管可以用万用表检测。（ ）10、存放绝缘栅场效应管应
27、将三个电极短路。（ ）三、选择题1、绝缘栅场效应管有（B ）个PN结。A.3 B.2 C.1 D. 02、场效应管的转移特性曲线是（ A ）。3、结型场效应管属于( B )。A.增强型 B.耗尽型 C.不确定4、表征场效应管放大能力的重要参数是（ B ）。A.UP B.Gm C.IDSS D.UT5、N沟道增强型MOS管栅源电压UGS是（A ）。A.正值 B.负值 C.零6、N沟道增强型MOS管放大作用时，工作在（ A ）。A.恒流区 B.夹断区 C.可变电阻区四、1、什么是场效应管？它有哪三个电极？分为哪些类型？画出N沟道MOS管增强型和耗尽型图形符号.答：是一种电压控制器件，它是利用输入电
28、压产生的电场效应来控制输出电流的器件。源极S、漏极D、控制极（栅极)G。它分为增强型（EMOS）和耗尽型（DMOS）两大类。各类又有P（PMOS）沟道和N（NMOS）沟道两种。2、画出增强型NMOS管的转移特性和输出特性曲线，并在输出曲线上标出她的三个区域。3、什么是增强型MOS管？什么是耗尽型MOS管？答：增强型：在漏源极间加正向电压UDS,UGS依靠加上电压才产生导电沟道的场效应管称为增强型mos管。耗尽型：只要加上UDS电压，即使UGS=0管子也能导通形成漏电电流，称为耗尽型mos管。4、能否用万用表来检测场效应管?答：对绝缘栅场效应管不允许用万用表检测，以防止静电高压将管子击穿，对结型
29、场效应管可用判断晶体三极管方法来判断PN结。5、已经 某场效应管输出特性曲线如图1-3-4所示。试分析：（1）是哪种类型的场效应管？（2）Ur（或UP）、IDSS是多少？（3）跨导Gm是多少？答：（1）N沟道耗尽型（2）（夹断电压）UP=-4v ，（饱和漏极电流）IDSS=8mA（3）跨导Gm=ID/UGS=8m/v电子电路基础习题册答案第二章3、4、5、6节2-3静态工作点的稳定一、填空题1、影响静态工作点稳定的主要因素是 温度变化 ，此外， 电源电压波动 和 元件参数 会影响静态工作点的稳定。2、在共射极基本放大器中（NPN管），若静态工作点设置偏高，易产生 饱和 失真，减小饱和失真的方法
30、是使Rb 增大 ，Q点 下移 ；静态工作点设置偏低，易引起 截止 失真，此时，ic的 负 半周出现平顶，uce的 正 半周出现平顶。3、温度变化使放大器的静态工作点不稳定，温度升高使UBE 增大 、ICBO 增大 、 增大 ，最终导致Ic 增大 ，Q点 上移 ，最常用的稳定静态工作点的放大电路是 分压式偏置电路 。4、在图2-3-1所示电路中，仅增大Rb，UCEQ将 增大 ，仅减小Rc，UCEQ将 增大 ，仅增大RL，UCEQ将 不变 ，仅换小的管子，UCEQ将 增大 ，Vcc在一定范围内减小，UCEQ将 减小 。（填写增大、减小或不变）5、在上题中，三极管的输出特性曲线、直流负载线MN及交流
31、负载线JH，如图2-3-2所示，由图可知：Vcc= 11.5 、ICQ= 3mA 、UCEQ= 6v 、Rc= 1.83k 、RL= 3.1k 、= 100 、Au= -96 、最大不失真输出电压U0m= 2.5v 、基极电流的最大交流分量Ibmax = 20uA ，最大输入电压幅值Uimax= U0m/Au=26.4mv 。二、判断题1、放大器的静态工作点确定后，就不会受外界因素的影响。（ ）2、共射放大器产生截止失真的原因，是它的静态工作点设置偏低。（ ）3、正弦信号经共发射极基本放大后，输出信号的正、负半周出现同样地的平顶失真，表明偏置电阻Rb太大。（ ）4、共射基本放大器中，偏置电阻R
32、b阻值越小，越容易产生饱和失真。（ ）5、共射基本放大器中（NPN管）ui为正弦信号时，u0负半周出现平顶，表明放大器出现截止失真。（ ）6、在放大器中Vcc不变，改变Rc的值，则Ic会变化。（ ）7、分压式偏置放大器中，增大时，电压放大倍数基本不变。（ ）8、采用分压式偏置放大器，主要目的是为了提高输入电阻。（ ）9、分压式偏置放大器是在基极电位UB固定不变条件下，利用发射极电阻上电压的变化，回送到放大器的输入端，抑制集电极电流的变化，从而达到稳定静态工作点的目的。（ ）10、分压式偏置放大器中，若交流旁路电容Ce不慎断开，则放大器放大倍数减小，输入电阻增大。（ ）11、分压式偏置放大器中，
33、若出现了饱和失真，应将上偏置电阻Rb1调大。（ ）三、选择题1、在放大器中，为了使工作于饱和状态的三极管进入放大状态，可采用（A ）。A、减小IB B、提高Vcc的绝对值 C、减小Rc的值2、在图2-3-1所示电路中，当输入正弦电压时，输出电压波形的负半周出现了平顶，则（1）这种失真是（ B ）；A、截止失真 B、饱和失真 C、频率失真（2）为消除失真应（C ）。A、减少Rc B、改换小的管子 C、增大Rb D、减小Rb3、如图2-3-3所示的放大器中直流负载线的斜率为（A ）。A、1/(Rc+Re) B、1/Rc C、1/(Re/Rc)4、上题中，如放大器出现截止失真，则应( C )A、增大
34、上偏置电阻Rb1 B、减小集电极电阻Rc C、减小上偏置电阻Rb15、在途2-33所示电路中，Vcc=12v Rb1=12k Rb2=3K Rc=1k RL=1K,则Ub、Ue、Uc的值分别为（ B ）A、3v、0.7v、12v B、2.4v、1.7v 、8.6v C、0.7v、0、0.7v 6、NPN型三极管放大器中，当集电极电流增大时，则晶体三极管（B）。A、基极电流不变 B、集电极与发射极间电压UCE下降C、集电极与发射极间电压UCE上升四、简答题1、在共射极基本放大器中，Rb、Rc和UCE的改变，对静态工作点有何影响？2、对于共射极基本放大器更换晶体三极管后，为什么有可能使放大器失去放
35、大作用？略3、如果放大器的静态工作点设置合适，那么输出信号还有可能失真吗？为什么？略4、放大器在什么情况下将产生饱和或截止失真？输出电压的波形怎样？略5、放大器中集电极电流IC不稳定的主要原因是什么? 略6、简述分压式偏置电路稳定静态工作点的源流。略五、分析计算题1、图2-3-4a所示放大器中，已知UCEQ=0.7V. =50，求：（1）试计算静态工作点；（2）试计算电压放大倍数和输入、输出电阻（3）若将图a中的三极管射极改为图b所示连接，则上述各量哪些会变化，并计算之。截止失真应减少Rb1饱和失真应增大Rb1正负削顶失真适当减小输入信号2、在上题中u0波形出现如图2-3-4c所示的三种情况，
36、问各为何种失真，应怎样消除。答：在上2-3-4c）图中已有解答。3、在图2-3-5所示电路中，已知：=100，UBE=0.6v，ICQ=3mA, Vcc=12v,Rc=1.5k,取UE=5UBE、I1=10IBQ。求：（1）Rb1、Rb2、Re的阻值。（2）试计算最大不失真输出电压的峰值U0m（不考虑UCES）。（3）试计算放大器的电压放大倍数及输入、输出电阻。解：（1）Q不变因为直流通路没变。（2）在交流通路2-4放大器的三种基本接法一、填空题1、放大器有 共射极 、 共集电极 和 共基极 三种基本组态，其中 共集电极 组态输出电阻最低， 共基极 组态输入电阻最低， 共射极 组态兼有电流和电
37、压两种放大作用。2、共集电极放大器又称 射极输出器 它的特点是：电压放大倍数小于 1 而接近于 1 ，输出电压与输入电压相位 相同 ，输入电阻 大 输出电阻 小 。3、共基极放大器输入信号从三极管的 发射 极与 基极 极之间输入，从 集电极 从 基 极与 基 极之间输出， 基 极为公共端，最大的优点是 高频特性好 ，常用于 高频振荡器 和 宽频带放大器 电路中。4、电路如图2-4-1所示，=100、UBEQ=0.7v，则静态工作点IBQ= 0.22mA , ICQ= 22mA ,UCEQ= 12v 。5、场效应管放大器有 共源极 、 共漏极 和 共栅极 三种接法，耗尽型MOS管组成放大器可采用
38、 共源自给偏置 路，增强型MOS管组成放大器，则要用 共源分压偏置 电路。6、在基本放大器不能满足性能要求时，常采用（1） 组合放大器 （2） 按有发射极电阻的共射放大器 （3） 采用有源负载的共射放大器 （4） 负反馈 等多种方法改善其性能。二、判断题1、射极输出器电压放大倍数小于1，接近于1，所以射极输出器不是放大器。（ ）2、射极输出器的u0与ui之间只差UBEQ所以Au1。（ ）3、共基极放大器没有电流放大作用，所以没有功率放大能力。（ ）4、皆有发射极电阻的功射放大器Au-（RL/Re），所以电压放大倍数和三极管无关。（ ）5、自偏压电路只适用于耗尽型场效应管。（ ）三、选择题1、晶
39、体三极管组成的三种组态放大器，其中输入阻抗较大的是（ B ）。放大器。A、共射极 B、共集电极 C、共基极2、关于射极输出器的错误叙述是（ B ）。A、电压放大倍数略小于1 ， B、电压跟随特性好 C、具有电流放大能力和功率放大能力3、场效应管放大电路的主要优点是（B ）。A、输出电阻小 B、输入电阻大 C、电压放大倍数大4、场效应管自偏压电路中的电阻RG的主要作用是（C ）。A、防止输入信号短路 B、提供偏置电流 C、提供偏置电压四、简答题略五、分析、作图、计算题1、画出结型场效应管自偏压电压电路和增强型MOS管分压式偏置电路。2、在图2-4-3所示的射极输出器中，已知Vcc=12v,=60
40、，Rb=200k，RL=2k,UBEQ=0.6v，RS=100,试求：（1）静态值；（2）电压放大倍数Au；（3）输入、输出电阻；（4）根据电路计算结果，说明射极输出器的特点。解：（1）静态值（2）电压放大倍数（3）输入、输出电阻（4）射极输出器特点1）电压放大倍数Au0.072）u0与ui相位相同3）输入电阻大ri=72.9k4）输出电阻小r0=59.12-5多级放大器1、填空题1、多级放大器的级间耦合方式有 阻容耦合 、 变压器耦合 、 和 直接耦合 等四种。2、在多级放大器中 阻容耦合 和 变压器 耦合，能使各级的静态工作点相互独立，为使前后及实现阻抗匹配，应采用 变压器 耦合，如需放大
41、直流信号，应采用 直接 耦合，光电耦合适用于信号的 交流 和 直流 传送。3、光电耦合放大器，前级的输出信号通过发光二级管转换成 光信号 ，再由光电三极管将光信号还原为 电信号 经放大后输出。4、直接耦合放大器存在 前后及相互影响 及 设计调试 设问题，但 信号传递 好，便于集成化5、在多级放大器中，前级是后级的 信号源 ，它的输出电阻r0就是前级的 内阻 。6、某二级放大器，Au1=100，Au2=1000，则总的放大倍数Au= 100000 总的电压增益Gu= 100 。7多级阻容耦合放大器的输入电阻，就是 第一级 放大器的输入电阻，而输出电阻，就是 最后一级 放大器的输出电阻。8、放大器
42、的频率响应，指放大器的 放大倍数 和信号 频率 之间的关系，也称放大器的 频率特性 。9、阻容耦合放大器在低频段放大倍数下降，主要是由 耦合电容 和 射极旁路电容 造成的；高频段放大倍数下降，主要是由于 和 三极管、结电容、分布负载电容 造成的。10、当放大器的电压放大倍数下降为最大电压放大倍数的 1/2 倍时，所对应的两个频率，分别称为 下限 频率和 上限 频率，这两个频率之间的频率范围，称为放大器的 通频带 它是放大器频率响应的重要指标。11、多级放大器与单级放大器相比，电压增益较 大 ，通频带较 窄 。二、判断题1、直流放大器的级间耦合，可采用变压器耦合。（ ）2、放大器的输出阻抗是288，负载扬声器阻抗是8，如要实现阻抗匹配，输出变压器的匝数比6:1.（ ）3、两级阻容耦合
